資料介紹
離子束注入技術(shù)概述
基本原理:離子束射到固體材料以后,受到固體材料的抵抗而速度慢慢減低下來(lái),并最終停留在固體材料中,這一現(xiàn)象就叫做離子注入。
用能量為100keV量級(jí)的離子束入射到材料中去,離子束與材料中的原子或分子將發(fā)生一系列物理的和化學(xué)的相互作用,入射離子逐漸損失能量,最后停留在材料中,并引起材料表面成分、結(jié)構(gòu)和性能發(fā)生變化,從而優(yōu)化材料表面性能,或獲得某些新的優(yōu)異性能。此項(xiàng)高新技術(shù)由于其獨(dú)特而突出的優(yōu)點(diǎn),已經(jīng)在半導(dǎo)體材料摻雜,金屬、陶瓷、高分子聚合物等的表面改性上獲得了極為廣泛的應(yīng)用,取得了巨大的經(jīng)濟(jì)效益和社會(huì)效益。?
M EVVA(Metal Vapor Vacuum Arc )源是金屬蒸汽真空弧離子源的縮稱。這是上世紀(jì)80年代中期由美國(guó)加州大學(xué)伯克利分校的布朗博士由于核物理研究的需要發(fā)明研制成功的。
其革命性在于
????????? 適用元素種類(lèi)多;蒸汽純度取決于陰極材料;省去質(zhì)量分析儀;發(fā)散束流提高加工效率;等等
????????? 本人認(rèn)為這項(xiàng)技術(shù)將會(huì)在機(jī)械行業(yè)中大展身手,會(huì)被更多的應(yīng)用到高新材料的表面改性等常規(guī)做法不合適的場(chǎng)合
離子束注入技術(shù)設(shè)備概述
離子注入機(jī):
(1)離子源,用于產(chǎn)生和引出某種元素的離子束,這是離子注入機(jī)的源頭;
(2)加速器,對(duì)離子源引出的離子束進(jìn)行加速,使其達(dá)到所需的能量;
(3)離子束的質(zhì)量分析(離子種類(lèi)的選擇);
(4)離子束的約束與控制;
(5)靶室;
(6)真空系統(tǒng)。
當(dāng)然了,如果是MEVVA的話,設(shè)備將大大簡(jiǎn)化。
離子注入技術(shù)應(yīng)用
離子注入應(yīng)用于半導(dǎo)體摻雜工藝
????????? 集成電路、功率等電氣性能
離子注入應(yīng)用于表面改性
????????? 抗腐蝕、硬度、耐磨、潤(rùn)滑、超導(dǎo)導(dǎo)線鈮線注錫
離子注入應(yīng)用于光波導(dǎo)
????????? 光纖網(wǎng)絡(luò)、光纖傳感器
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