Part 2
主要半導(dǎo)體設(shè)備及所用材料
01
氧化爐
設(shè)備功能:為半導(dǎo)體材料進行氧化處理,提供要求的氧化氛圍,實現(xiàn)半導(dǎo)體預(yù)期設(shè)計的氧化處理過程,是半導(dǎo)體加工過程的不可缺少的一個環(huán)節(jié)。
所用材料:硅片、氧氣、惰性氣體等。
國外主要廠商:英國Thermco公司、德國Centrothermthermal Solutions GmbH Co.KG公司等。
國內(nèi)主要廠商:七星電子、青島福潤德、中國電子科技集團第四十八所、中國電子科技集團第四十五所等。
02
PVD(物理氣相沉積)
設(shè)備功能:通過二極濺射中一個平行于靶表面的封閉磁場,和靶表面上形成的正交電磁場,把二次電子束縛在靶表面特定區(qū)域,實現(xiàn)高離子密度和高能量的電離,把靶原子或分子高速率濺射沉積在基片上形成薄膜。
所用材料:靶材、惰性氣體等。
國外主要廠商:美國應(yīng)用材料公司、美國PVD公司、美國Vaportech公司、英國Teer公司、瑞士Platit公司、德國Cemecon公司等。
國內(nèi)主要廠商:北方微電子、北京儀器廠、沈陽中科儀器、中國電子科技集團第四十八所、科睿設(shè)備有限公司等。
03
PECVD
設(shè)備功能:在沉積室利用輝光放電,使反應(yīng)氣體電離后在襯底上進行化學(xué)反應(yīng),沉積半導(dǎo)體薄膜材料。
所用材料:特種氣體(前驅(qū)物、惰性氣體等)。
國外主要廠商:美國Proto Flex公司、日本Tokki公司、日本島津公司、美國泛林半導(dǎo)體(Lam Research)公司、荷蘭ASM國際公司等。
國內(nèi)主要廠商:北方微電子、中國電子科技集團第四十五所、北京儀器廠等。
04
MOCVD
設(shè)備功能:以熱分解反應(yīng)方式在襯底上進行氣相外延,生長各種Ⅲ-V族、Ⅱ-Ⅵ族化合物半導(dǎo)體以及它們的多元固溶體的薄層單晶材料。
所用材料:特種氣體(MO源、惰性氣體等)。
國外主要廠商:德國Aixtron愛思強公司、美國Veeco公司等。
國內(nèi)主要廠商:中微半導(dǎo)體、中晟光電、理想能源設(shè)備等。
05
***
設(shè)備功能:將掩膜版上的圖形轉(zhuǎn)移到涂有光刻膠的襯底(硅片)上,致使光刻發(fā)生反應(yīng),為下一步加工(刻蝕或離子注入)做準(zhǔn)備。
所需材料:光刻膠等
國外主要公司:荷蘭阿斯麥(ASML)公司、日本尼康公司、日本Canon公司、美國ABM公司、德國SUSS公司、美國Ultratech公司、奧地利EVG公司等。
國內(nèi)主要公司:上海微電裝備(SMEE)、中國電子科技集團第四十八所、中國電子科技集團第四十五所、成都光機所等。
06
涂膠顯影機
設(shè)備功能:與***聯(lián)合作業(yè),首先將光刻膠均勻地涂到晶圓上,滿足***的工作要求;然后,處理***曝光后的晶圓,將曝光后的光刻膠中與紫外光發(fā)生化學(xué)反應(yīng)的部分除去或保留下來。
所用材料:光刻膠、顯影液等。
國外主要廠商:日本TEL、德國SUSS、奧地利EVG等。
國內(nèi)主要廠商:沈陽芯源等。
07
檢測設(shè)備
檢測設(shè)備包括CDSEM、OVL、AOI、膜厚等。
設(shè)備功能:通過表征半導(dǎo)體加工中的形貌與結(jié)構(gòu)、檢測缺陷,以達到監(jiān)控半導(dǎo)體加工過程,提高生產(chǎn)良率的目的。
所用材料:特種氣體等。
國外主要廠商:美國的KLA-Tencor、美國應(yīng)用材料、日本Hitachi、美國Rudolph公司、以色列Camtek公司等。
國內(nèi)主要公司:上海睿勵科學(xué)儀器等。
審核編輯 :李倩
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原文標(biāo)題:半導(dǎo)體制造工藝中的主要設(shè)備及材料【二】
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