UnitedSiC發(fā)布四款全新UF3C SiC FET器件，其RDS（ON）值低至7mΩ

美國(guó)新澤西州普林斯頓 -- 新型功率半導(dǎo)體企業(yè)美商聯(lián)合碳化硅股份有限公司（Unite dSiC）宣布將推出四種新型SiC FET，其RDS（ON）值可低至7mΩ，并可提供前所未有的性能和高效率，適用于電動(dòng)汽車（EV）逆變器、高功率DC/DC 轉(zhuǎn)換器、大電流電池充電器和固態(tài)斷路器等高功率應(yīng)用。在這四款全新UF3C SiC FET器件中，一款產(chǎn)品額定電壓值為650V，RDS（on）為7 mΩ，另外三款電壓額定值為1200V，RDS（on）分別為9和16 mΩ。所有器件都采用通用型TO247封裝。

這些新型SiC FET整合高性能第三代SiC JFET和共源共柵（cascode）優(yōu)化的Si MOSFET，這種電路配置能夠以常見(jiàn)的封裝形式創(chuàng)建一種快速、高效的器件，但仍然可以用與Si IGBT、Si MOSFET和SiC MOSFET相同的柵極電壓驅(qū)動(dòng)。此外，為了優(yōu)化高溫運(yùn)行性能，燒結(jié)銀（sintered-silver）技術(shù)能夠?yàn)門(mén)O247封裝提供低熱阻安裝。

美商聯(lián)合碳化硅股份有限公司工程副總裁Anup Bhalla解釋說(shuō)：“真正重要的是，我們實(shí)現(xiàn)了同類產(chǎn)品中業(yè)界最低的RDS（ON）。除此之外，這些器件所具備的標(biāo)準(zhǔn)驅(qū)動(dòng)特性和通用封裝意味著它們可以在各種應(yīng)用中直接替代那些效率較低的器件，而只需極少或根本不需要額外的設(shè)計(jì)工作。”

UF3SC065007K4S的最大工作電壓為650V，漏極電流高達(dá)120A，RDS（ON）為6.7mΩ。UF3SC120009K4S的最大工作電壓為1200V，漏極電流高達(dá)120A，RDS（ON）為8.6mΩ。兩者均采用四引腳開(kāi)爾文（Kelvin）封裝，可實(shí)現(xiàn)更清潔的驅(qū)動(dòng)特性。

對(duì)于低功率設(shè)計(jì)，UnitedSiC可提供兩款產(chǎn)品，最大工作電壓為1200V，漏極電流高達(dá)77A，RDS（ON）為16mΩ。UF3SC120016K3S采用三引腳封裝，而UF3SC120016K4S則采用四引腳封裝。

這些器件的低RDS（ON）特性使得在逆變器設(shè)計(jì)中可以實(shí)現(xiàn)超過(guò)99％的效率，高效率的實(shí)現(xiàn)得益于其出色的反向恢復(fù)性能以及在續(xù)流（freewheeling）模式下的低導(dǎo)通壓降。

借助于這些器件，逆變器設(shè)計(jì)人員能夠使現(xiàn)有設(shè)計(jì)在相同的開(kāi)關(guān)速度下達(dá)到更高功率，而無(wú)需重新設(shè)計(jì)其基本電路架構(gòu)，可以處理較高的電流，但不會(huì)產(chǎn)生過(guò)多的電阻發(fā)熱。

這些器件的低開(kāi)關(guān)損耗可以使設(shè)計(jì)人員在更高頻率下運(yùn)行逆變器，以產(chǎn)生更清晰的輸出電流波形。通過(guò)減少磁芯損耗，可以提高所驅(qū)動(dòng)電機(jī)的效率。如果將逆變器設(shè)計(jì)為具有濾波功能的輸出，較高的運(yùn)行頻率將允許使用較小的濾波器。

這些器件還能夠很好地并聯(lián)使用，以處理非常大的電流。經(jīng)過(guò)嚴(yán)格的損耗計(jì)算表明，使用六個(gè)UF3SC120009K4S SiC FET并聯(lián)構(gòu)建的200kW，8kHz逆變器，其開(kāi)關(guān)損耗和傳導(dǎo)損耗的總和只有采用最先進(jìn)IGBT/二極管模塊構(gòu)建的同類逆變器的約三分之一。

UF3C系列SiC FET的低RDS（ON）可實(shí)現(xiàn)超低傳導(dǎo)損耗，這意味著該器件還可以用作EV中的固態(tài)斷路器和電池?cái)嚅_(kāi)開(kāi)關(guān)，這些器件可以非常快地關(guān)閉非常大的電流，并且在用作斷路器時(shí)，具有自我限制特性，可控制流經(jīng)的峰值電流。該特性還可用于限制流入逆變器和電機(jī)的浪涌電流。

對(duì)于較低電池電壓的系統(tǒng)，UF3SC65007K4S能夠在充電電路中實(shí)現(xiàn)比IGBT效率高很多的系統(tǒng)。如果使用SiC FET來(lái)構(gòu)建同步整流器來(lái)代替次級(jí)側(cè)二極管，則可以大幅度降低損耗，從而減輕充電器的冷卻負(fù)擔(dān)。例如，在工作電流為100A，占空比為50％的情況下，一個(gè)JBS二極管的傳導(dǎo)損耗將近100W，而UF3SC065007K4S用作同步整流器，其傳導(dǎo)損耗僅為45W。

價(jià)格和供貨信息

以1000片最小批量計(jì)，這些器件的單價(jià)從UF3SC0120016K3S的35.77美元，到UF3SC120009K4S的59.98美元?，F(xiàn)在可提供樣片，預(yù)計(jì)2020年第二季度實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)

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FET(62322) FET(62322)
SiC(61351) SiC(61351)
碳化硅(47292) 碳化硅(47292)
UnitedSiC(7217) UnitedSiC(7217)

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2023-05-11 18:30:12

UF3C065040B3 柵極驅(qū)動(dòng) SiC 器件

UF3C065040B3 產(chǎn)品簡(jiǎn)介Qorvo 的 UF3C065040B3 650 V、42 mohm SiC FET 產(chǎn)品將其高性能第 3 代 SiC JFET 與 FET 優(yōu)化

2023-05-11 18:42:02

UF3C065040K3S 柵極驅(qū)動(dòng) SiC 器件

UF3C065040K3S 產(chǎn)品簡(jiǎn)介Qorvo 的 UF3C065040K3S 650 V、42 mohm RDS(on) 共源共柵 SiC FET 產(chǎn)品將其高性能第 3 代 SiC

2023-05-11 19:01:57

UF3C065040K4S 柵極驅(qū)動(dòng) SiC 器件

UF3C065040K4S產(chǎn)品簡(jiǎn)介Qorvo 的 UF3C065040K4S 650 V、42 mohm RDS(on) 共源共柵 SiC FET 產(chǎn)品將其高性能第 3 代 SiC 快速 JFET

2023-05-11 20:00:05

UF3C065040T3S 柵極驅(qū)動(dòng) SiC 器件

UF3C065040T3S產(chǎn)品簡(jiǎn)介Qorvo 的 UF3C065040T3S 650 V、42 mohm RDS(on) 共源共柵 SiC FET 產(chǎn)品將其高性能第 3 代 SiC JFET

2023-05-11 20:11:52

UF3C065080B3 柵極驅(qū)動(dòng) SiC 器件

UF3C065080B3產(chǎn)品簡(jiǎn)介Qorvo 的 UF3C065080B3 650 V、80 mohm RDS(on) SiC FET 器件基于獨(dú)特的級(jí)聯(lián)電路配置，其中常開(kāi) SiC JFET 與 Si

2023-05-11 20:28:32

UF3C065080B7S 柵極驅(qū)動(dòng) SiC FET 器件

UF3C065080B7S 產(chǎn)品簡(jiǎn)介Qorvo 的 UF3C065080B7S 650 V、85 mohm RDS(on) SiC FET 器件基于獨(dú)特的級(jí)聯(lián)電路配置，其中常開(kāi) SiC

2023-05-11 20:38:23

UF3C065080K3S 柵極驅(qū)動(dòng) SiC FET 器件

UF3C065080K3S產(chǎn)品簡(jiǎn)介Qorvo 的 UF3C065080K3S 650 V、80 mohm RDS(on) SiC FET 器件基于獨(dú)特的級(jí)聯(lián)電路配置，其中常開(kāi) SiC JFET

2023-05-11 20:45:39

UF3C065080K4S 柵極驅(qū)動(dòng) SiC 器件

UF3C065080K4S 產(chǎn)品簡(jiǎn)介Qorvo 的 UF3C065080K4S 650 V、80 mohm SiC FET 產(chǎn)品將其高性能 F3 SiC 快速 JFET 與 FET 優(yōu)化

2023-05-11 20:53:23

UF3C065080T3S 柵極驅(qū)動(dòng) SiC 器件

UF3C065080T3S產(chǎn)品簡(jiǎn)介Qorvo 的 UF3C065080T3S 650 V、80 mohm RDS(on) 共源共柵 SiC FET 產(chǎn)品將其高性能第 3 代 SiC JFET

2023-05-12 09:35:19

UF3C120040K3S 柵極驅(qū)動(dòng) SiC 器件

UF3C120040K3S 產(chǎn)品簡(jiǎn)介Qorvo 的 UF3C120040K3S 1200 V、35 mohm RDS(on) 共源共柵 SiC FET 產(chǎn)品將其高性能第 3 代 SiC

2023-05-12 09:42:48

UF3C120040K4S 柵極驅(qū)動(dòng) SiC 器件

UF3C120040K4S產(chǎn)品簡(jiǎn)介Qorvo 的 UF3C120040K4S 是一款 1200 V、35 mohm RDS(on) 共源共柵 SiC FET 產(chǎn)品，將其高性能第 3 代 SiC 快速

2023-05-12 09:51:56

UF3C120080B7S 柵極驅(qū)動(dòng) SiC FET 器件

UF3C120080B7S產(chǎn)品簡(jiǎn)介Qorvo 的 UF3C120080B7S 1200 V、85 mohm SiC FET 器件基于獨(dú)特的級(jí)聯(lián)電路配置，其中常開(kāi) SiC JFET 與 Si

2023-05-12 11:54:23

UF3C120080K3S 柵極驅(qū)動(dòng) SiC FET 器件

UF3C120080K3S 產(chǎn)品簡(jiǎn)介Qorvo 的 UF3C120080K3S 1200 V、80 mohm SiC FET 器件基于獨(dú)特的共源共柵電路配置，其中常開(kāi) SiC JFET

2023-05-12 12:26:54

UF3C120080K4S 柵極驅(qū)動(dòng) SiC 器件

UF3C120080K4S產(chǎn)品簡(jiǎn)介Qorvo 的 UF3C120080K4S 1200 V、80 mohm FET 產(chǎn)品將其高性能第 3 代 SiC 快速 JFET 與 FET 優(yōu)化 MOSFET

2023-05-12 12:35:06

UF3C120150B7S 柵極驅(qū)動(dòng) SiC FET 器件

UF3C120150B7S 產(chǎn)品簡(jiǎn)介Qorvo 的 UF3C120150B7S 1200 V、150 mohm SiC FET 器件基于獨(dú)特的共源共柵電路配置，其中常開(kāi) SiC JFET

2023-05-12 12:44:42

UF3C120150K4S 柵極驅(qū)動(dòng) SiC 器件

UF3C120150K4S產(chǎn)品簡(jiǎn)介Qorvo 的 UF3C120150K4S 1200 V、150 mohm SiC FET 產(chǎn)品將其高性能 F3 SiC 快速 JFET 與 FET 優(yōu)化

2023-05-12 12:52:17

UF3C120400K3S 柵極驅(qū)動(dòng) SiC FET 器件

UF3C120400K3S 產(chǎn)品簡(jiǎn)介Qorvo 的 UF3C120400K3S 1200 V、410 mohm SiC FET 器件基于獨(dú)特的共源共柵電路配置，其中常開(kāi) SiC JFET

2023-05-12 14:11:46

UF3C170400K3S 柵極驅(qū)動(dòng) SiC FET 器件

UF3C170400K3S產(chǎn)品簡(jiǎn)介Qorvo 的 UF3C170400K3S 1700 V、410 mohm SiC FET 器件基于獨(dú)特的級(jí)聯(lián)電路配置，其中常開(kāi) SiC JFET 與 Si

2023-05-12 14:20:38

UF3SC065007K4S 柵極驅(qū)動(dòng) SiC FET 器件

UF3SC065007K4S產(chǎn)品簡(jiǎn)介Qorvo 的 UF3SC065007K4S 650 V、6.7 mohm RDS(on) SiC FET 器件基于獨(dú)特的級(jí)聯(lián)電路配置，其中常開(kāi) SiC JFET

2023-05-12 14:29:40

UF3SC065030B7S 柵極驅(qū)動(dòng) SiC FET 器件

UF3SC065030B7S產(chǎn)品簡(jiǎn)介Qorvo 的 UF3SC065030B7S 650 V、27 mohm RDS(on) SiC FET 器件基于獨(dú)特的級(jí)聯(lián)電路配置，其中常開(kāi) SiC JFET

2023-05-12 14:35:49

UF3SC065040B7S 柵極驅(qū)動(dòng) SiC FET 器件

UF3SC065040B7S產(chǎn)品簡(jiǎn)介Qorvo 的 UF3SC065040B7S 650 V、42 mohm RDS(on) SiC FET 器件基于獨(dú)特的級(jí)聯(lián)電路配置，其中常開(kāi) SiC JFET

2023-05-12 14:41:53

UF3SC120009K4S 柵極驅(qū)動(dòng) SiC FET 器件

UF3SC120009K4S產(chǎn)品簡(jiǎn)介Qorvo 的 UF3SC120009K4S 1200 V、8.6 mohm SiC FET 器件基于獨(dú)特的級(jí)聯(lián)電路配置，其中常開(kāi) SiC JFET 與 Si

2023-05-12 14:47:58

UF3SC120016K3S 柵極驅(qū)動(dòng) SiC FET 器件

UF3SC120016K3S產(chǎn)品簡(jiǎn)介Qorvo 的 UF3SC120016K3S 1200 V、16 mohm SiC FET 器件基于獨(dú)特的級(jí)聯(lián)電路配置，其中常開(kāi) SiC JFET 與 Si

2023-05-12 14:53:49

UF3SC120016K4S 柵極驅(qū)動(dòng) SiC FET 器件

UF3SC120016K4S產(chǎn)品簡(jiǎn)介Qorvo 的 UF3SC120016K4S 1200 V、16 mohm SiC FET 器件基于獨(dú)特的級(jí)聯(lián)電路配置，其中常開(kāi) SiC JFET 與 Si

2023-05-12 14:59:16

UF3SC120040B7S 柵極驅(qū)動(dòng) SiC FET 器件

UF3SC120040B7S產(chǎn)品簡(jiǎn)介Qorvo 的 UF3SC120040B7S 是一款 1200 V、35 mohm RDS(on) SiC FET 器件，基于獨(dú)特的級(jí)聯(lián)電路配置，其中常開(kāi) SiC

2023-05-12 15:05:36

UF4C120053K3S 柵極驅(qū)動(dòng) SiC FET 器件

UF4C120053K3S 產(chǎn)品簡(jiǎn)介Qorvo 的 UF4C120053K3S 是一款 1200 V、53 mohm RDS(on) Gen 4 SiC FET。它基于獨(dú)特的共源共柵電路

2023-05-12 15:16:27

UF4C120053K4S 柵極驅(qū)動(dòng) SiC FET 器件

UF4C120053K4S產(chǎn)品簡(jiǎn)介Qorvo 的 UF4C120053K4S 是一款 1200 V、53 mohm RDS(on) Gen 4 SiC FET。它基于獨(dú)特的共源共柵電路配置，其中

2023-05-12 15:22:37

UF4C120070K3S 柵極驅(qū)動(dòng) SiC FET 器件

UF4C120070K3S產(chǎn)品簡(jiǎn)介Qorvo 的 UF4C120070K3S 是一款 1200 V、72 mohm RDS(on) Gen 4 SiC FET。它基于獨(dú)特的共源共柵電路配置，其中

2023-05-12 15:29:06

UF4C120070K4S 柵極驅(qū)動(dòng) SiC FET 器件

UF4C120070K4S 產(chǎn)品簡(jiǎn)介Qorvo 的 UF4C120070K4S 是一款 1200 V、72 mohm RDS(on) Gen 4 SiC FET。它基于獨(dú)特的共源共柵電路

2023-05-12 15:34:44

UF4SC120023K4S 柵極驅(qū)動(dòng) SiC FET 器件

UF4SC120023K4S 產(chǎn)品簡(jiǎn)介Qorvo 的 UF4SC120023K4S 是一款 1200 V、23 mohm RDS(on) Gen 4 SiC FET。它基于獨(dú)特的共源共柵

2023-05-12 15:40:44

UF4SC120030K4S 柵極驅(qū)動(dòng) SiC FET 器件

UF4SC120030K4S產(chǎn)品簡(jiǎn)介Qorvo 的 UF4SC120030K4S 是一款 1200 V、30 mohm RDS(on) Gen 4 SiC FET。它基于獨(dú)特的共源共柵電路配置，其中

2023-05-12 15:46:12

UJ3C065030B3 柵極驅(qū)動(dòng) SiC 器件

UJ3C065030B3產(chǎn)品簡(jiǎn)介Qorvo 的 UJ3C065030B3 650 V、27 mohm RDS(on) SiC FET 產(chǎn)品將其高性能第 3 代 SiC JFET 與 FET 優(yōu)化

2023-05-12 15:54:18

UJ3C065030T3S 柵極驅(qū)動(dòng) SiC 器件

UJ3C065030T3S產(chǎn)品簡(jiǎn)介Qorvo 的 UJ3C065030T3S 是一款 650 V、27 mohm RDS(on) SiC FET 產(chǎn)品，將其高性能第 3 代 SiC JFET

2023-05-12 16:02:53

Qorvo / UnitedSiC UJ4C/SC 750V Gen 4 SiC FET

Qorvo / UnitedSiC UJ4C/SC 750V Gen 4 SiC FETUnitedSiC/Qorvo UJ4C/SC 750V Gen 4 SiC是一款高性能系列產(chǎn)品，提供業(yè)界最佳

2024-02-26 19:40:31

D2-PAK封裝中的UF3C SiC FET

UnitedSiC / Qorvo D2-PAK封裝中的UF3C SiC FET采用D2-PAK-3L和D2-PAK-7L表面貼裝封裝的UnitedSiC / Qorvo UF3C SiC FET

2024-02-26 19:57:09

UF3N170400B7S

UnitedSiC / Qorvo UF3N170400B7S 1700V-400mW SiC常開(kāi)JFETUnitedSiC/Qorvo UF3N170400B7S 1700V-400mW SiC

2024-02-26 23:19:55

UnitedSiC在UF3C FAST FET系列中新增Kelvin連接器件

碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體制造商UnitedSiC宣布擴(kuò)展UF3C FAST產(chǎn)品系列，并推出采用TO-247-4L 4引腳Kelvin Sense封裝的全新系列650 V和1200 V高性能碳化硅

2019-01-01 10:33:00

3613

UnitedSiC在650V產(chǎn)品系列中新增7個(gè)SiC FET

碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體制造商UnitedSiC/美商聯(lián)合碳化硅股份有限公司宣布，已經(jīng)為UJ3C（通用型）和UF3C（硬開(kāi)關(guān)型）系列650V SiC FET新增加了7種新的TO220-3L和D2PAK-3L器件/封裝組合產(chǎn)品。

2019-05-08 09:04:02

1767

UnitedSiC的FET-Jet計(jì)算器讓SiC FET選擇過(guò)程不再充滿猜測(cè)

為電源設(shè)計(jì)選擇初始半導(dǎo)體開(kāi)關(guān)可能是一件繁雜的工作。UnitedSiC的新FET-Jet CalculatorTM可以簡(jiǎn)化這項(xiàng)工作并準(zhǔn)確預(yù)測(cè)系統(tǒng)性能。

2021-03-19 09:42:40

1891

UnitedSiC SiC FET用戶手冊(cè)

UnitedSiC SiC FET用戶手冊(cè)

2021-09-07 18:00:13

UnitedSiC推出具有顯著優(yōu)勢(shì)的第四代SiC FET

2020年 750V第四代SiC FET 誕生時(shí)，它與650V第三代器件的比較結(jié)果令人吃驚，以 6毫歐器件為例，品質(zhì)因數(shù)RDS?A降了近一半，由于體二極管反向恢復(fù)能量，動(dòng)態(tài)損耗也降了近一半。關(guān)閉

2022-05-23 17:31:29

947

UnitedSiC 750V第4代SiC FET的性能解析

UnitedSiC（現(xiàn)為Qorvo）擴(kuò)展了其突破性的第4代 SiC FET產(chǎn)品組合, 通過(guò)采用TO-247-4引腳封裝的750V/6mOhm SiC FET和采用D2PAK-7L表面貼裝封裝

2022-08-01 12:14:08

1068

碳化硅 (SiC) FET 推動(dòng)電力電子技術(shù)發(fā)展

斷路器和限流應(yīng)用。例如，如果您用 1 mA 電流偏置 JFET 的柵極，并監(jiān)控柵極電壓 Vgs，請(qǐng)參見(jiàn)圖 1，您可以跟蹤器件的溫度，因?yàn)?Vgs 隨溫度線性下降。此屬性對(duì)于需要功率 FET (SiC

2022-08-05 10:31:17

716

貿(mào)澤開(kāi)售采用D2PAK-7L 封裝的工業(yè)用 UnitedSiC 750V UJ4C/SC SiC FET

表面貼裝封裝的UnitedSiC（現(xiàn)已被?Qorvo?收購(gòu)）UJ4C/SC FET。UJ4C/SC系列器件是750 V碳化硅場(chǎng)效應(yīng)晶體管 (SiC FET)，借助D2PAK-7L封裝選項(xiàng)提供低開(kāi)關(guān)損耗

2022-09-23 16:44:35

576

UnitedSiC FET-Jet計(jì)算器成為更好的器件選擇工具

UnitedSiC FET-Jet計(jì)算器讓為功率設(shè)計(jì)選擇SiC FET和SiC肖特基二極管變得輕而易舉。設(shè)計(jì)工程師只需：

2022-10-11 09:03:28

556

貿(mào)澤電子開(kāi)售UnitedSiC 750V UJ4C/SC SiC FET

UnitedSiC（現(xiàn)已被Qorvo收購(gòu)）750V UJ4C/SC SiC FET，采用D2PAK-7L封裝。UJ4C/SC系列器件是750V碳化硅場(chǎng)效應(yīng)晶體管（SiC FET），借助D2PAK-7L封裝選項(xiàng)提供低開(kāi)關(guān)損耗、在更高速度下提升效率，同時(shí)提高系統(tǒng)功率密度。

2022-10-27 16:33:29

739

SiC FET器件的特征

寬帶隙半導(dǎo)體是高效功率轉(zhuǎn)換的助力。有多種器件可供人們選用，包括混合了硅和SiC技術(shù)的SiC FET。本文探討了這種器件的特征，并將它與其他方法進(jìn)行了對(duì)比。

2022-10-31 09:03:23

666

利用高效的UnitedSiC共源共柵SiC FET技術(shù)實(shí)現(xiàn)99.3%的系統(tǒng)能效

CleanWave200采用UnitedSiC共源共柵FET，能夠在100kHz的頻率下實(shí)現(xiàn)99.3%的系統(tǒng)能效，且每個(gè)開(kāi)關(guān)位置并聯(lián)三個(gè)器件。

2022-12-12 09:25:09

446

充分挖掘 SiC FET 的性能

Carbide (UnitedSiC) 發(fā)布，該公司于 2021 年 11 月加入 Qorvo 大家庭。UnitedSiC 是一家領(lǐng)先的碳化硅 (SiC) 功率半導(dǎo)體制造商，它的加入促使 Qorvo

2023-02-08 11:20:01

403

SiC FET導(dǎo)通電阻隨溫度變化

比較SiC開(kāi)關(guān)的數(shù)據(jù)手冊(cè)可能很困難。SiC MOSFET在導(dǎo)通電阻溫度系數(shù)較低的情況下似乎具有優(yōu)勢(shì)，但與UnitedSiC FET相比，這表明潛在的損耗更高，整體效率低下。

2023-02-21 09:24:56

592

UnitedSiC FET-Jet 計(jì)算器，讓 SiC FET 的選擇過(guò)程不再全憑猜測(cè)

仿真器可以提供許多信息，但無(wú)法告知哪些功率晶體管可以優(yōu)化您的設(shè)計(jì)，也無(wú)法確定晶體管在特定應(yīng)力水平下是否會(huì)損壞。這就是在線 FET-Jet 計(jì)算器的優(yōu)勢(shì)所在。閱讀本博客，了解該軟件如何簡(jiǎn)化器件選擇以及

2023-05-17 12:05:02

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