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標(biāo)簽 > LDMOS
LDMOS(laterally-diffused metal-oxide semiconductor)是在高壓功率集成電路中常采用高壓LDMOS滿足耐高壓、實(shí)現(xiàn)功率控制等方面的要求,常用于射頻功率電路。
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LDMOS的結(jié)構(gòu)和優(yōu)點(diǎn)
LDMOS,全稱為L(zhǎng)ateral Double-diffused Metal Oxide Semiconductor(側(cè)向雙擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體),是一...
LDMOS在ESD設(shè)計(jì)中的應(yīng)用設(shè)計(jì)思路
LDMOS屬于功率半導(dǎo)體器件,主要應(yīng)用于高壓場(chǎng)合。而針對(duì)高壓芯片的ESD防護(hù)領(lǐng)域,可采取GGNLDMOS的設(shè)計(jì)思路。
功率集成電路設(shè)計(jì)之結(jié)終端技術(shù)
通常采用半絕緣多晶硅(Semi-Insulating Polycrystalline Silicon,SIPOS),其兩端分別與器件的兩個(gè)電極相連,因?yàn)?..
MAX1385/MAX1386封裝引腳圖 應(yīng)用電路圖及其特性概述
MAX1385/MAX1386封裝引腳圖 應(yīng)用電路圖及其特性概述 MAX1385是一款高性能、低功耗的模擬放大器,可以用于各種應(yīng)用,如汽車(chē)音頻、家庭影院...
5G帶動(dòng)GaN崛起,LDMOS依然有優(yōu)勢(shì)
高功率放大器(HPA)通常用于國(guó)防、航空航天和氣象雷達(dá)等,從早期的分立或集成RF功率晶體管開(kāi)始,一直到現(xiàn)在,已經(jīng)有好幾種有源器件半導(dǎo)體技術(shù)用于放大脈沖和...
高功率寬帶放大器應(yīng)該如何設(shè)計(jì)?如何選取合適的寬帶放大器?
高功率寬帶放大器的設(shè)計(jì)是一件非常有挑戰(zhàn)性的工作,工程師需要在多個(gè)相互對(duì)立的設(shè)計(jì)參數(shù)之間進(jìn)行折中。對(duì)于一個(gè)放大器用戶來(lái)說(shuō),不論是初始投資還是以后的運(yùn)行成本...
蜂窩放大器解決方案有許多不同的需求,例如不同的頻段和不同的功率水平。本研討會(huì)將討論恩智浦針對(duì)不同應(yīng)用的不同射頻功率解決方案,包括PA的關(guān)健考慮點(diǎn)(從客戶...
LDMOS( Laterally Diffused Metal Oxide Semiconductor)橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體)是為900MHz蜂窩電...
2017-12-08 標(biāo)簽:ldmos 6.6萬(wàn) 0
一種快速有效的寬帶功率放大器匹配電路設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)
針對(duì)LDMOS寬帶功率放大器匹配電路設(shè)計(jì), 提出了一種快速、有效的方法。采用多節(jié)并聯(lián)導(dǎo)納匹配法得出寬帶匹配電路的初始值后, 利用ADS軟件對(duì)匹配網(wǎng)絡(luò)的S...
BLL9G1214L-600/BLL9G1214LS-600 LDMOS L波段雷達(dá)功率晶體管數(shù)據(jù)表立即下載
類別:IC datasheet pdf 2024-07-22 標(biāo)簽:晶體管LDMOS 67 0
BLL9G1214L-600/BLL9G1214LS-600雷達(dá)功率晶體管數(shù)據(jù)表立即下載
類別:IC datasheet pdf 2024-07-22 標(biāo)簽:雷達(dá)LDMOS功率晶體管 100 0
MRF300AN/MRF300BN射頻功率LDMOS晶體管規(guī)格書(shū)立即下載
類別:IC datasheet pdf 2023-07-28 標(biāo)簽:晶體管射頻功率LDMOS 254 0
BLM9D3842 16AM規(guī)格書(shū) 詳細(xì)參數(shù)資料立即下載
類別:IC datasheet pdf 2023-06-15 標(biāo)簽:LDMOSMMIC 217 0
羅徹斯特為Ampleon的ICN8系列LDMOS射頻功率晶體管延長(zhǎng)市場(chǎng)壽命
羅徹斯特電子與Ampleon合作 支持授權(quán)解決方案 Ampleon創(chuàng)辦于2015年,前身是NXP的射頻功率業(yè)務(wù)部門(mén),在射頻功率領(lǐng)域擁有50多年的領(lǐng)導(dǎo)地位...
江西薩瑞微獨(dú)家研發(fā)【一種LDMOS場(chǎng)效應(yīng)管及其制備方法】
一種LDMOS場(chǎng)效應(yīng)管及其制備方法本發(fā)明涉及半導(dǎo)體器件設(shè)計(jì)領(lǐng)域,具體涉及一種LDMOS場(chǎng)效應(yīng)管及其制備方法。在當(dāng)前半導(dǎo)體行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)日趨激烈的背景下,LDM...
2024-04-13 標(biāo)簽:LDMOS半導(dǎo)體器件 365 0
一種LDMOS場(chǎng)效應(yīng)管及其制備方法
LDMOS場(chǎng)效應(yīng)管,即橫向擴(kuò)散金屬氧化物半導(dǎo)體器件。隨著對(duì)擊穿電壓要求的提高,對(duì)LDMOS場(chǎng)效應(yīng)管中場(chǎng)板要求也高。
2024-03-06 標(biāo)簽:場(chǎng)效應(yīng)管LDMOS 669 0
5G功放技術(shù)戰(zhàn)-GaN和LDMOS各擅勝場(chǎng)
來(lái)源:RF技術(shù)社區(qū) 5G的快速部署,使得在基站中大量使用的功率放大器(PA,簡(jiǎn)稱功放)芯片及其他射頻組件的需求持續(xù)增長(zhǎng),成為各家射頻公司爭(zhēng)奪的焦點(diǎn)。 在...
到2025年,整個(gè)GaN RF市場(chǎng)將從2019年的7.4億美元增長(zhǎng)到超過(guò)20億美元
報(bào)告指出,自 20 年前首款商用產(chǎn)品問(wèn)世以來(lái),GaN 技術(shù)已成為 LDMOS 和 GaAs 在 RF PA 市場(chǎng)中的重要競(jìng)爭(zhēng)對(duì)手。憑借其在 4G LTE...
從LDMOS轉(zhuǎn)到氮化鎵的時(shí)間窗口只有三年
“現(xiàn)在正處于從LDMOS轉(zhuǎn)到氮化鎵的時(shí)間窗口,但只有三年?!蹦苡嵃雽?dǎo)體總經(jīng)理任勉表示,在氮化鎵領(lǐng)域耕耘十二年,能訊半導(dǎo)體迎來(lái)關(guān)鍵時(shí)間節(jié)點(diǎn),抓住5G基站建...
Ampleon為HF、VHF和ISM應(yīng)用提供LDMOS RF功率晶體管
Ampleon宣布推出全面廣泛的模壓塑料(overmoulded plastic, OMP) RF功率晶體管產(chǎn)品組合,采用眾所周知的非常穩(wěn)固LDMOS技術(shù)。
超耐用LDMOS提升功率:恩智浦發(fā)布BLF188XR
恩智浦半導(dǎo)體(NXP Semiconductors N.V.)(納斯達(dá)克代碼:NXPI)今日推出BLF188XR – 其XR系列“超耐用” LDMOS ...
恩智浦半導(dǎo)體(NXP Semiconductors N.V.)(納斯達(dá)克:NXPI)近日宣布推出全新Gen8+ LDMOS RF功率晶體管,作為特別關(guān)注...
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