使用DS4303偏置LDMOS射頻功率放大器

LDMOS射頻功率放大器以具有競爭力的成本提供出色的性能，從而主導了GSM和CDMA基站市場。為LDMOS放大器提供高性能的一個關鍵因素是補償柵極偏置電壓，以在整個溫度范圍內保持恒定的靜態(tài)電流。目前有幾種用于偏置LDMOS RF功率放大器的解決方案，包括達拉斯半導體的DS1870偏置控制器。本應用筆記給出了采用DS4303的替代模擬偏置方案。

DS4303 描述

DS4303（圖1）為采樣無限保持電路，接受模擬輸入電壓，并使用12位數模轉換器（DAC）在其輸出端再現該電壓。一旦在其輸出端復制了輸入電壓，它將輸出代碼保存到EEPROM，以產生非易失性模擬基準電壓。輸出電壓采用內部低溫度系數基準產生，并由軌到軌運算放大器進行緩沖。

圖1.DS4303功能框圖

DS4303 LDMOS偏置電路

圖2中的電路可用于對LDMOS的柵極電壓進行溫度補償。該電路的輸出電壓等于DS4303V的兩倍外加上新進步黨的V是.加倍的DS4303電壓為低溫度系數電壓源。新進步黨的V是將改變大約+2mV/°C，為LDMOS提供溫度補償。假設PNP與LDMOS熱耦合，該電路可以為LDMOS提供良好的溫度補償。

要校準該電路，請將預期的DS4303輸出電壓放在V上在pin，并將Adjust信號拉低，觸發(fā)DS4303更新輸出電壓。DS4303完成更新后，使用電流檢測放大器測量靜態(tài)電流，并迭代直至達到適當的偏置。DS4303的輸入在收斂時應保持靜態(tài)，以確保其達到適當的值。

圖2.DS4303 LDMOS射頻功率放大器偏置電路

DS4303電路與DS1870方案的比較

DS4303模擬方案的主要優(yōu)點是簡單、成本高。如果該電路靠近LDMOS放置，則PNP與LDMOS的熱耦合會導致柵極電壓隨溫度增加正確的量。與查找表相比，該解決方案也非常容易編程，因為您正在對單個溫度的偏置點進行編程。由于該解決方案在初始編程后完全是模擬的，因此一旦系統(tǒng)校準，查找表更新就不會產生輸出瞬變。

DS1870方案允許非常靈活的校準過程，可根據應用進行定制。它能夠針對溫度和漏極電壓偏置LDMOS柵極。這些偏置可以是非線性的，也可以是補償所需的任何線性增益。對于溫度補償，DS1870能夠實現不同的增益功能，即使其相對于LDMOS的位置不能提供出色的熱耦合，也能有效地進行補償。與其他混合信號LDMOS偏置電路不同，DS1870可由工廠編程為獨立的偏置方案。其5個ADC通道可使用I2C?兼容串行總線訪問，以在工作期間監(jiān)控系統(tǒng)，并且可以為任何監(jiān)控參數設置報警閾值，以驅動處理器的中斷輸入或關斷放大器。

審核編輯：郭婷