寬帶隙增強功率轉(zhuǎn)換

能源需求正在增加

“節(jié)約能源”是我們都熟悉的口頭禪，但全球需求不會很快下降。據(jù)工業(yè)能源協(xié)會稱，到 2040 年，這一比例將從 2018 年的水平增加約 50%。樂觀地說，只有三分之二的增長來自可再生能源。一些心理體操告訴我們，這意味著來自化石燃料的實際數(shù)量保持不變。您可能認為，未來擁有更多可再生能源意味著轉(zhuǎn)換過程的效率將變得不那么重要。例如，無論您是否攔截太陽能并將其轉(zhuǎn)化為電能，太陽能都會使環(huán)境變暖，并最終加熱負載。能源損失仍然是不必要的花費，尤其是在當前可再生能源成本較高的情況下，因此石油和天然氣仍與太陽能、風能、

電源轉(zhuǎn)換：效率挑戰(zhàn)

使用諧振轉(zhuǎn)換技術(shù)的現(xiàn)代設計現(xiàn)在非常有效，以至于進一步改進基本元件特性，特別是半導體開關。理想情況是它們在“開關模式”設計中“關閉”或“打開”，只要“打開”確實是短路，在任何一種情況下都不會耗散功率。事實上，即使是幾毫歐的導通電阻也會造成重大損失，并且隨著晶體管在導通和截止狀態(tài)之間轉(zhuǎn)換，它會產(chǎn)生一些瞬態(tài)耗散。瞬態(tài)耗散水平可能會在很短的時間內(nèi)達到千瓦級。因此，保持低損耗意味著降低導通電阻并加快器件開關速度，從而縮短瞬態(tài)耗散持續(xù)時間，并獲得更低的平均值。氮化鎵 (GaN)本質(zhì)上更好，現(xiàn)在是進一步提高效率的巨大希望。

SiC 和 GaN 寬帶隙器件縮小效率差距

與硅 (Si) 相比，SiC 和GaN在原子級別上完全不同。寬帶隙是指將材料中的電子從“價帶”移動到“導帶”以供電流流動所需的能量。SiC 和 GaN 的價值大約是 Si 的兩倍，對用這些材料制造的器件的影響是巨大的。導通電阻更低，開關速度更快，工作溫度更高，管芯面積更小，特別是對于 SiC，導熱性遠好于 Si 或 GaN。這意味著作為一種組合，散發(fā)的熱量更少，剩下的熱量被有效地帶走，從而制造出更小、更高效的設備。還有一些連鎖反應：更高的效率意味著更少的外部冷卻；更快的切換允許其他系統(tǒng)組件縮小尺寸，降低成本和產(chǎn)品尺寸；驅(qū)動開關所需的功率遠低于競爭對手的 Si 器件；SiC 和 GaN 本質(zhì)上是抗輻射的 (rad-hard)。這與它們的高溫操作能力一起，使它們適用于航空航天應用。那么，有什么不喜歡的呢？

寬帶隙半導體的應用正在加速

設計人員喜歡 SiC 和 GaN，但有一些警告：由于它們是新技術(shù)，成本不可避免地會更高。這些正在減少，制造商已經(jīng)聲稱，如果將系統(tǒng)節(jié)省考慮在內(nèi)，整體生命周期成本會更低。此外，驅(qū)動設備比使用 Si 更為關鍵，在某些情況下，用戶在進行更改之前等待更多的可靠性數(shù)據(jù)來自更成熟的 Si 技術(shù)。

與此同時，SiC 和 GaN 器件制造商正在沿著進化之路穩(wěn)步前行，寬帶隙技術(shù)被認為還有一段路要走。導通電阻在降低，額定電壓在增加，新穎的封裝布置被用來最大限度地利用器件性能，并且實驗室和現(xiàn)場可靠性數(shù)據(jù)在不斷積累。即使是敏感的柵極驅(qū)動問題也可以通過與 Si MOSFET 共同封裝的 SiC 或 GaN 器件的共源共柵布置來解決，以獲得世界上最好的結(jié)果。

SiC 和 GaN 有望成為半導體開關的未來，其效率增益接近實際互連設定的理論極限。直到目標再次移動，電源工程師從帽子里拉出另一只寬帶隙兔子。

Paul Lee 是 200 多篇關于電源主題的文章和博客的作者，也是一本關于電源設計技術(shù)的書：“電源說明”。作為一名特許工程師并擁有電子學學位，Lee 曾擔任 Murata Power Solutions 的工程總監(jiān)，并管理著歐洲電源制造商協(xié)會。

審核編輯黃宇