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一文詳解離子束工藝技術

半導體之芯 ? 來源:半導體之芯 ? 作者:半導體之芯 ? 2022-11-22 10:44 ? 次閱讀

二次離子質譜(SIMS)是一種分析方法。具有高空間分辨率和高靈敏度的工具。它使用高度聚焦的離子束(通常是氧氣或(無機樣品用銫離子)“濺射”樣品表面上選定區(qū)域的材料。

噴射出的“二次離子”通過質量。分光計,它將離子按照它們的質量/電荷比,實際上提供了化學物質分析一個很小的取樣量。

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編輯:黃飛


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原文標題:聚焦離子束工藝技術詳解(178頁PPT)

文章出處:【微信號:半導體之芯,微信公眾號:半導體之芯】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。

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    1、聚焦離子束技術(FIB) 聚焦離子束技術(Focused Ion beam,F(xiàn)IB)是利用電透鏡將離子束聚焦成非常小尺寸的
    的頭像 發(fā)表于 01-16 17:10 ?2385次閱讀

    與傳統(tǒng)濺射或熱蒸發(fā)技術相比,離子束輔助沉積有哪些優(yōu)勢?

    離子束輔助沉積 (IBAD) 是種薄膜沉積技術,可與濺射或熱蒸發(fā)工藝起使用,以獲得具有出色工藝
    的頭像 發(fā)表于 06-08 11:10 ?1819次閱讀
    與傳統(tǒng)濺射或熱蒸發(fā)<b class='flag-5'>技術</b>相比,<b class='flag-5'>離子束</b>輔助沉積有哪些優(yōu)勢?

    KRi 射頻離子源 IBSD 離子束濺射沉積應用

    上海伯東美國 KRi 考夫曼品牌 RF 射頻離子源, 無需燈絲提供高能量, 低濃度的寬離子束, 離子束轟擊濺射目標, 濺射的原子(分子)沉積在襯底上形成薄膜, IBSD
    的頭像 發(fā)表于 05-25 10:18 ?891次閱讀
    KRi 射頻<b class='flag-5'>離子</b>源 IBSD <b class='flag-5'>離子束</b>濺射沉積應用

    聚焦離子束FIBSEM在微電子技術中的應用

    博仕檢測聚焦離子束FIB-SEM測試案例
    的頭像 發(fā)表于 09-04 18:49 ?862次閱讀
    雙<b class='flag-5'>束</b>聚焦<b class='flag-5'>離子束</b>FIBSEM在微電子<b class='flag-5'>技術</b>中的應用