Qorvo? 發(fā)布 TOLL 封裝的高功率 5.4mΩ 750V SiC FETs

全球領(lǐng)先的連接和電源解決方案供應(yīng)商 Qorvo 將展示一種全新的表面貼裝 TO- 無(wú)引線（TOLL）封裝技術(shù)，用于其高性能 5.4（mΩ）750V SiC FETs。這是 TOLL 封裝中發(fā)布的 750V SiC FETs 產(chǎn)品系列中的首發(fā)產(chǎn)品，其導(dǎo)通電阻范圍從 5.4 mΩ 到 60 mΩ。這些器件非常適用于受空間限制的應(yīng)用場(chǎng)景，如從幾百瓦到千萬(wàn)瓦的交流 / 直流電源以及高達(dá) 100A 的固態(tài)繼電器和斷路器。

在600/750V功率FETs類別中，Qorvo Gen 4 SiC FETs在導(dǎo)通電阻和輸出電容的主要品質(zhì)方面的性能堪稱無(wú)與倫比。此外，在TOLL封裝中，這些器件具有5.4 mΩ的導(dǎo)通電阻，比目前市場(chǎng)同類產(chǎn)品中最佳的Si MOSFETs、SiC MOSFETs和GaN晶體管還要低上4-10倍。SiC FETs的750V額定電壓也比其它的一些替代技術(shù)高100-150伏，為管理電壓瞬變提供了顯著增強(qiáng)的設(shè)計(jì)余量。

Qorvo電源器件事業(yè)部首席工程師Anup Bhalla表示：“在TOLL封裝中推出我們的5.4 mΩ Gen4 SiC FET旨在為行業(yè)提供最佳性能器件以及多種器件選擇，為此我們已邁出重要的一步，尤其對(duì)于從事工業(yè)應(yīng)用的客戶，他們需要這種靈活性和提升成本效益的電源設(shè)計(jì)組合。”

TOLL封裝的尺寸相比D2PAK表面貼裝器件減少30％，高度為2.3毫米，相當(dāng)于同類產(chǎn)品的一半。盡管尺寸縮小，但先進(jìn)的制造技術(shù)實(shí)現(xiàn)了從結(jié)到殼的行業(yè)領(lǐng)先的0.1°C/W熱阻。直流電流額定值為120A，最高可達(dá)144°C，脈沖電流額定值為588A，最高可達(dá)0.5毫秒。結(jié)合極低的導(dǎo)通電阻和出色的瞬態(tài)熱行為，產(chǎn)生了比相同封裝中的Si MOSFET好8倍的'I2t'評(píng)級(jí)，這將有助于提高魯棒性和免疫性，同時(shí)也簡(jiǎn)化了設(shè)計(jì)。TOLL封裝 還提供了Kevin源連接以實(shí)現(xiàn)可靠的高速轉(zhuǎn)換。

這些第四代SiC FET利用Qorvo獨(dú)特的串聯(lián)電路結(jié)構(gòu)，將SiC JFET與Si MOSFET共同封裝 在一起，實(shí)現(xiàn)寬禁帶開關(guān)技術(shù)的全部效率和Sic MOSFET簡(jiǎn)化門級(jí)驅(qū)動(dòng)。

現(xiàn)在可使用Qorvo免費(fèi)在線工具計(jì)算TOLL封裝的Gen4 5.4 mΩSiC FET，該計(jì)算器可以立即評(píng)估各種交流/直流和隔離/非隔離的DC/DC轉(zhuǎn)換器拓?fù)?/span>連接的效率、元器件損耗和結(jié)溫上升?？蓪蝹€(gè)和并聯(lián)的器件在用戶指定的散熱條件下進(jìn)行對(duì)比，以獲取最佳解決方案。

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