貿(mào)澤電子開售UnitedSiC 750V UJ4C/SC SiC FET

技術(shù)日新月異，我們每天都走在創(chuàng)新的路上，獲取前沿的領(lǐng)域知識，并轉(zhuǎn)化為自己的成果，創(chuàng)造出更適合用戶的產(chǎn)品。在這一路上，貿(mào)澤電子始終會伴你左右，并隨時提供新的采購情報，希望借此能為你帶來更多創(chuàng)新和靈感。以下是本周新品情報，請及時查收：

可同時實現(xiàn)多功能性與低傳導(dǎo)損耗

UnitedSiC 750V UJ4C/SC SiC FET

貿(mào)澤電子即日起開售UnitedSiC（現(xiàn)已被Qorvo收購）750V UJ4C/SC SiC FET，采用D2PAK-7L封裝。UJ4C/SC系列器件是750V碳化硅場效應(yīng)晶體管（SiC FET），借助D2PAK-7L封裝選項提供低開關(guān)損耗、在更高速度下提升效率，同時提高系統(tǒng)功率密度。這些FET經(jīng)優(yōu)化適合車載充電器、軟開關(guān)DC/DC轉(zhuǎn)換器、電池充電和IT/服務(wù)器電源等應(yīng)用。

UJ4C/SC器件采用獨特的共源共柵SiC FET技術(shù)，其中常開SiC JFET與Si MOSFET封裝在一起形成常關(guān)SiC FET。這些FET降低了緊湊型內(nèi)部連接回路的電感，與包含的開爾文源極連接一起，可降低開關(guān)損耗，從而實現(xiàn)更高的工作頻率和系統(tǒng)功率密度。

UJ4C/SC系列的D2PAK-7L版本提供從9mΩ到60mΩ的導(dǎo)通電阻選項，實現(xiàn)了設(shè)計靈活性，同時保持充足的設(shè)計冗余和電路穩(wěn)健性。這些FET具有750V額定電壓、出眾的導(dǎo)通電阻×面積（RDS(on)× A）品質(zhì)因數(shù)、較低的體二極管、超低柵極電荷，以及支持0V至15V柵極驅(qū)動的4.8V閾值電壓，可同時實現(xiàn)多功能性與低傳導(dǎo)損耗。

UnitedSiC 750V UJ4C/SC SiC FET

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