(SiC) 場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (FET) 系列，該系列具有出色的導(dǎo)通電阻特性。全新 UF4C/SC 系列 1200V 第四代 SiC FET 非常適用于主流的 800V 總線架構(gòu)，這種架構(gòu)常見于電動(dòng)汽車
2022-05-17 11:55:24
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車載充電器、工業(yè)電池充電器、工業(yè)電源、DC-DC太陽能逆變器等應(yīng)用。 ? 貿(mào)澤電子分銷的UF4C/SC?SiC FET為設(shè)計(jì)人員提供了多種導(dǎo)通電阻和封裝
2022-06-09 16:44:431659 
SiC FET由UnitedSiC率先制造，現(xiàn)已推出第四代產(chǎn)品。第四代產(chǎn)品改進(jìn)了單元密度以降低單位面積的導(dǎo)通電阻（RDS.A），運(yùn)用銀燒結(jié)粘接和晶圓減薄技術(shù)改進(jìn)了熱設(shè)計(jì)，從而盡量減小了到基片的熱阻。
2021-05-19 07:06:003205 
UnitedSiC布將推出四種新型SiC FET，其RDS（ON）值可低至7mΩ，并可提供前所未有的性能和高效率，適用于電動(dòng)汽車（EV）逆變器、高功率DC/DC轉(zhuǎn)換器、大電流電池充電器和固態(tài)斷路器等高功率應(yīng)用。
2019-12-10 13:45:241799 UnitedSiC的第4代SiC FET采用了“共源共柵”拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，其內(nèi)部集成了一個(gè)SiC JFET并將之與一個(gè)硅MOSFET封裝在一起。
2021-09-14 14:47:19612 
D2PAK-7L 封裝中實(shí)現(xiàn)業(yè)界卓越的 9mΩ 導(dǎo)通電阻 RDS(on)。此款 750V SiC FET 作為 Qorvo 全新引腳兼容 SiC FET 系列的首款產(chǎn)品，導(dǎo)通電阻值最高可達(dá) 60m
2024-01-31 15:19:34487 
40 A 650V IGBT，它與IGBT相同額定電流的二極管組合封裝到表面貼裝TO-263-3（亦稱D2PAK）封裝中。全新D2PAK封裝TRENCHSTOP 5 IGBT可滿足電源設(shè)備對(duì)功率密度
2018-10-23 16:21:49
產(chǎn)品系列包括以下SiC MOSFET：1200V 80/120 /160mΩ和1700V750mΩ，均采用TO247-3L封裝。其他器件很快將在同一封裝中投入生產(chǎn)，加上類似器件將采用TO247-4L
2019-07-30 15:15:17
和1200VSiC二極管系列涵蓋2A至40A的額定電流，包括工業(yè)專用以及汽車認(rèn)證的AEC-Q101器件，它們采用表面貼裝的DPAKHV（高壓）和D2PAK或通孔TO-220AC和TO-247LL（長(zhǎng)引線）封裝
2020-06-30 16:26:30
系列傳感器為設(shè)計(jì)工程師提供了適用于工業(yè)機(jī)器視覺應(yīng)用的2D和3D解決方案，如移動(dòng)面部識(shí)別、智能家居和家電、QR掃描器、AR/VR、無人機(jī)、智能可穿戴設(shè)備、結(jié)構(gòu)化光視覺等。貿(mào)澤電子備貨的Mira220
2023-02-28 09:31:06
相位噪聲超低的Analog Devices ADF5610寬帶頻率合成器正式開售
2020-12-18 07:15:16
`描述此設(shè)計(jì)采用帶 SiC-FET 的低成本初級(jí)側(cè)調(diào)整 (PSR) IC UCC28700，適用于 300VDC-800VDC 的輸入范圍。產(chǎn)生分別接地的四路輸出：25V/19W、25V/17W
2015-04-28 17:08:04
描述 此設(shè)計(jì)采用帶 SiC-FET 的低成本初級(jí)側(cè)調(diào)整 (PSR) IC UCC28700，適用于 300VDC-800VDC 的輸入范圍。產(chǎn)生分別接地的四路輸出：25V/19W、25V/17W
2022-09-27 06:03:07
。與此同時(shí)，SiC模塊也已開發(fā)出采用第3代SiC-MOSFET的版本?！癇SM180D12P3C007”就是通過采用第3代SiC-MOSFET而促進(jìn)實(shí)現(xiàn)更低導(dǎo)通電阻和更大電流的、1200V/180A、Ron
2018-12-04 10:11:50
我用的是貿(mào)澤上的AD library loaderAD 是18版本的，但是用它加載從貿(mào)澤上下的封裝時(shí)，時(shí)好時(shí)壞，壞占大多數(shù)根本沒辦法正常加載庫文件...3 這是在線search時(shí)出現(xiàn)的問題1.2是用open ECAD時(shí)出的問題求救?。?！
2019-07-27 22:55:44
TMS320C32的IOSTRB空間中的0x810100h，即SC16C750B的內(nèi)部寄存器的基地址。 2 TMS320C32的RS232串口軟件功能設(shè)計(jì) 串口工作模式控制和數(shù)據(jù)收發(fā)都是通過TMS320C
2018-12-20 10:53:25
、六軸動(dòng)作傳感器、環(huán)境光傳感器IC和用于音頻輸入的PDM 麥克風(fēng)?！ ioneer板基于即將在貿(mào)澤電子開售的微控制器。該器件具有物聯(lián)網(wǎng)應(yīng)用所需的超低功耗以及重要安全功能，集成了Arm? Cortex
2018-09-21 11:51:15
業(yè)內(nèi)先進(jìn)的 AC/DC轉(zhuǎn)換器IC ，采用 一體化封裝 ，已將1700V耐壓的SiC MOSFET*和針對(duì)其驅(qū)動(dòng)而優(yōu)化的控制電路內(nèi)置于 小型表貼封裝 （TO263-7L）中。主要適用于需要處理大功率
2022-07-27 11:00:52
充電電路用于輸出電壓經(jīng)整流后在10ms左右給20uF的儲(chǔ)能大電容充電到750V。充電電路設(shè)計(jì)為典型UC2843構(gòu)成的反激充電，pwm波為50kHZ左右，占空比0.45左右，輸入電壓為DC12V，對(duì)于
2017-09-29 17:35:51
英飛凌科技股份公司于近日推出了一款車規(guī)級(jí)基于EDT2技術(shù)及EasyPACK? 2B半橋封裝的功率模塊，這款模塊具有更高的靈活性及可擴(kuò)展性。根據(jù)逆變器的具體條件，這款750V的模塊最大可以支撐50kW
2021-11-29 07:42:30
]Nch1700V3.7A35W1.15Ω(Typ.)14nC(Typ.)4A44W57W0.75Ω(Typ.)17nC(Typ.)☆：開發(fā)中SCT2H12NZ:1700V高耐壓SiC-MOSFET 重點(diǎn)必看與SiC用AC/DC轉(zhuǎn)換器控制IC組合，效率顯著提高＜ 相關(guān)產(chǎn)品信息 ＞SiC-MOSFETSi-MOSFET
2018-12-05 10:01:25
有誰知道貿(mào)澤電子賣的運(yùn)放里面有假貨嗎？
2020-06-06 15:40:23
CRD-060DD17P-2，采用市售1700V碳化硅（SiC）MOSFET的單端反激式轉(zhuǎn)換器設(shè)計(jì)演示板。該設(shè)計(jì)采用1700V SiC MOSFET，采用新型7LD2PAK表面貼裝封裝，占板面
2019-04-29 09:25:59
了。 固有優(yōu)勢(shì)加上最新進(jìn)展 碳化硅的固有優(yōu)勢(shì)有很多，如高臨界擊穿電壓、高溫操作、具有優(yōu)良的導(dǎo)通電阻/片芯面積和開關(guān)損耗、快速開關(guān)等。最近，UnitedSiC采用常關(guān)型共源共柵的第三代SiC-FET器件已經(jīng)
2023-02-27 14:28:47
在L7812c2t d^2pak封裝上，經(jīng)常能看到三行標(biāo)識(shí)，分別是l7812c2tgkodj v6chn 327請(qǐng)問第二行第三行那些是什么意思？
2019-06-25 04:36:10
（IPS-RA）4. 航空級(jí)智能功率開關(guān)（IPS-AA）納/ 微電網(wǎng)與航空電子5.用于奈米／微電網(wǎng)V2G／V2H的高效雙向SiC功率轉(zhuǎn)換器6.航空電子逆變器。航空電子7. LiPo介面8.引擎控制器- 逆變器該
2019-06-27 04:20:26
柵極驅(qū)動(dòng)特性允許真正“直接替代” Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超結(jié)器件。該器件采用 D2PAK-7L 封裝，具有超低柵極電荷和出
2023-05-11 15:28:08
柵極驅(qū)動(dòng)特性允許真正“直接替代” Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET 或 Si 超結(jié)器件。該器件采用 D2PAK-7L 封裝，具有超低柵極電荷和出
2023-05-11 15:41:16
市場(chǎng)上唯一的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng) SiC 器件。該器件采用 D2PAK-3L 封裝，具有超低柵極電荷，而且具有同類額定值器件中最佳的反向恢復(fù)特性。這些器件非常適合開關(guān)電感
2023-05-11 16:55:02
市場(chǎng)上唯一的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng) SiC 器件。該系列不僅具有超低柵極電荷，而且具有同類額定值器件中最好的反向恢復(fù)特性。這些器件采用 D2PAK-3L 封裝，非常適合開關(guān)
2023-05-11 17:09:34
Qorvo 的 UJ4C075018K3S 是一款 750 V、18 mohm Gen 4 SiC FET。它基于獨(dú)特的共源共柵電路配置，其中常開 SiC JFET 與 Si MOSFET 共同封裝
2023-05-11 17:34:17
Qorvo 的 UJ4C075018K4S 是一款 750 V、18 mohm Gen 4 SiC FET。它基于獨(dú)特的共源共柵電路配置，其中常開 SiC JFET 與 Si MOSFET 共同封裝
2023-05-11 17:37:32
Qorvo 的 UJ4C075023B7S 是一款 750 V、23 mohm Gen 4 SiC FET。它基于獨(dú)特的共源共柵電路配置，其中常開 SiC JFET 與 Si MOSFET 共同封裝
2023-05-11 17:39:53
Qorvo 的 UJ4C075023K3S 是一款 750 V、23 mohm Gen 4 SiC FET。它基于獨(dú)特的共源共柵電路配置，其中常開 SiC JFET 與 Si MOSFET 共同封裝
2023-05-11 17:44:32
Qorvo 的 UJ4C075023K4S 是一款 750 V、23 mohm Gen 4 SiC FET。它基于獨(dú)特的共源共柵電路配置，其中常開 SiC JFET 與 Si MOSFET 共同封裝
2023-05-11 17:47:24
Qorvo 的 UJ4C075033B7S 是一款 750 V、33 mohm Gen 4 SiC FET。它基于獨(dú)特的共源共柵電路配置，其中常開 SiC JFET 與 Si MOSFET 共同封裝
2023-05-11 17:50:43
Qorvo 的 UJ4C075033K3S 是一款 750 V、33 mohm Gen 4 SiC FET。它基于獨(dú)特的共源共柵電路配置，其中常開 SiC JFET 與 Si MOSFET 共同封裝
2023-05-11 17:55:43
封裝，以生產(chǎn)當(dāng)今市場(chǎng)上唯一的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng) SiC 器件。該系列不僅具有超低柵極電荷，而且具有同類額定值器件中最好的反向恢復(fù)特性。這些器件采用 D2PAK-3L 封
2023-05-11 18:01:04
Qorvo 的 UJ4C075033K4S 是一款 750 V、33 mohm Gen 4 SiC FET。它基于獨(dú)特的共源共柵電路配置，其中常開 SiC JFET 與 Si MOSFET 共同封裝
2023-05-12 09:20:45
Qorvo 的 UJ4C075044B7S 是一款 750 V、44 mohm Gen 4 SiC FET。它基于獨(dú)特的共源共柵電路配置，其中常開 SiC JFET 與 Si MOSFET 共同封裝
2023-05-12 09:23:36
Qorvo 的 UJ4C075044K3S 是一款 750 V、44 mohm Gen 4 SiC FET。它基于獨(dú)特的共源共柵電路配置，其中常開 SiC JFET 與 Si MOSFET 共同封裝
2023-05-12 09:26:11
Qorvo 的 UJ4C075044K4S 是一款 750 V、44 mohm Gen 4 SiC FET。它基于獨(dú)特的共源共柵電路配置，其中常開 SiC JFET 與 Si MOSFET 共同封裝
2023-05-12 09:28:29
Qorvo 的 UJ4C075060B7S 是一款 750 V、58 mohm Gen 4 SiC FET。它基于獨(dú)特的共源共柵電路配置，其中常開 SiC JFET 與 Si MOSFET 共同封裝
2023-05-12 09:35:54
Qorvo 的 UJ4C075060K3S 是一款 750 V、58 mohm Gen 4 SiC FET。它基于獨(dú)特的共源共柵電路配置，其中常開 SiC JFET 與 Si
2023-05-12 09:38:53
Qorvo 的 UJ4C075060K4S 是一款 750 V、58 mohm Gen 4 SiC FET。它基于獨(dú)特的共源共柵電路配置，其中常開 SiC JFET 與 Si
2023-05-12 09:41:31
Qorvo 的 UJ4SC075005L8S 是一款 750 V、5.4 mohm Gen 4 SiC FET。它基于獨(dú)特的共源共柵電路配置，其中常開 SiC JFET 與 Si MOSFET 共同
2023-05-12 09:58:02
Qorvo 的 UJ4SC075006K4S 是一款 750 V、5.9 mohm Gen 4 SiC FET。它基于獨(dú)特的共源共柵電路配置，其中常開 SiC JFET 與 Si
2023-05-12 10:14:25
Qorvo 的 UJ4SC075008L8S 是一款 750 V、8.6 mohm Gen 4 SiC FET。它基于獨(dú)特的共源共柵電路配置，其中常開 SiC JFET 與 Si MOSFET 共同
2023-05-12 10:22:05
Qorvo 的 UJ4SC075009B7S 是一款 750 V、9 mohm Gen 4 SiC FET。它基于獨(dú)特的共源共柵電路配置，其中常開 SiC JFET 與 Si
2023-05-12 10:27:07
Qorvo 的 UJ4SC075009K4S 是一款 750 V、9 mohm Gen 4 SiC FET。它基于獨(dú)特的共源共柵電路配置，其中常開 SiC JFET 與 Si MOSFET 共同封裝
2023-05-12 10:31:25
Qorvo 的 UJ4SC075011B7S 是一款 750 V、11 mohm Gen 4 SiC FET。它基于獨(dú)特的共源共柵電路配置，其中常開 SiC JFET 與 Si MOSFET 共同
2023-05-12 10:39:28
Qorvo 的 UJ4SC075011K4S 是一款 750 V、11 mohm Gen 4 SiC FET。它基于獨(dú)特的共源共柵電路配置，其中常開 SiC JFET 與 Si MOSFET 共同
2023-05-12 10:47:32
Qorvo 的 UJ4SC075018B7S 是一款 750 V、18 mohm Gen 4 SiC FET。它基于獨(dú)特的共源共柵電路配置，其中常開 SiC JFET 與 Si MOSFET 共同
2023-05-12 10:55:29
Qorvo 的 UJ4SC075018L8S 是一款 750 V、18 mohm Gen 4 SiC FET。它基于獨(dú)特的共源共柵電路配置，其中常開 SiC JFET 與 Si MOSFET 共同
2023-05-12 10:58:10
UF3C120080B7S產(chǎn)品簡(jiǎn)介Qorvo 的 UF3C120080B7S 1200 V、85 mohm SiC FET 器件基于獨(dú)特的級(jí)聯(lián)電路配置，其中常開 SiC JFET 與 Si
2023-05-12 11:54:23
UF3SC065007K4S產(chǎn)品簡(jiǎn)介Qorvo 的 UF3SC065007K4S 650 V、6.7 mohm RDS(on) SiC FET 器件基于獨(dú)特的級(jí)聯(lián)電路配置，其中常開 SiC JFET
2023-05-12 14:29:40
UF3SC065030B7S產(chǎn)品簡(jiǎn)介Qorvo 的 UF3SC065030B7S 650 V、27 mohm RDS(on) SiC FET 器件基于獨(dú)特的級(jí)聯(lián)電路配置，其中常開 SiC JFET
2023-05-12 14:35:49
UF3SC065040B7S產(chǎn)品簡(jiǎn)介Qorvo 的 UF3SC065040B7S 650 V、42 mohm RDS(on) SiC FET 器件基于獨(dú)特的級(jí)聯(lián)電路配置，其中常開 SiC JFET
2023-05-12 14:41:53
UF3SC120009K4S產(chǎn)品簡(jiǎn)介Qorvo 的 UF3SC120009K4S 1200 V、8.6 mohm SiC FET 器件基于獨(dú)特的級(jí)聯(lián)電路配置，其中常開 SiC JFET 與 Si
2023-05-12 14:47:58
UF3SC120016K4S產(chǎn)品簡(jiǎn)介Qorvo 的 UF3SC120016K4S 1200 V、16 mohm SiC FET 器件基于獨(dú)特的級(jí)聯(lián)電路配置，其中常開 SiC JFET 與 Si
2023-05-12 14:59:16
UF3SC120040B7S產(chǎn)品簡(jiǎn)介Qorvo 的 UF3SC120040B7S 是一款 1200 V、35 mohm RDS(on) SiC FET 器件，基于獨(dú)特的級(jí)聯(lián)電路配置，其中常開 SiC
2023-05-12 15:05:36
UF4SC120023K4S 產(chǎn)品簡(jiǎn)介Qorvo 的 UF4SC120023K4S 是一款 1200 V、23 mohm RDS(on) Gen 4 SiC FET。它基于獨(dú)特的共源共柵
2023-05-12 15:40:44
UF4SC120030K4S產(chǎn)品簡(jiǎn)介Qorvo 的 UF4SC120030K4S 是一款 1200 V、30 mohm RDS(on) Gen 4 SiC FET。它基于獨(dú)特的共源共柵電路配置，其中
2023-05-12 15:46:12
MOSFET 共同封裝，以生產(chǎn)當(dāng)今市場(chǎng)上唯一的標(biāo)準(zhǔn)柵極驅(qū)動(dòng) SiC 器件。該器件采用 D2PAK-3L 封裝，具有超低柵極電荷，而且具有同類額定值器件中最佳的反向恢
2023-05-12 15:54:18
UJ3C065030T3S產(chǎn)品簡(jiǎn)介Qorvo 的 UJ3C065030T3S 是一款 650 V、27 mohm RDS(on) SiC FET 產(chǎn)品，將其高性能第 3 代 SiC JFET
2023-05-12 16:02:53
UJ4SC075018B7S 產(chǎn)品簡(jiǎn)介Qorvo 的 UJ4SC075018B7S 是一款 750 V、18 mohm Gen 4 SiC FET。它基于獨(dú)特的共源共柵電路配置，其中
2023-05-12 16:16:38
Qorvo 的 UJ4SC075011B7S 是一款 750 V、11 mohm Gen 4 SiC FET。它基于獨(dú)特的共源共柵電路配置，其中常開 SiC JFET 與 Si MOSFET 共同
2023-12-17 10:50:35
Qorvo UF4SC120023B7S G4碳化硅（SiC）FETQorvo UF4SC120023B7S G4碳化硅（SiC）FET是基于獨(dú)特的“共源共柵”電路配置的1200V、23mΩ器件
2024-02-26 14:19:32
Qorvo / UnitedSiC UJ4C/SC 750V Gen 4 SiC FETUnitedSiC/Qorvo UJ4C/SC 750V Gen 4 SiC是一款高性能系列產(chǎn)品，提供業(yè)界最佳
2024-02-26 19:40:31
UnitedSiC / Qorvo D2-PAK封裝中的UF3C SiC FET采用D2-PAK-3L和D2-PAK-7L表面貼裝封裝的UnitedSiC / Qorvo UF3C SiC FET
2024-02-26 19:57:09
功率因數(shù)校正（PFC）、主動(dòng)前端整流器、LLC轉(zhuǎn)換器和相移全橋轉(zhuǎn)換器的設(shè)計(jì)人員現(xiàn)在可以通過使用來自UnitedSiC的新型UJ3C1200系列碳化硅（SiC ）結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)晶體管（JFET
2018-05-25 16:42:001416 碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體制造商UnitedSiC宣布擴(kuò)展UF3C FAST產(chǎn)品系列，并推出采用TO-247-4L 4引腳Kelvin Sense封裝的全新系列650 V和1200 V高性能碳化硅
2019-01-01 10:33:003613 碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體制造商UnitedSiC/美商聯(lián)合碳化硅股份有限公司 宣布，已經(jīng)為UJ3C（通用型）和UF3C（硬開關(guān)型）系列650V SiC FET新增加了7種新的TO220-3L和D2PAK-3L器件/封裝組合產(chǎn)品。
2019-05-08 09:04:021767 英飛凌推出采用全新D2PAK-7L封裝的1200V CoolSiC MOSFET，導(dǎo)通電阻從30m?到350m?，可助力不同功率的工業(yè)電源、充電器及伺服驅(qū)動(dòng)器（不同的電流額定值）實(shí)現(xiàn)最高效率。 了解
2020-11-03 14:09:492695 為電源設(shè)計(jì)選擇初始半導(dǎo)體開關(guān)可能是一件繁雜的工作。UnitedSiC的新FET-Jet CalculatorTM可以簡(jiǎn)化這項(xiàng)工作并準(zhǔn)確預(yù)測(cè)系統(tǒng)性能。
2021-03-19 09:42:401891 UnitedSiC SiC FET用戶手冊(cè)
2021-09-07 18:00:13
17 2020年 750V第四代SiC FET 誕生時(shí)，它與650V第三代器件的比較結(jié)果令人吃驚，以 6毫歐 器件為例，品質(zhì)因數(shù)RDS?A降了近一半，由于體二極管反向恢復(fù)能量，動(dòng)態(tài)損耗也降了近一半。關(guān)閉
2022-05-23 17:31:29947 UnitedSiC（現(xiàn)名Qorvo）擴(kuò)充了其1200V產(chǎn)品系列，將其突破性的第四代SiC FET技術(shù)推廣到電壓更高的應(yīng)用中。
2022-06-06 09:33:573458 
第一款 UJ4SC075006K4S 器件功能非常強(qiáng)大，導(dǎo)通電阻 (R DS(on) ) 僅為 6 mΩ 和 750 V，是 UnitedSiC 九件套 SiC FET MOSFET 系列的一部分
2022-07-29 09:14:20465 
UnitedSiC（現(xiàn)為Qorvo）擴(kuò)展了其突破性的第4代 SiC FET產(chǎn)品組合, 通過采用TO-247-4引腳封裝的750V/6mOhm SiC FET和采用D2PAK-7L表面貼裝封裝
2022-08-01 12:14:081068 許多人選擇“七”這個(gè)數(shù)字是因?yàn)樗摹靶疫\(yùn)”屬性，而UnitedSiC選擇它則當(dāng)然是因?yàn)槠邆€(gè)引腳非常適合D2PAK半導(dǎo)體封裝。
2022-08-01 14:42:36744 為了滿足設(shè)計(jì)人員對(duì)更高性能、更高效系統(tǒng)的需求，UnitedSiC 宣布了新的 SiC FET，可實(shí)現(xiàn)更高水平的設(shè)計(jì)靈活性，最顯著的是 750 V、6 mΩ 的解決方案，其穩(wěn)健的短路耐受時(shí)間額定值為 5微秒。
2022-08-03 08:04:48908 
UnitedSiC FET-Jet計(jì)算器讓為功率設(shè)計(jì)選擇SiC FET和SiC肖特基二極管變得輕而易舉。設(shè)計(jì)工程師只需：
2022-10-11 09:03:28556 UnitedSiC（現(xiàn)已被Qorvo收購）750V UJ4C/SC SiC FET，采用D2PAK-7L封裝。UJ4C/SC系列器件是750V碳化硅場(chǎng)效應(yīng)晶體管（SiC FET），借助D2PAK-7L封裝選項(xiàng)提供低開關(guān)損耗、在更高速度下提升效率，同時(shí)提高系統(tǒng)功率密度。
2022-10-27 16:33:29739 CleanWave200采用UnitedSiC共源共柵FET，能夠在100kHz的頻率下實(shí)現(xiàn)99.3%的系統(tǒng)能效，且每個(gè)開關(guān)位置并聯(lián)三個(gè)器件。
2022-12-12 09:25:09446 在電源轉(zhuǎn)換這一語境下，性能主要?dú)w結(jié)為兩個(gè)互為相關(guān)的值：效率和成本。仿真結(jié)果和應(yīng)用實(shí)例表明，SiC FET 可以顯著提升電源轉(zhuǎn)換器的性能。了解更多。 這篇博客文章最初由 United Silicon
2023-02-08 11:20:01403 比較SiC開關(guān)的數(shù)據(jù)手冊(cè)可能很困難。SiC MOSFET在導(dǎo)通電阻溫度系數(shù)較低的情況下似乎具有優(yōu)勢(shì)，但與UnitedSiC FET相比，這表明潛在的損耗更高，整體效率低下。
2023-02-21 09:24:56592 
來源：Qorvo 近日，全球領(lǐng)先的連接和電源解決方案供應(yīng)商 Qorvo? 宣布，將展示一種全新的無引線表面貼裝 (TOLL) 封裝技術(shù)，其高性能具體表現(xiàn)在：750V SiC FET 擁有全球最低
2023-03-22 16:13:20581 全球領(lǐng)先的連接和電源解決方案供應(yīng)商 Qorvo 將展示一種全新的表面貼裝 TO- 無引線（TOLL）封裝技術(shù)，用于其高性能 5.4（mΩ）750V SiC FETs。這是 TOLL 封裝中發(fā)
2023-04-11 15:55:09493 是一家領(lǐng)先的碳化硅 (SiC) 功率半導(dǎo)體制造商，它的加入促使 Qorvo 將業(yè)務(wù)擴(kuò)展到電動(dòng)汽車 (EV)、工業(yè)電源、電路保護(hù)、
2023-05-17 12:05:02259 
英飛凌推出采用TO-247PLUS SMD封裝的EDT2工業(yè)級(jí)分立IGBT，采用750V EDT2 IGBT技術(shù)，具有最低的導(dǎo)通損耗和開關(guān)損耗，這可以使電動(dòng)商用車的電池電壓達(dá)到450Vdc
2023-05-19 12:42:27453 新品120-200A750VEDT2工業(yè)級(jí)分立IGBT120-200A750VEDT2工業(yè)級(jí)分立IGBT，采用可回流焊，電阻焊的TO-247PLUSSMD封裝產(chǎn)品型號(hào)
2023-05-18 09:41:31856 
圖騰柱功率系數(shù)校正電路一直是個(gè)構(gòu)想，許多工程師都在尋找能夠有效實(shí)現(xiàn)這一構(gòu)想的技術(shù)。如今，人們發(fā)現(xiàn) SiC FET 是能讓該拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)發(fā)揮最大優(yōu)勢(shì)的理想開關(guān)。了解應(yīng)對(duì)方式。 這篇博客文章最初
2023-06-21 09:10:02212 
Qorvo （UnitedSiC） 近宣布推出采用新型表面貼裝 TOLL 封裝的 750V/5.4mΩ SiC FET，擴(kuò)大了公司的性能地位，并擴(kuò)大了其突破性的第 4 代 SiC FET 產(chǎn)品組合
2023-08-07 14:47:17369 
鎵（GaN）等寬帶隙材料的器件技術(shù)無疑已經(jīng)做到了這一點(diǎn)。 與傳統(tǒng)硅基產(chǎn)品相比，這些寬帶隙技術(shù)材料在提升功率轉(zhuǎn)換效率和縮減尺寸方面都有了質(zhì)的飛躍。 憑借S iC在縮減尺寸方面的全新能力，Qorvo的SiC FET技術(shù)用于采用TO-Leadless（TOLL）封裝的750V器件開發(fā)，并擴(kuò)大了其領(lǐng)先優(yōu)勢(shì)。
2023-08-29 18:10:01225 
UnitedSiC SiC FET用戶指南
2023-12-06 15:32:24172 
深圳市至信微電子有限公司（簡(jiǎn)稱：至信微）在深圳威尼斯英迪格酒店成功舉辦了2024新品發(fā)布暨代理商大會(huì)。此次大會(huì)上，至信微發(fā)布了一系列行業(yè)領(lǐng)先的SiC芯片，其中包括1200V/7mΩ和750V/5mΩ兩款產(chǎn)品。
2024-01-16 15:45:17286 Qorvo，全球領(lǐng)先的綜合連接和電源解決方案供應(yīng)商，近日發(fā)布了其全新車規(guī)級(jí)碳化硅（SiC）場(chǎng)效應(yīng)晶體管（FET）產(chǎn)品。這款產(chǎn)品擁有緊湊的 D2PAK-7L 封裝，實(shí)現(xiàn)了業(yè)界領(lǐng)先的9mΩ導(dǎo)通電阻RDS
2024-02-01 10:18:06202 在產(chǎn)品研發(fā)方面，2023年，Qorvo宣布采用具備業(yè)界最低RDS(on)（5.4mΩ）的TOLL封裝750V FET，這是任何其它功率半導(dǎo)體技術(shù)（如硅基MOSFET、SiC MOSFET、GaN FET）均無法超越的。
2024-02-21 14:40:5266
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