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標(biāo)簽 > LDMOS

LDMOS

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LDMOS(laterally-diffused metal-oxide semiconductor)是在高壓功率集成電路中常采用高壓LDMOS滿足耐高壓、實(shí)現(xiàn)功率控制等方面的要求,常用于射頻功率電路。

文章:35個(gè) 瀏覽:25135 帖子:22個(gè)

ldmos技術(shù)

LDMOS的結(jié)構(gòu)和優(yōu)點(diǎn)

LDMOS,全稱為L(zhǎng)ateral Double-diffused Metal Oxide Semiconductor(側(cè)向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體),是一...

2024-08-23 標(biāo)簽:半導(dǎo)體晶體管LDMOS 1401 0

LDMOS在ESD設(shè)計(jì)中的應(yīng)用設(shè)計(jì)思路

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LDMOS屬于功率半導(dǎo)體器件,主要應(yīng)用于高壓場(chǎng)合。而針對(duì)高壓芯片的ESD防護(hù)領(lǐng)域,可采取GGNLDMOS的設(shè)計(jì)思路。

2023-12-06 標(biāo)簽:ESD功率器件LDMOS 5969 0

功率集成電路設(shè)計(jì)之結(jié)終端技術(shù)

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通常采用半絕緣多晶硅(Semi-Insulating Polycrystalline Silicon,SIPOS),其兩端分別與器件的兩個(gè)電極相連,因?yàn)?..

2023-11-30 標(biāo)簽:集成電路MOSFET功率器件 3505 0

MAX1385/MAX1386封裝引腳圖 應(yīng)用電路圖及其特性概述

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2023-02-17 標(biāo)簽:電路圖封裝引腳圖 1459 0

使用DS4303偏置LDMOS射頻功率放大器

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LDMOS射頻功率放大器以具有競(jìng)爭(zhēng)力的成本提供出色的性能,從而主導(dǎo)了GSM和CDMA基站市場(chǎng)。

2023-01-13 標(biāo)簽:射頻功率放大器dac 2496 0

5G帶動(dòng)GaN崛起,LDMOS依然有優(yōu)勢(shì)

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高功率放大器(HPA)通常用于國(guó)防、航空航天和氣象雷達(dá)等,從早期的分立或集成RF功率晶體管開(kāi)始,一直到現(xiàn)在,已經(jīng)有好幾種有源器件半導(dǎo)體技術(shù)用于放大脈沖和...

2019-01-16 標(biāo)簽:GaNLDMOS5G 6774 0

高功率寬帶放大器應(yīng)該如何設(shè)計(jì)?如何選取合適的寬帶放大器?

高功率寬帶放大器的設(shè)計(jì)是一件非常有挑戰(zhàn)性的工作,工程師需要在多個(gè)相互對(duì)立的設(shè)計(jì)參數(shù)之間進(jìn)行折中。對(duì)于一個(gè)放大器用戶來(lái)說(shuō),不論是初始投資還是以后的運(yùn)行成本...

2018-08-18 標(biāo)簽:晶體管寬帶放大器LDMOS 1.0萬(wàn) 0

恩智浦針對(duì)蜂窩放大器的不同解決方案(二)

蜂窩放大器解決方案有許多不同的需求,例如不同的頻段和不同的功率水平。本研討會(huì)將討論恩智浦針對(duì)不同應(yīng)用的不同射頻功率解決方案,包括PA的關(guān)健考慮點(diǎn)(從客戶...

2018-06-28 標(biāo)簽:nxprfldmos 3176 0

LDMOS簡(jiǎn)介及其技術(shù)詳解

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LDMOS( Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor)橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體)是為900MHz蜂窩電...

2017-12-08 標(biāo)簽:ldmos 6.6萬(wàn) 0

一種快速有效的寬帶功率放大器匹配電路設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)

針對(duì)LDMOS寬帶功率放大器匹配電路設(shè)計(jì), 提出了一種快速、有效的方法。采用多節(jié)并聯(lián)導(dǎo)納匹配法得出寬帶匹配電路的初始值后, 利用ADS軟件對(duì)匹配網(wǎng)絡(luò)的S...

2017-11-30 標(biāo)簽:功率放大器ldmosmrf281z 9802 0

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ldmos資訊

羅徹斯特為Ampleon的ICN8系列LDMOS射頻功率晶體管延長(zhǎng)市場(chǎng)壽命

羅徹斯特電子與Ampleon合作 支持授權(quán)解決方案 Ampleon創(chuàng)辦于2015年,前身是NXP的射頻功率業(yè)務(wù)部門(mén),在射頻功率領(lǐng)域擁有50多年的領(lǐng)導(dǎo)地位...

2024-08-12 標(biāo)簽:LDMOS羅徹斯特射頻功率晶體管 691 0

江西薩瑞微獨(dú)家研發(fā)【一種LDMOS場(chǎng)效應(yīng)管及其制備方法】

江西薩瑞微獨(dú)家研發(fā)【一種LDMOS場(chǎng)效應(yīng)管及其制備方法】

一種LDMOS場(chǎng)效應(yīng)管及其制備方法本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件設(shè)計(jì)領(lǐng)域,具體涉及一種LDMOS場(chǎng)效應(yīng)管及其制備方法。在當(dāng)前半導(dǎo)體行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)日趨激烈的背景下,LDM...

2024-04-13 標(biāo)簽:LDMOS半導(dǎo)體器件 365 0

一種LDMOS場(chǎng)效應(yīng)管及其制備方法

LDMOS場(chǎng)效應(yīng)管,即橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體器件。隨著對(duì)擊穿電壓要求的提高,對(duì)LDMOS場(chǎng)效應(yīng)管中場(chǎng)板要求也高。

2024-03-06 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)管LDMOS 669 0

5G功放技術(shù)戰(zhàn)-GaN和LDMOS各擅勝場(chǎng)

來(lái)源:RF技術(shù)社區(qū) 5G的快速部署,使得在基站中大量使用的功率放大器(PA,簡(jiǎn)稱功放)芯片及其他射頻組件的需求持續(xù)增長(zhǎng),成為各家射頻公司爭(zhēng)奪的焦點(diǎn)。 在...

2022-12-01 標(biāo)簽:GaNLDMOS5G 2976 0

到2025年,整個(gè)GaN RF市場(chǎng)將從2019年的7.4億美元增長(zhǎng)到超過(guò)20億美元

到2025年,整個(gè)GaN RF市場(chǎng)將從2019年的7.4億美元增長(zhǎng)到超過(guò)20億美元

報(bào)告指出,自 20 年前首款商用產(chǎn)品問(wèn)世以來(lái),GaN 技術(shù)已成為 LDMOS 和 GaAs 在 RF PA 市場(chǎng)中的重要競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手。憑借其在 4G LTE...

2020-09-21 標(biāo)簽:GaNLDMOS5G 2524 0

GaN步步緊逼,LDMOS路在何方?

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在射頻和功率應(yīng)用中,氮化鎵(GaN)技術(shù)正在變得日益盛行。

2019-01-19 標(biāo)簽:射頻氮化鎵LDMOS 7075 0

從LDMOS轉(zhuǎn)到氮化鎵的時(shí)間窗口只有三年

“現(xiàn)在正處于從LDMOS轉(zhuǎn)到氮化鎵的時(shí)間窗口,但只有三年?!蹦苡嵃雽?dǎo)體總經(jīng)理任勉表示,在氮化鎵領(lǐng)域耕耘十二年,能訊半導(dǎo)體迎來(lái)關(guān)鍵時(shí)間節(jié)點(diǎn),抓住5G基站建...

2018-10-19 標(biāo)簽:氮化鎵LDMOS 7607 0

Ampleon為HF、VHF和ISM應(yīng)用提供LDMOS RF功率晶體管

Ampleon宣布推出全面廣泛的模壓塑料(overmoulded plastic, OMP) RF功率晶體管產(chǎn)品組合,采用眾所周知的非常穩(wěn)固LDMOS技術(shù)。

2016-01-13 標(biāo)簽:晶體管LDMOSAmpleon 2032 0

超耐用LDMOS提升功率:恩智浦發(fā)布BLF188XR

恩智浦半導(dǎo)體(NXP Semiconductors N.V.)(納斯達(dá)克代碼:NXPI)今日推出BLF188XR – 其XR系列“超耐用” LDMOS ...

2013-08-13 標(biāo)簽:LDMOS射頻功率晶體管BLF188XR 4341 0

恩智浦推出全新Gen8+ LDMOS RF功率晶體管

恩智浦半導(dǎo)體(NXP Semiconductors N.V.)(納斯達(dá)克:NXPI)近日宣布推出全新Gen8+ LDMOS RF功率晶體管,作為特別關(guān)注...

2013-06-21 標(biāo)簽:恩智浦LDMOS功率晶體管 1680 0

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    從背景上看,28nm誕生于2008年那場(chǎng)金融危機(jī)之后。受到金融海嘯的影響,當(dāng)時(shí)很多半導(dǎo)體企業(yè)都受到了影響。于是,在這之后的幾年,包括AMD在內(nèi)的很多半導(dǎo)體企都選擇將制造業(yè)務(wù)剝離以降低運(yùn)營(yíng)資金壓力,將更多的資源集中到相對(duì)投入到芯片設(shè)計(jì)當(dāng)中
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    TI是富有遠(yuǎn)見(jiàn)的企業(yè),我們是敢于開(kāi)拓的創(chuàng)新者。作為一個(gè)業(yè)務(wù)運(yùn)營(yíng)覆蓋 35 個(gè)國(guó)家的全球性半導(dǎo)體企業(yè),員工是我們的立足之本。德州儀器(TI)的員工是我們深厚的企業(yè)文化的重要體現(xiàn)。無(wú)論是1958年第一位發(fā)明集成電路的TI員工,還是如今遍布全球負(fù)責(zé)設(shè)計(jì)、制造以及銷售模擬與嵌入式處理芯片的30,000多名TI成員。 TI是一家全球性半導(dǎo)體設(shè)計(jì)與制造公司:業(yè)務(wù)覆蓋超過(guò)35個(gè)國(guó)家、服務(wù)全球各地超過(guò)10萬(wàn)家客戶、擁有85年的創(chuàng)新歷史、超過(guò)10萬(wàn)種模擬集成電路、嵌入式處理器以及軟件和工具。
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    村田公司是一家使用性能優(yōu)異電子原料,設(shè)計(jì)、制造最先進(jìn)的電子元器件及多功能高密度模塊的企業(yè)。不僅是手機(jī)、家電,汽車(chē)相關(guān)的應(yīng)用、能源管理系統(tǒng)、醫(yī)療保健器材等,都有村田公司的身影。
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    提供最新的羅姆公司產(chǎn)品,最活躍的羅姆工程師社區(qū)
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    G3-PLC
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放大器 運(yùn)算放大器 差動(dòng)放大器 電流感應(yīng)放大器 比較器 儀表放大器 可變?cè)鲆娣糯笃? 隔離放大器
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模數(shù)轉(zhuǎn)換器 數(shù)模轉(zhuǎn)換器 數(shù)字電位器 觸摸屏控制器 AFE ADC DAC 電源管理
線性穩(wěn)壓器 LDO 開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器 DC/DC 降壓轉(zhuǎn)換器 電源模塊 MOSFET IGBT
振蕩器 諧振器 濾波器 電容器 電感器 電阻器 二極管 晶體管
變送器 傳感器 解析器 編碼器 陀螺儀 加速計(jì) 溫度傳感器 壓力傳感器
電機(jī)驅(qū)動(dòng)器 步進(jìn)驅(qū)動(dòng)器 TWS BLDC 無(wú)刷直流驅(qū)動(dòng)器 濕度傳感器 光學(xué)傳感器 圖像傳感器
數(shù)字隔離器 ESD 保護(hù) 收發(fā)器 橋接器 多路復(fù)用器 氮化鎵 PFC 數(shù)字電源
開(kāi)關(guān)電源 步進(jìn)電機(jī) 無(wú)線充電 LabVIEW EMC PLC OLED 單片機(jī)
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