0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫(xiě)文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

雙脈沖測(cè)試平臺(tái)架構(gòu)可解決客戶在功率器件常見(jiàn)的問(wèn)題

泰克科技 ? 來(lái)源:功率器件顯微鏡 ? 作者:功率器件顯微鏡 ? 2022-10-12 15:32 ? 次閱讀

雙脈沖測(cè)試

雙脈沖測(cè)試是表征功率半導(dǎo)體器件動(dòng)態(tài)特性的重要手段,適用于各類功率器件,包括MOSFET、IGBT、Diode、SiC MOSFET、GaN HEMTs。同時(shí),這項(xiàng)測(cè)試發(fā)生在器件研發(fā)、器件生產(chǎn)、系統(tǒng)應(yīng)用等各個(gè)環(huán)節(jié),測(cè)試結(jié)果有力地保證了器件的特性和質(zhì)量、功率變換器的指標(biāo)和安全,可以說(shuō)是伴隨了功率器件生命的關(guān)鍵時(shí)刻。

隨著先進(jìn)功率器件的問(wèn)世以及功率變換器設(shè)計(jì)愈發(fā)精細(xì),器件研發(fā)工程師電源工程師都越來(lái)越關(guān)注雙脈沖測(cè)試。

工欲善其事,必先利其器,擁有一套雙脈沖測(cè)試平臺(tái)是獲得正確評(píng)估結(jié)果的第一步。本文將破解雙脈沖平臺(tái)搭建的難題,快來(lái)看看吧。

雙脈沖測(cè)試平臺(tái)架構(gòu)

下圖是雙脈沖測(cè)試平臺(tái)的架構(gòu),并不復(fù)雜,主要包括:測(cè)試板、高壓電源、輔助電源、信號(hào)發(fā)生器、負(fù)載電感、示波器、電壓探頭、電流探頭。

ae695e08-49df-11ed-a3b6-dac502259ad0.jpg

1

測(cè)試板

測(cè)試板是完成雙脈沖測(cè)試的核心,一般為半橋電路,有時(shí)也會(huì)采用根據(jù)實(shí)際系統(tǒng)應(yīng)用的拓?fù)洹F渖现饕考妇€電容、驅(qū)動(dòng)電路,母線電容為測(cè)試過(guò)程提供穩(wěn)定的母線電壓和所需的電流,驅(qū)動(dòng)電路控制器件完成開(kāi)關(guān)動(dòng)作實(shí)現(xiàn)雙脈沖過(guò)程。

測(cè)試板的優(yōu)劣直接影響到評(píng)估結(jié)果的正確性。測(cè)試板需要首先需要確保在測(cè)量無(wú)誤的情況下不出現(xiàn)異常波形,比如電壓尖峰超過(guò)器件耐壓值、無(wú)法解釋的震蕩、橋臂短路等,否側(cè)這樣的測(cè)試結(jié)果是沒(méi)有價(jià)值的。對(duì)于服務(wù)于系統(tǒng)應(yīng)用器件選型的測(cè)試需求,測(cè)試板可以直接選用變換器實(shí)際的電路板,這樣的測(cè)試結(jié)果可以直接用于電路設(shè)計(jì)。隨著器件的開(kāi)關(guān)速度越來(lái)越快,對(duì)測(cè)試板的性能也提出了更高的要求,如回路電感、驅(qū)動(dòng)電路等。

2

高壓電源

高壓電源在測(cè)試開(kāi)始之前為測(cè)試板上的母線電容充電,起到設(shè)定測(cè)試電壓的作用。母線電容容值一般較大,從幾十uF到幾mF不等,這就要求高壓電源對(duì)容性負(fù)載的穩(wěn)壓能力要強(qiáng)。雙脈沖測(cè)試中,測(cè)試電壓一般不超過(guò)器件的耐壓值,故可以根據(jù)被測(cè)器件的電壓等級(jí)來(lái)確定高壓電源的電壓輸出能力。同時(shí),同一雙脈沖測(cè)試平臺(tái)往往會(huì)用于測(cè)試不同電壓等級(jí)的器件,這就要求高壓電源的輸出電壓精度需要滿足測(cè)試要求。

此外,在雙脈沖測(cè)試中,測(cè)試電流是由被充滿電的母線電容提供的,高壓電源在測(cè)試過(guò)程中并不提供能量。故高壓電源可以選擇功率較小的型號(hào),一方面可以節(jié)約成本,一方面可以降低噪聲。

高壓電源可以選擇泰克吉時(shí)利的2260B-800-2直流電源。

3

輔助電源

輔助電源的作用是為測(cè)試板上的驅(qū)動(dòng)電路供電,所需電壓一般在20V以內(nèi),所需功率一般在20W以內(nèi)。同時(shí),對(duì)于上下管都是開(kāi)關(guān)管的測(cè)試板,可以選擇雙通道輸出的輔助電源為上下管的驅(qū)動(dòng)電壓分別供電;對(duì)于三電平電路的雙脈沖測(cè)試,可以選擇三通道輸出的輔助電源為每個(gè)器件的驅(qū)動(dòng)電壓分別供電。這樣的好處是可以提高測(cè)試電路的可靠性,不會(huì)因?yàn)槟骋或?qū)動(dòng)電路故障而影響其他驅(qū)動(dòng)電路。

輔助電源可以選擇泰克吉時(shí)利的 2220 / 2230 / 2231系列直流電源。

4

信號(hào)發(fā)生器

信號(hào)發(fā)生器的功能是向測(cè)試板上的驅(qū)動(dòng)電路發(fā)出雙脈沖信號(hào),完成雙脈沖測(cè)試。由于測(cè)試所需的雙脈沖信號(hào)頻率不高,且其上升下降速度對(duì)測(cè)試的影響很小,故選擇各廠商能提供的最基礎(chǔ)的型號(hào)發(fā)生器即可。

不過(guò)需要注意的是,對(duì)雙脈沖測(cè)試平臺(tái)進(jìn)行改造后還可以進(jìn)行多脈沖測(cè)試、短路測(cè)試、雪崩測(cè)試、電源開(kāi)環(huán)測(cè)試,此時(shí)往往所需的控制信號(hào)就不止一路了。所以在搭建雙脈沖測(cè)試平臺(tái)時(shí)可以選擇雙通道輸出的信號(hào)發(fā)生器,以提高靈活度。

同時(shí),在進(jìn)行雙脈沖測(cè)試時(shí),需要不斷根據(jù)測(cè)試條件調(diào)整雙脈沖信號(hào)的脈寬和間隔,老式的信號(hào)發(fā)生器需要手動(dòng)輸入編輯波形或上位機(jī)編程來(lái)實(shí)現(xiàn),十分不方便。針對(duì)這個(gè)問(wèn)題,可以選擇泰克科技的AFG31021(單通道)或AFG31022(雙通道)信號(hào)發(fā)生器,其上搭載的雙脈沖測(cè)試app可以快捷地實(shí)現(xiàn)雙脈沖信號(hào)設(shè)置。

AFG31000系列任意波函數(shù)發(fā)生器

af65f604-49df-11ed-a3b6-dac502259ad0.png

雙脈沖測(cè)試app界面

5

示波器

示波器用于被測(cè)器件開(kāi)關(guān)過(guò)程波形的采集,至少包含驅(qū)動(dòng)波形、端電壓波形和端電流波形,故可以選擇4通道示波器。此外,又是需要同時(shí)對(duì)上下管器件進(jìn)行測(cè)試,這時(shí)就可以選擇8通道示波器,可以輕松搞定多路信號(hào)的采集。

在示波器選擇時(shí),還需要考慮其帶寬、分辨率、噪聲、采樣率等。傳統(tǒng)的器件開(kāi)關(guān)速度慢,對(duì)示波器的要求不高。但隨著越來(lái)越多先進(jìn)功率器件的出現(xiàn),其電壓電流范圍更廣、開(kāi)關(guān)速度更快,對(duì)用于雙脈沖測(cè)試的示波器提出了更高的要求。

示波器可以選擇泰克的MSO5B和MSO6B系列示波器的1GHz版本,能夠滿足高開(kāi)關(guān)速度對(duì)帶寬的要求,其具有12bit ADC可顯著提高測(cè)量精度、降低測(cè)量噪聲,特別對(duì)高壓大電流器件效果最為顯著。此外,MSO5B和MSO6B系列示波器提供4通道、6通道、8通道3種配置選擇。

泰克MSO5B系列高分辨率多通道示波器

泰克MSO6B系列高分辨率低噪聲示波器

6

電壓探頭

電壓探頭用于測(cè)量被測(cè)器件的驅(qū)動(dòng)電壓波形和端電壓波形。

10倍無(wú)源探頭:帶寬高可達(dá)1GHz、衰減倍數(shù)小,使用無(wú)源探頭能夠獲得精準(zhǔn)的驅(qū)動(dòng)電壓波形。由于其屬于無(wú)源探頭,故僅能用于測(cè)量下管器件的驅(qū)動(dòng)電壓。同時(shí)還可用于200V以下器件端電壓測(cè)量,能夠獲的最精準(zhǔn)的端電壓測(cè)量結(jié)果。在使用時(shí)同樣需要注意接地線的影響和阻抗匹配問(wèn)題,且只能用于下管測(cè)量。

泰克10X無(wú)源探頭

在使用10倍無(wú)源探頭測(cè)量驅(qū)動(dòng)電壓時(shí),需要注意接地線的影響和阻抗匹配,具體可以參考下面往期推薦。

b0ee54d0-49df-11ed-a3b6-dac502259ad0.jpg

測(cè)的離譜!SiC MOSFET驅(qū)動(dòng)電壓測(cè)試結(jié)果離譜的六大原因!

高壓?jiǎn)味颂筋^:最高測(cè)量范圍高達(dá)2500V,最高帶寬可達(dá)800MHz,能夠獲的最精準(zhǔn)的端電壓測(cè)量結(jié)果。在使用時(shí)同樣需要注意接地線的影響和阻抗匹配問(wèn)題,且只能用于下管測(cè)量。

泰克高壓?jiǎn)味颂筋^

高壓差分探頭:其為差分輸入,故可以用于上管測(cè)試,但由于其CMRR不夠高,其測(cè)量結(jié)果正確性和精度不足以用于精準(zhǔn)的器件特性分析;屬于有源探頭,輸入阻抗相比10倍無(wú)源探頭更大,當(dāng)被測(cè)器件發(fā)生損壞時(shí),對(duì)示波器來(lái)講更加安全;由于其衰減倍數(shù)較大,一般在50倍以上,導(dǎo)致其測(cè)量的驅(qū)動(dòng)電壓波形上噪聲較大、精度較低;由于其端部接線長(zhǎng)度較長(zhǎng),容易受到干擾,導(dǎo)致測(cè)量結(jié)果錯(cuò)誤。

泰克高壓差分探頭

其最高測(cè)量范圍高達(dá)6500V,差分輸入,可用于上管器件測(cè)量。與測(cè)量驅(qū)動(dòng)電壓時(shí)原因相同,測(cè)試精度較無(wú)源探頭差,帶寬不夠高。最高帶寬達(dá)200MHz,無(wú)法滿足高速器件,如SiC、GaN器件動(dòng)態(tài)特性精準(zhǔn)測(cè)試的要求。

光隔離探頭:帶寬高可達(dá)1GHz,最小衰減比僅1倍,1GHz下CMRR高達(dá)-90dB,使用光隔離探頭能夠獲得最準(zhǔn)確的驅(qū)動(dòng)電壓波形,是現(xiàn)階段測(cè)量上管驅(qū)動(dòng)電壓波形的最佳工具。

泰克光隔離探頭TIVP

b1ad4002-49df-11ed-a3b6-dac502259ad0.jpg

破解SiC、GaN柵極動(dòng)態(tài)測(cè)試難題的魔法棒

7

電流探頭

羅氏線圈:測(cè)量范圍從幾十安到幾千安無(wú)飽和問(wèn)題,只能測(cè)量交流電流,無(wú)法測(cè)量直流電流,正好可以用于測(cè)量器件開(kāi)關(guān)/反向恢復(fù)特性。羅氏線圈正好套入器件中測(cè)量電流,如分立器件的引腳、功率模塊端子、功率模塊的鍵合線,這樣的方式不會(huì)破壞主功率線路而對(duì)器件特性造成影響。但其最高帶寬僅為30MHz,無(wú)法精準(zhǔn)測(cè)量高速器件的電流。

泰克羅氏線圈

同軸電阻最大帶寬可達(dá)1GHz以上,特殊安裝方式引入功率回路的寄生電感較小,測(cè)量精度高,能夠獲得精準(zhǔn)的器件斷電流,特別對(duì)SiC、GaN器件更是不二之選。

泰克與系統(tǒng)商一同完美實(shí)現(xiàn)搭建雙脈沖平臺(tái)系統(tǒng)——DPT1000A 功率器件動(dòng)態(tài)參數(shù)測(cè)試系統(tǒng),專門用于針對(duì)三代半導(dǎo)體功率器件的動(dòng)態(tài)特性分析測(cè)試,解決客戶在功率器件動(dòng)態(tài)特性表征中常見(jiàn)的疑難問(wèn)題。

該系統(tǒng)亮相在泰克第三代半導(dǎo)體測(cè)試開(kāi)放實(shí)驗(yàn)室。該實(shí)驗(yàn)室是泰克第一個(gè)千萬(wàn)級(jí)半導(dǎo)體器件測(cè)試實(shí)驗(yàn)室,已經(jīng)開(kāi)放免費(fèi)測(cè)試名額,將由測(cè)試專家提供現(xiàn)場(chǎng)技術(shù)指導(dǎo),為您解決SiC和GaN器件在模塊的靜態(tài)及動(dòng)態(tài)參數(shù)、在應(yīng)用級(jí)別的準(zhǔn)確測(cè)試與評(píng)價(jià)難題。

審核編輯:彭靜
聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 功率器件
    +關(guān)注

    關(guān)注

    41

    文章

    1710

    瀏覽量

    90251
  • 電流探頭
    +關(guān)注

    關(guān)注

    0

    文章

    426

    瀏覽量

    13193
  • 脈沖測(cè)試
    +關(guān)注

    關(guān)注

    1

    文章

    28

    瀏覽量

    11329
收藏 人收藏

    評(píng)論

    相關(guān)推薦

    脈沖測(cè)試能反映IGBT實(shí)際運(yùn)行過(guò)程中電應(yīng)力嗎?

    通常情況下,為了測(cè)試器件的動(dòng)態(tài)特性,我們都會(huì)搭建一個(gè)通用的脈沖測(cè)試平臺(tái)。
    的頭像 發(fā)表于 04-17 09:16 ?7008次閱讀

    脈沖測(cè)試平臺(tái)架構(gòu)及搭建方案

    脈沖測(cè)試是表征功率半導(dǎo)體器件動(dòng)態(tài)特性的重要手段,適用于各類功率
    發(fā)表于 10-12 15:31 ?2546次閱讀

    DKHadoop大數(shù)據(jù)平臺(tái)架構(gòu)詳解

    了hadoop商業(yè)版的發(fā)行。這里就通過(guò)大快DKhadoop為大家詳細(xì)介紹一下hadoop大數(shù)據(jù)平臺(tái)架構(gòu)內(nèi)容。目前國(guó)內(nèi)的商業(yè)發(fā)行版hadoop除了大快DKhadoop以外還有像華為云等。雖然發(fā)行方
    發(fā)表于 10-17 15:12

    x86平臺(tái)架構(gòu)如何為用戶帶來(lái)豐富的交互式駕駛體驗(yàn)?

    本文主要講述了x86平臺(tái)架構(gòu)如何為用戶帶來(lái)豐富的交互式駕駛體驗(yàn),而這是非PC兼容型平臺(tái)難以實(shí)現(xiàn)的。
    發(fā)表于 05-14 06:45

    泰克示波器功率器件動(dòng)態(tài)參數(shù)/脈沖測(cè)試的應(yīng)用

    的動(dòng)態(tài)特性: 1、器件不同溫度的特性 2、短路特性和短路關(guān)斷 3.柵極驅(qū)動(dòng)特性 4.關(guān)斷時(shí)過(guò)電壓特性 5.二極管回復(fù)特性 6.開(kāi)關(guān)損耗測(cè)試等二、測(cè)試
    發(fā)表于 05-20 11:17

    基于Eclipse平臺(tái)架構(gòu)技術(shù)分析及基于RCP的應(yīng)用

    基于Eclipse平臺(tái)架構(gòu)技術(shù)分析及基于RCP的應(yīng)用
    發(fā)表于 10-30 16:12 ?5次下載
    基于Eclipse<b class='flag-5'>平臺(tái)架構(gòu)</b>技術(shù)分析及基于RCP的應(yīng)用

    脈沖測(cè)試到底是什么

    通過(guò)脈沖測(cè)試評(píng)估 MOSFET 的反向恢復(fù)特性我們開(kāi)設(shè)了 Si 功率器件的新篇章——“評(píng)估篇”。
    發(fā)表于 12-28 06:00 ?24次下載
    <b class='flag-5'>雙</b><b class='flag-5'>脈沖</b><b class='flag-5'>測(cè)試</b>到底是什么

    大數(shù)據(jù)平臺(tái)架構(gòu)與建設(shè)思路

    大數(shù)據(jù)平臺(tái)架構(gòu)與建設(shè)思路說(shuō)明。
    發(fā)表于 03-24 15:48 ?16次下載
    大數(shù)據(jù)<b class='flag-5'>平臺(tái)架構(gòu)</b>與建設(shè)思路

    脈沖測(cè)試是否能夠反映器件真實(shí)換流中的各種電應(yīng)力

    大家好,前段時(shí)間知乎上看到有個(gè)網(wǎng)友問(wèn):“功率變頻器應(yīng)用中,我們常用脈沖測(cè)試評(píng)估
    的頭像 發(fā)表于 04-15 09:15 ?4357次閱讀

    脈沖測(cè)試基礎(chǔ)系列:基本原理和應(yīng)用

    脈沖是分析功率開(kāi)關(guān)器件動(dòng)態(tài)特性的基礎(chǔ)實(shí)驗(yàn)方法,貫穿器件的研發(fā),應(yīng)用和驅(qū)動(dòng)保護(hù)電路的設(shè)計(jì)。合理采用
    的頭像 發(fā)表于 08-01 09:08 ?1.3w次閱讀
    <b class='flag-5'>雙</b><b class='flag-5'>脈沖</b><b class='flag-5'>測(cè)試</b>基礎(chǔ)系列:基本原理和應(yīng)用

    5分鐘帶你全面了解功率開(kāi)關(guān)器件脈沖測(cè)試

    脈沖測(cè)試(Double Pulse Test)是分析功率開(kāi)關(guān)器件動(dòng)態(tài)特性的常用測(cè)試,通過(guò)
    的頭像 發(fā)表于 11-04 14:06 ?4110次閱讀

    通過(guò)脈沖測(cè)試評(píng)估MOSFET的反向恢復(fù)特性-什么是脈沖測(cè)試?

    我們開(kāi)設(shè)了Si功率器件的新篇章——“評(píng)估篇”。“通過(guò)脈沖測(cè)試評(píng)估MOSFET的反向恢復(fù)特性
    發(fā)表于 02-10 09:41 ?2426次閱讀
    通過(guò)<b class='flag-5'>雙</b><b class='flag-5'>脈沖</b><b class='flag-5'>測(cè)試</b>評(píng)估MOSFET的反向恢復(fù)特性-什么是<b class='flag-5'>雙</b><b class='flag-5'>脈沖</b><b class='flag-5'>測(cè)試</b>?

    脈沖平臺(tái)搭建的難題如何破解

    脈沖測(cè)試是表征功率半導(dǎo)體器件動(dòng)態(tài)特性的重要手段,適用于各類功率
    的頭像 發(fā)表于 07-12 15:55 ?720次閱讀
    <b class='flag-5'>雙</b><b class='flag-5'>脈沖</b><b class='flag-5'>平臺(tái)</b>搭建的難題如何破解

    脈沖測(cè)試的基本原理?脈沖測(cè)試可以獲得器件哪些真實(shí)參數(shù)?

    獲得目標(biāo)器件的真實(shí)參數(shù)。本文中,我將詳細(xì)介紹脈沖測(cè)試的基本原理以及通過(guò)這種方法可以測(cè)量的參數(shù)。 首先,讓我們來(lái)看一下
    的頭像 發(fā)表于 02-18 09:29 ?1642次閱讀

    功率半導(dǎo)體脈沖測(cè)試方案

    寬禁帶半導(dǎo)體作為第三代半導(dǎo)體功率器件,電源處理器中充當(dāng)了越來(lái)越重要的角色。其具有能量密度高、工作頻率高、操作溫度高等先天優(yōu)勢(shì),成為各種電源或電源模塊的首選。而其中功率半導(dǎo)體上下管
    的頭像 發(fā)表于 08-06 17:30 ?496次閱讀
    <b class='flag-5'>功率</b>半導(dǎo)體<b class='flag-5'>雙</b><b class='flag-5'>脈沖</b><b class='flag-5'>測(cè)試</b>方案