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標(biāo)簽 > FET
場效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor縮寫(FET))簡稱場效應(yīng)管。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電,也稱為單極型晶體管。
場效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor縮寫(FET))簡稱場效應(yīng)管。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電,也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件。根據(jù)三極管的原理開發(fā)出的新一代放大元件,有3個極性,柵極,漏極,源極,它的特點(diǎn)是柵極的內(nèi)阻極高,采用二氧化硅材料的可以達(dá)到幾百兆歐,屬于電壓控制型器件
場效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor縮寫(FET))簡稱場效應(yīng)管。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電,也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件。根據(jù)三極管的原理開發(fā)出的新一代放大元件,有3個極性,柵極,漏極,源極,它的特點(diǎn)是柵極的內(nèi)阻極高,采用二氧化硅材料的可以達(dá)到幾百兆歐,屬于電壓控制型器件。
FET電路工作原理
一般在網(wǎng)上只有三極管放大電路的原理,而FET的工作原理很少提及,現(xiàn)在我簡單地分析一下它的放大原理:電路中柵極的直流電位VG是電源電壓VDD被偏壓電阻R3和R2分壓后的電位,即:VG=R2/(R1+R2)*VDD。這與三極管發(fā)射極接地的放大電路基極直流電位相同。但是由于雙極型晶體管中有基極電流流動,所以實(shí)際基極電位要比電源被R2和R3分壓要低一些(晶體管是電流控制電流,F(xiàn)ET是電壓控制電流)。但對于FET,由于柵極沒有電流流過,所以實(shí)際的柵極電位就是分壓公式所求得的值。源極的直流電位VS比VG高出柵極源極間電壓VGS的值,即: VS=VG+VGS 實(shí)際上,VGS是以源極為基準(zhǔn)的,像N溝JFET那樣,當(dāng)源極電位比柵極高應(yīng)該給VGS置以負(fù)號。因此,VS等于將VGS加到VG上時,就成為: VS=VG-VGS 雙極晶體管VBE=0.6V或者0.7V,是能夠相互置換的。但是對于FET來說,當(dāng)器件型號和工作點(diǎn)(ID)不同時,VGS的值是不同的。流過源極的直流電流Is可以由下式求得: Is=VS/RS=(VG-VGS)/RS 漏極的直流電位VD是從電源電壓VDD減去RD上的電壓降的部分。如果漏極電流的直流成分為ID,則有: VD=VDD-ID*RD 由于FET的柵極上沒有電流流過,ID=IS,所以上式也可以寫成: VD=VDD-Is*RD 下面來求它的交流放大倍數(shù)。
由輸入Vi引起的源極電流表的交流變化量#is為: #is=vi/RS 高漏極電流的交流變化量為#id,那么可以認(rèn)為vd的交流變化量#vd就是#id在漏極電阻RD上的電壓降,即: #vd=#id*RD 又因?yàn)槁O電流和源極電流相等,所以#vd為: #vd=#is*RD=vi/RS*RD 另外,交流輸出電壓vo是被輸出電容C2隔斷VD的直流成分后的成分,也就是vd的交流成分#vd,即: Vo=#vd=vi/RS*RD 所以不難求得:交流放大倍數(shù)Av為: Av=vo/vi=RD/RS
如何在反激式轉(zhuǎn)換器中緩沖FET關(guān)斷電壓
上一期,我們介紹了如何在正向轉(zhuǎn)換器導(dǎo)通時緩沖輸出整流器的電壓?,F(xiàn)在,我們看一下如何在反激式轉(zhuǎn)換器中緩沖 FET 關(guān)斷電壓。
2024-11-04 標(biāo)簽:變壓器轉(zhuǎn)換器MOSFET 130 0
N通道和P通道場效應(yīng)晶體管(FET)之間的區(qū)別是什么?
晶體管是現(xiàn)代電子電路中至關(guān)重要的半導(dǎo)體器件。它們可以執(zhí)行兩種主要功能。首先,作為其真空管前身三極管,晶體管可以放大電信號。其次,晶體管可以作為計算機(jī)的信...
2024-10-25 標(biāo)簽:場效應(yīng)管晶體管FET 817 0
FET(Field Effect Transistor,場效應(yīng)晶體管)的放大原理是基于電場對半導(dǎo)體材料導(dǎo)電性的調(diào)控作用。FET作為一種三端半導(dǎo)體器件,通...
開關(guān)電源芯片U8608集成高壓E-Mode GaN FET,為了保障GaN FET工作的可靠性和高系統(tǒng)效率,芯片內(nèi)置了高精度、高可靠性的驅(qū)動電路,驅(qū)動電...
2024-08-21 標(biāo)簽:FETGaN開關(guān)電源芯片 764 0
場效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor,簡稱FET)和雙極性晶體管(Bipolar Junction Transistor,簡稱B...
2024-08-13 標(biāo)簽:半導(dǎo)體FET場效應(yīng)晶體管 1060 0
場效應(yīng)管(Field Effect Transistor,簡稱FET)控制電流大小的原理主要基于其獨(dú)特的電壓控制特性。FET是一種電壓控制型半導(dǎo)體器件,...
2024-07-23 標(biāo)簽:半導(dǎo)體場效應(yīng)管FET 1201 0
場效應(yīng)管(Field Effect Transistor,簡稱FET)是一種重要的半導(dǎo)體器件,在現(xiàn)代電子設(shè)備中扮演著至關(guān)重要的角色。它利用電場效應(yīng)來控制...
2024-05-31 標(biāo)簽:放大器場效應(yīng)管FET 3586 0
場效應(yīng)管(Field Effect Transistor, FET)作為現(xiàn)代電子電路中的重要組成部分,其穩(wěn)定性和可靠性對電路的整體性能具有至關(guān)重要的影響...
2024-05-31 標(biāo)簽:半導(dǎo)體場效應(yīng)管FET 3205 0
TPS53K上的統(tǒng)一接地連接建議-集成FET轉(zhuǎn)換器開發(fā)立即下載
類別:電子資料 2024-10-15 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器FET
用于汽車應(yīng)用中電機(jī)驅(qū)動的外部或內(nèi)部FET立即下載
類別:電子資料 2024-09-29 標(biāo)簽:電機(jī)驅(qū)動FET
優(yōu)化多相電壓調(diào)節(jié)器的高端FET電壓振鈴第1部分:高端FET電壓振鈴的機(jī)理立即下載
類別:電子資料 2024-09-25 標(biāo)簽:電壓FET電壓調(diào)節(jié)器
集成FET與外部FET:電機(jī)驅(qū)動器的性能比較立即下載
類別:電子資料 2024-09-10 標(biāo)簽:FET電機(jī)驅(qū)動器
TPS7H5001-SP 12V至0.8V、80A降壓轉(zhuǎn)換器設(shè)計詳細(xì)方法和結(jié)果立即下載
類別:電子資料 2024-09-05 標(biāo)簽:FET降壓轉(zhuǎn)換器FGPA
利用碲化汞(HgTe)膠體量子點(diǎn)實(shí)現(xiàn)波長達(dá)18 μm的光探測
膠體量子點(diǎn)(CQD)憑借其具有高通量溶液加工能力以及紫外(UV)到紅外(IR)波段的寬帶隙可調(diào)諧性,因而在光電子器件中備受關(guān)注。
2024-04-23 標(biāo)簽:FET場效應(yīng)晶體管光電子器件 1153 0
利用連續(xù)滴定工藝制備一種高品質(zhì)HgTe量子點(diǎn)短波紅外探測器
碲化汞(HgTe)納米晶體具有可調(diào)諧紅外吸收光譜、溶液可加工性、低制造成本以及易與硅基電路集成等特點(diǎn)。
2024-04-07 標(biāo)簽:FET場效應(yīng)晶體管紅外探測器 554 0
Nexperia在APEC 2024上發(fā)布拓寬分立式FET解決方案系列
Nexperia(安世半導(dǎo)體)再次在 APEC 上展示產(chǎn)品創(chuàng)新,宣布發(fā)布幾款新型 MOSFET,以進(jìn)一步拓寬其分立開關(guān)解決方案的范圍,可用于多個終端市場...
OVP可調(diào)過壓過流保護(hù)芯片集成功率FET開關(guān)
概述: PC9094過電壓和過電流保護(hù)該器件具有低80mΩ(TYP)導(dǎo)通電阻集成MOSFET,主動保護(hù)低電壓 系統(tǒng)的電壓供應(yīng)故障高達(dá)+29V直流電。輸入...
針對工業(yè)和可再生能源應(yīng)用推出采用緊湊型SMD封裝CCPAK的GaN FET
GAN039-650NTB 是一款 33 mΩ(典型值)的氮化鎵場效應(yīng)管,采用 CCPAK1212i 頂部散熱封裝技術(shù),開創(chuàng)了寬禁帶半導(dǎo)體和銅夾片封裝相...
2023-12-24 標(biāo)簽:場效應(yīng)管FET氮化鎵 764 0
基礎(chǔ)半導(dǎo)體器件領(lǐng)域的高產(chǎn)能生產(chǎn)專家 Nexperia(安世半導(dǎo)體)近日宣布推出新款 GaN FET 器件,該器件采用新一代高壓 GaN HEMT 技術(shù)和...
場效應(yīng)晶體管柵極電流是多大 場效應(yīng)晶體管(Field Effect Transistor,F(xiàn)ET)是一種基于電場控制的電子器件,常用于放大、開關(guān)和調(diào)制等...
2023-12-08 標(biāo)簽:放大器FET場效應(yīng)晶體管 1358 0
還沒使用SiC FET?快來看看本文,秒懂SiC FET性能和優(yōu)勢!
還沒使用SiC FET?快來看看本文,秒懂SiC FET性能和優(yōu)勢!
2023-11-29 標(biāo)簽:轉(zhuǎn)換器晶體管FET 643 0
MS8258D 是一款具有 CMOS 輸入的低噪聲運(yùn)算放大器,適用于寬帶跨阻和電壓放大器應(yīng)用。
2023-11-22 標(biāo)簽:放大器運(yùn)算放大器FET 1547 0
如何區(qū)分場效應(yīng)管的三個電極?場效應(yīng)管可以算是三極管嗎?
如何區(qū)分場效應(yīng)管的三個電極?場效應(yīng)管可以算是三極管嗎? 場效應(yīng)管(Field Effect Transistor,簡稱FET)是一種使用電場效應(yīng)來控制電...
2023-11-21 標(biāo)簽:三極管場效應(yīng)管FET 2505 0
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