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DC/DC評估篇損耗探討-封裝選型時的熱計算示例(1)

hxjq ? 來源:hxjq ? 作者:hxjq ? 2023-02-23 10:40 ? 次閱讀

在此前的文章中介紹了損耗的發(fā)生部位以及通過計算求出相應(yīng)損耗的方法。從本文開始,將介紹根據(jù)求得的損耗進行熱計算,并判斷在實際使用條件下是否在最大額定值范圍內(nèi)及其對應(yīng)方法等。原本之所以求損耗(效率),是為了確認最終IC芯片晶體管芯片的結(jié)溫Tj未超出最大額定值,并確認電源電路在要求條件下準確且安全地工作。

封裝選型時的熱計算示例 1

使用在“電源IC的功率損耗計算示例”中計算得到的結(jié)果。為方便起見,下面給出計算損耗時的條件和損耗的計算結(jié)果。

電源IC的功率損耗總和

pYYBAGPzDrCADhtkAAAcWz9q6vQ835.gif

如右表所示,輸出電流IO為2A。工作環(huán)境溫度Ta為最高85℃。在這樣的條件下,電源IC的封裝考慮采用HTSOP-8封裝。HTSOP-8是標準的表面貼裝型SO封裝,是背面露出金屬板的封裝類型。

poYBAGPzDrKALKcSAAAT45Dx7dQ833.jpg

pYYBAGPzDrWAKQIIAAAyYqsFoUE338.gif

熱計算說到底是求IC芯片的結(jié)溫Tj。在IC的技術(shù)規(guī)格書中,多會提供容許損耗曲線圖,容許損耗最終也會歸結(jié)到Tj。下面是Tj的計算公式。不難看出這個公式并非特殊的公式,而是普遍的用來表示Tj的公式。

Tj=Ta+θja×P

Ta:環(huán)境(周圍)溫度 ℃,θja:接合部-環(huán)境間熱阻 ℃/W,P:消耗(損耗)功率 W

熱阻值是計算所需的信息。多數(shù)情況下會在IC的技術(shù)規(guī)格書的條件中有提供。下表是從技術(shù)規(guī)格書中摘錄的。此外,這里還提供了這些條件下的容許損耗曲線圖。

pYYBAGPzDreAIMBXAAB8rVRoatw531.gif

從所提供的內(nèi)容可以看出,熱阻θja因安裝PCB板的層數(shù)而異。本文中的假設(shè)前提為1層PCB,因此使用“條件①”來計算。

Tj=Ta+θja×P?85℃+189.4℃/W×1.008W=275.9℃

Tjmax為150℃,因此從計算結(jié)果看嚴重不符合。先在公式中試著代入數(shù)值進行了計算,在列舉條件過程中就可以看出其結(jié)果。在容許損耗曲線圖中,一個損耗1.008W的線已經(jīng)超出了①條件下的容許范圍。另外,Ta=85℃的線與①的交點,表示①的條件下的容許功率,可以一目了然地看出,1.008W已經(jīng)遠遠超過這個范圍。進一步講,當知道θja為189.4℃/W時,損耗1.008W的話僅發(fā)熱量就能超過Tjmax的150℃限值,這種條件下是無法實際使用的,這在計算前就已經(jīng)看出來了。

不過,通過該計算可以明白“將什么、做到怎樣的程度、如何做比較好”,因此還是有必要計算的。

很顯然,為了完成滿足要求規(guī)格的設(shè)計,必須采取散熱對策,所以下一篇文章中將介紹對策示例。

審核編輯:湯梓紅

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