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uBUMP和TSV的寄生如何抽取

Cadence楷登 ? 來源:Cadence楷登 ? 作者:張倩憶 沈龍 ? 2022-09-16 14:15 ? 次閱讀

本文作者:張倩憶,沈龍

Cadence 公司 DSG Product Engineering Group

先進工藝制程使得設計工程師們一次又一次突破了芯片性能、功耗和面積的極限。為了可以繼續(xù)速度更快、功能更強、造價更省的追求,摩爾人依然在孜孜不倦地尋找新的方法。3D-IC 即是其中之一:通過封裝和互聯(lián)技術的更新使得多個裸片(die)可以集成在同一片晶片(chip)中,這樣片內(nèi)的高速互聯(lián)就替代了之前片外的低速互聯(lián)。這一新維度為未來芯片的性能提升創(chuàng)造了無限可能,從今年 5 月起我們(查看文末往期內(nèi)容)已經(jīng)連續(xù) 5 期詳細揭秘了 Cadence 系統(tǒng)平臺如何為 3D 設計者提供幫助。現(xiàn)在我們來看一下這其中涉及的新的互聯(lián)方式和工藝集成對寄生參數(shù)和時序分析又帶來了哪些挑戰(zhàn),以及我們?nèi)绾蜗惹耙徊綖樾酒灪巳藛T做好準備。

uBUMP 和 TSV 的寄生如何抽取

中介層之間出現(xiàn)的耦合電容亟待考慮嗎

靜態(tài)時序分析的集成與擴容

如何應對 PVT 分析 corner 的爆炸式增長

設計案例

01uBUMP 和 TSV 的寄生如何抽取

首先介紹下什么是 uBUMP 和 TSV。

uBUMP 通常是用來連接上下兩個裸片堆疊的,需要用 IPF(Inter-Process-File)文件來定義。通孔(VIA)是定義在兩個相鄰繞線層之間的。TSV(Through Silicon Via)是指定義在 3D-IC 工藝中連接背面第一層金屬和正面第一層的通孔。還有一種 Long TSV 是指連接背面第一層金屬和正面第一層以上某一層金屬之間的通孔。

Quantus 在寄生參數(shù)抽取時對于 uBUMP 和 TSV 有兩種計算方式。一種是通常在 ICT 文件中用模型語句來描述,另一種是通過定義一個額外的 TSV 模型文件(.subckt)在整體寄生參數(shù)抽取時進行標注。目前 Quantus 對于用 TSV 模型語句的方式可以支持電阻和對地電容的抽取,這些電阻電容值和普通的寄生參數(shù)抽取一樣是寫在輸出網(wǎng)表中。

02中介層之間出現(xiàn)的耦合電容亟待考慮嗎

基本的 3D-IC 的寄生參數(shù)抽取包括 TSV、uBUMP 還有芯片背面金屬層的抽取。然而隨著工藝的進步,兩個 DIE 之間的距離更靠近,所以兩者繞線之間的電容就變得不容忽視了。Quantus 目前可以支持 IDX 電容抽取了。IDX 是 3D-IC 中兩個 DIE 之間形成的新的耦合電容,利用兩個 DIE 之間的耦合電容可以做更精準的系統(tǒng)級靜態(tài)時序分析,這兩個 DIE 可以是相同或者不同制造工藝。IDX 寄生抽取支持 Cadence Integrated 3D-IC 中的 iHDB 輸入,并且可以把輸出結果存入 iHDB 以便后續(xù)的 Tempus 進行時序分析。

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03靜態(tài)時序分析的集成與擴容

靜態(tài)時序分析(STA)一直是芯片簽核工程師關注的重點。Integrity 3D-IC 平臺自然是不能少了 STA 的功能集成。除了命令行和腳本的輸入,平臺的用戶界面也添加了用戶交互界面的支持,比如一直很受 Tempus 和 Innovus 使用者喜愛的 Global Timing Debug (GTD),該功能可以協(xié)助分析關鍵路徑的時序違例原因。

如下圖所示,STA 產(chǎn)生報告之后,GTD 為設計工程師顯示 Path Histogram、Path Layout、Hierarchy、Slack Calculation 和其他許多很有價值的分析報告和視圖。具體使用描述詳見 Cadence support 官網(wǎng)上的Global Timing Debug(GTD)using Tempus or Innovus, version 18.1(cadence.com)(請掃描下方二維碼登錄 Cadence Support 查看)

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芯片的復雜度可以無限增加了,設計規(guī)模自然也隨之上升。當 flatten 的全芯片分析時間過長或者內(nèi)存用量過大時,就需要考慮通過抽取簡化模型進行層次化時序分析。在 Tempus 里這一解決方案叫做邊界模型(Boundary Mode)。如下圖左所示這個模型去除了 block 內(nèi)部 reg->reg 的 path 僅保留 block 對外互聯(lián)以及相關聯(lián)的部分,包括:

所有的 input ports 的 fan-out 邏輯和 output ports 的 fan-in 邏輯

所有對保留邏輯有 SI 影響的電路

所有保留邏輯的邊負荷電路(side load)

通過對每個 die 做 Boundary Model 的抽取,整體網(wǎng)表的縮減率可以達到 90%,而 setup slack 的平均差異控制在 0.1ps,99.73% 的路徑在 2.7ps 以內(nèi)。

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04如何應對PVT分析corner的爆炸式增長

從性能的角度上來看,3D-IC 一個很強大的功能就是支持了本地的、高速的 Die 之間的同步通訊。然而這一新功能也給靜態(tài)時序簽核(STA)增加了大量的分析 corner?,F(xiàn)今的設計只有一個 Die 在做全局 STA,每條時序路徑都是在一組給定的 PVT 參數(shù)下做分析。在 3D-IC 設計中,多個 Die 是同時工作在不同的 PVT 參數(shù)下。設想當你有一條同步的時序路徑從 Bottom Die 開始出發(fā)(startpoint),經(jīng)過 Middle Die,最后抵達 Top Die(endpoint),這條 path 就會經(jīng)歷三種不同的 PVT 條件,好像我們從北半球旅行到南半球會穿越不同地理環(huán)境和氣候。

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因為 3D 設計允許每個 Die 可以有獨自的 PVT corner,這樣 STA 簽核就必須涵蓋所有的可能出現(xiàn)的組合情況。以上圖里三個 Die 的典型設計為例,如果 Die1 和 Die2 的 process corner 都是 12 個,Die3 是 6 個;三個 Die 的 Voltage corner 和 Temperature corner 都只考慮 2 個相同的,那么總共需要分析的 corner 數(shù)量就已經(jīng)達到(12x12x6)x 2 x 2 = 3456 個。

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針對這個 3D 設計中 corner 爆炸式增長的挑戰(zhàn),Tempus 開發(fā)了一個新的 Rapid Automated Inter-Die(RAID)技術,可以在分析這些 feed through paths 時巧妙地大量縮減 corner 數(shù)量,同時保證計算精度。下圖是一個非常簡化的 3 層 Die 的例子,假設每層都只有 3 個 corner(N=K=M=3),那么全組合需要分析的 corner 數(shù)量就是 27 個(N*K*M)。Feed through 的部分通過 represent delay 和 adjustment 替換,K 最大就可以 reduce 到 1,這樣在這個 case 里 corner 就減小到了 9 個,corner 的縮減率是 3X。對于中間 Die 超過 10 個 corner 的設計,reduction ratio 將會超過 10X;對于更多層堆疊的 3D 設計,縮減率就更為可觀!

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對于沒有 feed through 的一般 path 分析,corner 增長的數(shù)量不會如此龐大,但是仍然會對機器的需求量隨著設計的復雜度增加不斷攀升。Cadence 另一現(xiàn)有的強大并行分析引擎 concurrent multi-mode multi-corner(C-MMMC)就為此提供了第二個維度的解決方案。該功能通過高效復用多個 corner 的相同的 DB 數(shù)據(jù),儲存有效減輕計算量的中間數(shù)據(jù)和提高 CPU 的并行使用率,從而大幅降低了對機器和硬盤的使用需求。對于相同 delay corner 不同 constraint corner的 STA 分析,運行時間和內(nèi)存使用的增加量都只有 20% 左右,相對于串行分析 CMMMC 的 runtime reduction 通??梢赃_到 4-5X。

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05設計案例

最后讓我們看一個 5nm 的實際 3D 設計案例,該設計包含一個 logic die 有 6 個 process corner,和 2 個 SRAM 的 die 分別有 12 個 process corner。如果使用傳統(tǒng)的 STA 分析,即使是在 CMMMC 模式下完成所有 864(6*12*12)個 process corner 的組合分析也需要 8-9 天(多線程使用 32 個 CPU,@2.6GHZ 主頻)。使用 Boundary Model 技術之后時間可以極大縮短至 15 個小時;繼續(xù)使用 RAID 技術之后,簽核 corner 的個數(shù)降低至 144 個,完成相同的時序分析僅僅使用了驚人的 4 小時 27 分鐘!加上產(chǎn)生 Boundary Model 所需要的最長時間(6 小時 50 分鐘),速度提升仍然接近 40X!

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Cadence Integrity 3D-IC 平臺是業(yè)界首個全面的整體 3D-IC 設計規(guī)劃,實現(xiàn)和分析平臺。該平臺以全系統(tǒng)的視角,集成了 Cadence 公司的多個強勢分析工具和優(yōu)化引擎,對芯片的性能、功耗、散熱和面積做了全面的評估和優(yōu)化。其中寄生參數(shù)提取工具 Quantus 準確計算 3D 通孔和中階層之間的電阻電容效應;靜態(tài)時序分析工具 Tempus 極大地提高了多工藝組合 STA 分析的效率,把之前需要以周記的分析速度減少以小時計算。強大準確的算力為高帶寬高數(shù)據(jù)吞吐量的機器學習、高性能存儲設備、云端計算等 3D-IC 應用保駕護航。

如您需了解更多這部分的內(nèi)容,請點擊“閱讀原文”注冊申請我們的 Integrity 3D-IC 資料包:

- Cadence Integrity 3D-IC 平臺產(chǎn)品手冊

- Cadence 3D-IC Extraction & STA Solutions PPT 介紹

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Cadence Integrity 3D-IC 平臺提供了一個高效的解決方案,用于部署 3D 設計和分析流程,以實現(xiàn)強大的硅堆疊設計。該平臺是 Cadence 數(shù)字和簽核產(chǎn)品組合的一部分,支持 Cadence 公司的智能系統(tǒng)設計戰(zhàn)略(Intelligent System Design),旨在實現(xiàn)系統(tǒng)驅動的卓越 SoC 芯片設計。

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Cadence 在計算軟件領域擁有超過 30 年的專業(yè)經(jīng)驗,是電子系統(tǒng)設計產(chǎn)業(yè)的關鍵領導者?;诠镜闹悄芟到y(tǒng)設計戰(zhàn)略,Cadence 致力于提供軟件、硬件和 IP 產(chǎn)品,助力電子設計從概念成為現(xiàn)實。Cadence 的客戶遍布全球,皆為最具創(chuàng)新能力的企業(yè),他們向超大規(guī)模計算、5G 通訊、汽車、移動設備、航空、消費電子工業(yè)和醫(yī)療等最具活力的應用市場交付從芯片、電路板到完整系統(tǒng)的卓越電子產(chǎn)品。Cadence 已連續(xù)八年名列美國財富雜志評選的 100 家最適合工作的公司。如需了解更多信息,請訪問公司網(wǎng)站 cadence.com。

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審核編輯:湯梓紅
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原文標題:3D-IC 設計之寄生抽取和靜態(tài)時序分析

文章出處:【微信號:gh_fca7f1c2678a,微信公眾號:Cadence楷登】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。

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