讀寫Flash時要不要關中斷

關中斷，還是開中斷？這是個問題。

大家知道，在單片機運行的時候，經(jīng)常有一些數(shù)據(jù)需要保存，而且即使掉電后，這些數(shù)據(jù)也不能丟失。用一片EEPROM，如24C02可以解決，但是這會增加成本。所以，一個比較常用的辦法，是把數(shù)據(jù)存入單片機的Flash，這種方法叫IAP(In Application Programming)。

此方法雖然省錢，但用的不對也會帶來各種困擾，看看大家的討論就知道了：

我們先看一下Flash的原理，然后探討一下寫程序時，有什么需要注意的?，F(xiàn)在單片機中集成的一般是Nor Flash,這種技術是Intel在1988年推出的，它利用浮柵場效應管(Floating Gate MOSFET)存儲程序或數(shù)據(jù)。簡單來說，浮柵就像一個囚禁電子的籠子，通過在柵極加正向電壓，可以把電子捕獲到籠子里，通過加負電壓，可以把電子從籠子里全部趕走。而數(shù)據(jù)的讀取，是通過檢測柵極中有沒有存儲電子，這一過程不會導致浮柵中電子的狀態(tài)改變。

(From Technical Note by Macronix International)

這樣，我們很容易理解，在擦寫Flash的時候，不應該去讀Flash。回到開始的問題，在程序擦寫Flash期間，是不是應該把中斷關掉呢？因為我們知道中斷向量表，默認是存放在Flash中的。真不一定，還是需要具體情況具體分析。一些早期的單片機，擦寫Flash的代碼，需要拷貝到RAM里執(zhí)行，并且必須關閉所有中斷，否則會出錯。但是現(xiàn)在推出的單片機，一般都引入了Stall機制，在擦寫Flash的時候，讀Flash的操作會被阻止，擦寫完之后，才能繼續(xù)執(zhí)行。

比如STM32F030手冊中，有以下描述：

我們可以用程序觀察一下。程序里有一個1ms中斷，每進入一次中斷翻轉一次引腳，在主程序的循環(huán)中，每1S執(zhí)行一次Flash頁擦除操作?？梢钥吹讲脸鼺lash一個頁用了21.9ms。在擦除期間，1ms中斷停止響應，擦完后1ms中斷繼續(xù)執(zhí)行。

如果程序?qū)χ袛囗憫筇貏e高，比如精確計時，或者中斷需要馬上響應，可以把中斷向量表和中斷響應代碼都放到RAM中執(zhí)行，有興趣的同學可以自己試一下。

再有一種情況就是，如果單片機中有兩個以上的Flash Bank，中斷向量表在一個Bank中，那么擦寫其它Bank時，中斷響應是不受影響的。

審核編輯：劉清