星憶存儲為電子工業(yè)提供新一代的高性能、高密度、低功耗、低成本的存儲器產(chǎn)品。專注于XRAM產(chǎn)品開發(fā)設計,提供低延時,低功耗和免刷新動態(tài)隨機存儲器產(chǎn)品致力于通過創(chuàng)新型存儲技術(shù)商業(yè)化、產(chǎn)業(yè)化的過程,帶動國產(chǎn)存儲芯片的底層技術(shù)攻關(guān)和相關(guān)科研工作,從而推動國家存儲芯片設計前端產(chǎn)業(yè)變革和更進一步的發(fā)展。星憶代理商英尚微電子介紹在STM32F4開發(fā)板STM32F4驅(qū)動外部SRAM芯片XM8A51216。
STM32F407ZGT6自帶了192K字節(jié)的SRAM,對一般應用來說,已經(jīng)足夠了,不過在一些對內(nèi)存要求高的場合,STM32F4自帶的這些內(nèi)存就不夠用了。
比如跑算法或者跑GUI等,就可能不太夠用,所以STM32F4開發(fā)板板載了一顆1M字節(jié)容量的SRAM芯片,XM8A51216,滿足大內(nèi)存使用的需求。我們將使用STM32F4來驅(qū)動XM8A51216,實現(xiàn)對XM8A51216的訪問控制。
XM8A51216簡介
XM8A51216是星憶存儲科技公司生產(chǎn)的一顆16位寬512K(512*16,即1M字節(jié))容量的CMOS靜態(tài)內(nèi)存芯片。該芯片具有如下幾個特點:
?高速。具有最高訪問速度10/12ns。
?低功耗。
?TTL電平兼容。
?全靜態(tài)操作。不需要刷新和時鐘電路。
?三態(tài)輸出。
?字節(jié)控制功能。支持高/低字節(jié)控制。
XM8A51216的功能框圖如圖1所示:
圖1 XM8A51216功能框圖
圖中A0~18為地址線,總共19根地址線(即2^19=512K,1K=1024);DQ0~15為數(shù)據(jù)線,總共16根數(shù)據(jù)線。
CEn是芯片使能信號,低電平有效;OEn是輸出使能信號,低電平有效;WEn是寫使能信號,低電平有效;BLEn和BHEn分別是高字節(jié)控制和低字節(jié)控制信號;STM32F4開發(fā)板使用的是TSOP44封裝的XM8A51216芯片,該芯片直接接在STM32F4的FSMC上,XM8A51216原理圖如圖2所示:
圖2 XM8A51216原理圖
從原理圖可以看出,XM8A51216同STM32F4的連接關(guān)系:
A[0:18]接FMSC_A[0:18](不過順序錯亂了)
D[0:15]接FSMC_D[0:15]
UB接FSMC_NBL1
LB接FSMC_NBL0
OE接FSMC_OE
WE接FSMC_WE
CS接FSMC_NE3
上面的連接關(guān)系,XM8A51216的A[0:18]并不是按順序連接STM32F4的FMSC_A[0:18],不過這并不影響我們正常使用外部SRAM,因為地址具有唯一性。
所以只要地址線不和數(shù)據(jù)線混淆,就可以正常使用外部SRAM。這樣設計的好處,就是可以方便我們的PCB布線。
審核編輯:劉清
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