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中國 北京，2024 年 6 月 12 日——全球領(lǐng)先的連接和電源解決方案供應(yīng)商 Qorvo?（納斯達(dá)克代碼：QRVO）今日宣布，率先在業(yè)界推出采用 TOLL 封裝的 4mΩ 碳化硅（SiC）結(jié)型場效應(yīng)晶體管（JFET）——UJ4N075004L8S。該產(chǎn)品專為包括固態(tài)斷路器在內(nèi)的電路保護(hù)應(yīng)用而設(shè)計，UJ4N075004L8S 所具有的低電阻、卓越的熱性能、小巧的尺寸和高可靠性等優(yōu)點在上述應(yīng)用中至關(guān)重要。
UJ4N075004L8S 的導(dǎo)通電阻 RDS(on) 低至 4mΩ，是業(yè)內(nèi)采用標(biāo)準(zhǔn)分立封裝的 650V 至 750V 等級功率器件中導(dǎo)通電阻最低的器件。較低的導(dǎo)通電阻使發(fā)熱量顯著降低，加之緊湊的 TOLL 封裝，使解決方案的尺寸比 TO-263 封裝的同類產(chǎn)品小 40%。新品可應(yīng)對目前電磁式斷路器對有限空間尺寸的所有要求，且無需復(fù)雜的冷卻系統(tǒng)即可運行，加速從電磁式斷路器向基于半導(dǎo)體的固態(tài)斷路器（SSCB）的轉(zhuǎn)型。
“隨著 UJ4N075004L8S 的推出，Qorvo 將繼續(xù)領(lǐng)導(dǎo) SiC 電源產(chǎn)品的創(chuàng)新，以超小型元件封裝的超低導(dǎo)通電阻 FET 器件助力電路保護(hù)等應(yīng)用的發(fā)展?！盦orvo SiC 電源產(chǎn)品業(yè)務(wù)產(chǎn)品線市場總監(jiān) Ramanan Natarajan 表示，“SSCB 市場正迅速增長，Qorvo 的最新產(chǎn)品是這一技術(shù)演進(jìn)中的重要里程碑?！?br />
Qorvo 的 JFET 器件堅固耐用，能夠在電路故障時承受極高的浪涌電流并實現(xiàn)關(guān)斷，非常適合應(yīng)對電路保護(hù)領(lǐng)域的挑戰(zhàn)。其最新款 JFET 還能承受高瞬時結(jié)溫而不發(fā)生性能劣化或參數(shù)漂移。JFET 的常開特性使其能無縫集成到默認(rèn)導(dǎo)通狀態(tài)的系統(tǒng)中，并在故障條件下轉(zhuǎn)為關(guān)斷狀態(tài)。
UJ4N075004L8S 現(xiàn)已提供樣品，并將于 2024 年第四季度投入量產(chǎn)；屆時，Qorvo 還將推出更多 JFET 產(chǎn)品，包括額定電壓為 750V 的 5mΩ 產(chǎn)品和額定電壓 1200V 的 8mΩ 產(chǎn)品，均采用 TO-247 封裝。獲取有關(guān)這一變革性電源技術(shù)的更多詳情及詳細(xì)產(chǎn)品規(guī)格，請訪問 Qorvo 電源解決方案網(wǎng)站。
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Qorvo? 推出采用 TOLL 封裝的 750V 4mΩ SiC JFET，推動斷路器技術(shù)的革命性變革
- Qorvo(77100)
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2018-10-25 16:14:41
真空斷路器
最新大綱及高壓電工考試真題匯總，有助于高壓電工理論考試考前練習(xí)。1、【判斷題】 按高壓斷路器的滅弧原理或滅弧介質(zhì)分類可分為油斷路器、真空斷路器、六氟化硫(SF6)斷路器等。（√）2、【判斷題】 以煤、石油、天然氣等作為燃料,燃料燃燒時的化學(xué)能轉(zhuǎn)換為熱能,然后借助汽輪機(jī)等熱力機(jī)械將熱能變?yōu)闄C(jī)械能...
2021-09-16 06:11:17
西門子斷路器怎么保養(yǎng)？
3VU13, 3VU16 斷路器是額定電流最大至63A 的緊湊型斷路器。根據(jù)限流原理進(jìn)行工作?？捎糜陔姍C(jī)或其它負(fù)荷的起動，斷開及過載和短路保護(hù)；3VU13 和3VU16 還可用作電動機(jī)斷相保護(hù)。用于電機(jī)或設(shè)備保護(hù)時，上述斷路器都配備過電流瞬時脫扣器和反時限延時過載脫扣器。
2019-10-17 09:10:17
高壓斷路器不能合閘怎么處理
高壓斷路器是電力系統(tǒng)的重要部件，工程師通過對高壓斷路器不能合閘案例進(jìn)行故障診斷分析，分享高壓斷路器不能合閘故障處理方法和經(jīng)驗，對電氣從業(yè)者提升處理高壓斷路器故障技能大有幫助。
2021-03-03 07:36:21
高壓斷路器動作時間的測量方法
，也就是各相動靜觸頭接觸或分離的先后次序，用直尺量各相的行程差，以此來大概估算三相動作的同步差。 (2)對于快速斷路器，應(yīng)采用示波器錄波或數(shù)字式毫秒表測量同步差，可得到準(zhǔn)確結(jié)果。測量接線圖如圖1-4
2020-09-11 23:00:57
高壓斷路器的分類
),優(yōu)點是結(jié)構(gòu)簡單，工藝要求低，使用性能可靠，氣候適應(yīng)性強，我國目前除生產(chǎn)35kV電壓級外，其它各級多已停止生產(chǎn)。少油斷路器中油主要作為滅弧介質(zhì)，僅在分閘位置時作為觸頭間的絕緣介質(zhì)，因此油的用量比多
2017-05-10 10:13:31
高壓斷路器的試驗項目及方法
1.2.1.1 此項目周期不超過3年。 1.2.1.2 確認(rèn)斷路器處于斷開位置。 1.2.1.3 采用抗干擾型2500V絕緣電阻測試儀，分別測量A相兩個斷口并聯(lián)的電容器的絕緣電阻。一般不低于5000MΩ，同時
2020-09-03 20:19:32
高壓斷路器自行合閘故障怎么處理？
高壓斷路器自行合閘也是高壓配電系統(tǒng)廠家故障現(xiàn)象，工程師在本文列舉2個高壓斷路器自行合閘故障處理案例，供電氣從業(yè)者參考使用。
2021-02-25 08:30:14
高壓真空斷路器的安裝調(diào)整
斷路器各項技術(shù)性能的重要組成部分。對于各組成部分的正常維護(hù)，以達(dá)到真空斷路器滿意的使用效果是非常必要的。 一、真空斷路器的安裝要求 真空斷路器在制造廠未作出承諾時，使用現(xiàn)場進(jìn)行常規(guī)的例行
2009-08-31 15:13:50
Qorvo / UnitedSiC UJ4C/SC 750V Gen 4 SiC FET
Qorvo / UnitedSiC UJ4C/SC 750V Gen 4 SiC FETUnitedSiC/Qorvo UJ4C/SC 750V Gen 4 SiC是一款高性能系列產(chǎn)品，提供業(yè)界最佳
2024-02-26 19:40:31
低壓斷路器如何分類_低壓斷路器功能介紹
本文開始介紹了低壓斷路器的概念和低壓斷路器的主要技術(shù)參數(shù)，其次闡述了低壓斷路器如何分類及低壓斷路器工作原理，最后介紹了低壓斷路器功能和低壓斷路器的選擇及使用注意事項。
2018-03-22 13:43:0920984
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少油斷路器中油的作用_少油斷路器滅弧方式
少油斷路器是指利用變壓器油或?qū)Ｓ?b class="flag-6" style="color: red">斷路器油作為觸頭間的絕緣和滅弧介質(zhì)，而對地絕緣采用固體絕緣件的斷路器。少油斷路器的變壓器油的作用和滅弧室類型與多油斷路器的基本相同，但用油量比多油斷路器少很多。
2019-12-06 14:11:0311518
11518少油斷路器的結(jié)構(gòu)_少油斷路器的特點
按安裝地點的不同，少油斷路器可分為戶內(nèi)式與戶外式兩種。我國生產(chǎn)的20kV及以下的少油斷路器為戶內(nèi)式，35kV及以上的則多為戶外式．35kV的少油斷路器有時也采用戶內(nèi)式。在我國少油斷路器仍有應(yīng)用，但有被其他類型斷路器取代的趨勢。
2019-12-06 14:39:0820910
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塑殼斷路器和微型斷路器的區(qū)別
提到微型斷路器和塑殼斷路器這兩個概念，我想很多人就得頭大了。其實，在我們的日常生活中，微型斷路器和塑殼斷路器還是很常見的，只是我們僅僅專注于如何使用、操作它，而并非真正地區(qū)了解過微型斷路器
2019-12-18 14:31:2215209
15209照明回路需要采用漏電斷路器嗎
在我們?nèi)粘Ｉ钪兴吹降碾娤?，照明回路一般都是?b class="flag-6" style="color: red">采用漏電斷路器的，插座回路基本上都采用漏電斷路器，也就是你所說的“漏?！?。
2020-02-12 18:41:1314945
14945安森美推出采用TOLL封裝的SiC MOSFET
領(lǐng)先于智能電源和智能感知技術(shù)的安森美(onsemi，美國納斯達(dá)克股票代號：ON)，在PCIM Europe展會發(fā)布全球首款To-Leadless(TOLL)封裝的碳化硅(SiC)MOSFET
2022-05-11 11:29:332398
2398UnitedSiC 750V第4代SiC FET的性能解析
UnitedSiC（現(xiàn)為Qorvo）擴(kuò)展了其突破性的第4代 SiC FET產(chǎn)品組合, 通過采用TO-247-4引腳封裝的750V/6mOhm SiC FET和采用D2PAK-7L表面貼裝封裝
2022-08-01 12:14:081220
1220碳化硅 (SiC) FET 推動電力電子技術(shù)發(fā)展
斷路器和限流應(yīng)用。例如，如果您用 1 mA 電流偏置 JFET 的柵極，并監(jiān)控柵極電壓 Vgs，請參見圖 1，您可以跟蹤器件的溫度，因為 Vgs 隨溫度線性下降。此屬性對于需要功率 FET (SiC
2022-08-05 10:31:17863
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貿(mào)澤開售采用D2PAK-7L 封裝的工業(yè)用 UnitedSiC 750V UJ4C/SC SiC FET
表面貼裝封裝的UnitedSiC（現(xiàn)已被?Qorvo?收購）UJ4C/SC FET。UJ4C/SC系列器件是750 V碳化硅場效應(yīng)晶體管 (SiC FET)，借助D2PAK-7L封裝選項提供低開關(guān)損耗
2022-09-23 16:44:35651
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什么是低壓斷路器？低壓斷路器包括哪幾種？
低壓斷路器是指，在AC600V以下、DC750V以下的低壓電路中，主要用于保護(hù)配線和設(shè)備的斷路器總稱。
2023-03-08 15:11:006288
6288Qorvo? 發(fā)布 TOLL 封裝的高功率 5.4mΩ 750V SiC FETs
來源：Qorvo 近日，全球領(lǐng)先的連接和電源解決方案供應(yīng)商 Qorvo? 宣布，將展示一種全新的無引線表面貼裝 (TOLL) 封裝技術(shù)，其高性能具體表現(xiàn)在：750V SiC FET 擁有全球最低
2023-03-22 16:13:20694
694Qorvo? 發(fā)布 TOLL 封裝的高功率 5.4mΩ 750V SiC FETs
全球領(lǐng)先的連接和電源解決方案供應(yīng)商 Qorvo 將展示一種全新的表面貼裝 TO- 無引線（TOLL）封裝技術(shù)，用于其高性能 5.4（mΩ）750V SiC FETs。這是 TOLL 封裝中發(fā)
2023-04-11 15:55:09575
575英飛凌推出120-200A 750V EDT2工業(yè)級分立IGBT
英飛凌推出采用TO-247PLUS SMD封裝的EDT2工業(yè)級分立IGBT，采用750V EDT2 IGBT技術(shù)，具有最低的導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗，這可以使電動商用車的電池電壓達(dá)到450Vdc
2023-05-19 12:42:27548
548使用SiC FET替代機(jī)械斷路器的固態(tài)解決方案
機(jī)械斷路器損耗小，但速度很慢，且容易磨損。本博文概述如何通過采用 SiC FET 的固態(tài)解決方案解決這些問題，并且損耗也會持續(xù)降低。
2023-06-12 09:10:02488
488
固封式高壓真空斷路器與普通高壓真空斷路器有何區(qū)別
的固封極柱式斷路器的一種簡稱。固封斷路器也是真空斷路器，與普通的真空斷路器相比只不過是封裝的材質(zhì)有所差別。然而，涉及到更深一層的技術(shù)問題時固封斷路器與普通的真空斷路器
2022-07-18 09:39:473074
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第4代碳化硅場效應(yīng)晶體管的應(yīng)用
Qorvo （UnitedSiC） 近宣布推出采用新型表面貼裝 TOLL 封裝的 750V/5.4mΩ SiC FET，擴(kuò)大了公司的性能地位，并擴(kuò)大了其突破性的第 4 代 SiC FET 產(chǎn)品組合
2023-08-07 14:47:17437
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以更小封裝實現(xiàn)更大開關(guān)功率，Qorvo SiC FET如何做到的？
鎵（GaN）等寬帶隙材料的器件技術(shù)無疑已經(jīng)做到了這一點。 與傳統(tǒng)硅基產(chǎn)品相比，這些寬帶隙技術(shù)材料在提升功率轉(zhuǎn)換效率和縮減尺寸方面都有了質(zhì)的飛躍。 憑借S iC在縮減尺寸方面的全新能力，Qorvo的SiC FET技術(shù)用于采用TO-Leadless（TOLL）封裝的750V器件開發(fā)，并擴(kuò)大了其領(lǐng)先優(yōu)勢。
2023-08-29 18:10:01300
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至信微發(fā)布1200V/7mΩ、750V/5mΩ SiC芯片
深圳市至信微電子有限公司（簡稱：至信微）在深圳威尼斯英迪格酒店成功舉辦了2024新品發(fā)布暨代理商大會。此次大會上，至信微發(fā)布了一系列行業(yè)領(lǐng)先的SiC芯片，其中包括1200V/7mΩ和750V/5mΩ兩款產(chǎn)品。
2024-01-16 15:45:17479
479Qorvo借助SiC FET獨特優(yōu)勢，穩(wěn)固行業(yè)領(lǐng)先地位
在產(chǎn)品研發(fā)方面，2023年，Qorvo宣布采用具備業(yè)界最低RDS(on)（5.4mΩ）的TOLL封裝750V FET，這是任何其它功率半導(dǎo)體技術(shù)（如硅基MOSFET、SiC MOSFET、GaN FET）均無法超越的。
2024-02-21 14:40:52167
167仁懋TOLL封裝技術(shù)：BMS保護(hù)板的新寵
MOT在當(dāng)今日新月異的電子科技領(lǐng)域，高效、可靠、穩(wěn)定的電子元器件顯得尤為重要。而仁懋，作為一家專業(yè)做MOS的智能制造公司，憑借其創(chuàng)新的TOLL封裝技術(shù)，為BMS保護(hù)板領(lǐng)域帶來了革命性的突破。ONE.
2024-05-15 08:36:45213
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Qorvo?推出采用TOLL封裝的750V4mΩSiC JFET
中國 北京，2024 年 6 月 12 日——全球領(lǐng)先的連接和電源解決方案供應(yīng)商 Qorvo?（納斯達(dá)克代碼：QRVO）今日宣布，率先在業(yè)界推出采用 TOLL 封裝的 4mΩ 碳化硅（SiC
2024-06-12 14:04:44102
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工商網(wǎng)監(jiān)
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