MCU芯片的Memory Bist設計實戰(zhàn)(一）

SRAM的MBIST測試結構如下：

SRAM的MBIST測試波形：

SRAM BIST電路完成插入后，需要做一個formal check，保證Mbist插入后，logic function不發(fā)生錯誤改變。Formal check需要注意常量設置，具體參見知識星球的詳細解釋。

此處分享2個經典問題：

定位1：

通過trace TDO信號，一直追蹤到SRAM的Q端，發(fā)現Q端數據輸出是X態(tài)，通過分析發(fā)現本質上還是時鐘問題，什么問題呢？

就是SRAM MBIST_CLK延時下來剛好和SRAM測試地址TADDR的跳變完全對齊了，造成了SRAM的memory model的建立/保持時間違例，SRAM model在timing違例情況下Q端輸出為X態(tài)。下文具體內容請移步知識星球查看。

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審核編輯 ：李倩