--- 產(chǎn)品參數(shù) ---
- VDS 最大值(V) 1,200
- RDS(on) 410
- 內(nèi)徑最大值(A) 7.6
- 一代 第 3 代
- Tj 最大值(°C) 175
- 汽車資質 是的
- 包裝類型 TO-247-3L
--- 產(chǎn)品詳情 ---
產(chǎn)品簡介
Qorvo 的 UF3C120400K3S 1200 V、410 mohm SiC FET 器件基于獨特的共源共柵電路配置,其中常開 SiC JFET 與 Si MOSFET 共同封裝以產(chǎn)生常關 SiC FET 器件。該器件的標準柵極驅動特性允許使用現(xiàn)成的柵極驅動器,因此在更換 Si IGBT、Si 超級結器件或 SiC MOSFET 時需要最少的重新設計。該器件采用 TO-247-3L 封裝,具有超低柵極電荷和出色的反向恢復特性,非常適合開關電感負載和任何需要標準柵極驅動的應用。
產(chǎn)品規(guī)格
VDS 最大值(V) 1,200
RDS(on) Typ @ 25C (mohm) 410
內(nèi)徑最大值(A) 7.6
一代 第 3 代
Tj 最大值(°C) 175
汽車資質 是的
包裝類型 TO-247-3L
主要特征
導通電阻 (RDS(on)):410 mohm(典型值)
最高工作溫度:175 °C
優(yōu)秀的反向恢復
低柵極電荷
低本征電容
ESD 保護,HBM 2 級
相關型號
UF3C120080B7S
UF3C120080K3S
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UF3C120150K4S
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