LX7720是一款經(jīng)過(guò)輻射強(qiáng)化設(shè)計(jì)的航天器電機(jī)驅(qū)動(dòng)器。它是空間FPGA的配套IC,例如Microchip的RTG4 FPGA和RT PolarFire? FPGA,或空間微控制器(MCU),例如Microchip的SAMRH71F20或SAMV71Q21RT。集成的電流檢測(cè)、旋轉(zhuǎn)變壓器、編碼器和霍爾編碼器接口減少了電路板空間和重量,同時(shí)提高了使用線圈電流反饋和轉(zhuǎn)子位置傳感的閉環(huán)電機(jī)控制器的可靠性。
LX7720包含1個(gè)帶浮動(dòng)電流檢測(cè)的半橋驅(qū)動(dòng)器,用于電機(jī)線圈驅(qū)動(dòng),7720個(gè)用于檢測(cè)霍爾效應(yīng)傳感器和旋轉(zhuǎn)編碼器的雙電平輸入(比較器),以及一個(gè)完整的旋變器/LVDT接口,帶初級(jí)線圈驅(qū)動(dòng)器和次級(jí)信號(hào)調(diào)理。圖<>顯示了使用LX<>的典型電機(jī)驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)的頂層框圖,并說(shuō)明了在一個(gè)IC中集成閉環(huán)電機(jī)驅(qū)動(dòng)器的所有混合信號(hào)電子器件的好處。
這是LX7720電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和電流檢測(cè)電路的八部分系列中的第一部分,從FET驅(qū)動(dòng)器和電流檢測(cè)級(jí)內(nèi)的模塊理論開(kāi)始,然后選擇外部元件,最后是無(wú)刷直流、雙極和單極步進(jìn)電機(jī)的實(shí)際實(shí)現(xiàn)。該系列各部分的主題如下:
第一篇文章介紹了半橋電機(jī)驅(qū)動(dòng)器級(jí)和高邊NFET電荷泵。
半橋電機(jī)驅(qū)動(dòng)器級(jí)
LX7720包含四個(gè)半橋驅(qū)動(dòng)器級(jí)。半橋級(jí)的基本原理如下圖1所示,省略了電流檢測(cè)電路。VGS 電源軌是外部供電的 10V 至 18V 柵極驅(qū)動(dòng)電源,直接用于驅(qū)動(dòng)較低的 NFET。下部驅(qū)動(dòng) (LD) 柵極驅(qū)動(dòng)輸出在 VGS 和電機(jī)接地之間擺幅。
下部和上部驅(qū)動(dòng)器是獨(dú)立的,盡管它們通常一起使用以形成半橋。如果使用LX7720驅(qū)動(dòng)三相電機(jī),則只需要三個(gè)半橋。其余半橋可用作獨(dú)立的高邊電源開(kāi)關(guān)和獨(dú)立的低邊電源開(kāi)關(guān)。
上部外部FET也是一個(gè)NFET,因此每個(gè)驅(qū)動(dòng)器都會(huì)為上部NFET的柵極驅(qū)動(dòng)器產(chǎn)生一個(gè)浮動(dòng)高端電源VFLT。上部驅(qū)動(dòng)(UD)柵極輸出在VFLT和SW之間擺動(dòng),SW連接到上部NFET的源(也是功率級(jí)的輸出)。VFLT 需要跟隨軟件上的電壓從地(當(dāng)上部 NFET 關(guān)閉時(shí))擺動(dòng)到 VMPS 電機(jī)電源上方(上部 NFET 完全開(kāi)啟)。
VFLT有兩種方式提供。首先,只要SW接地,電容CVFLT就會(huì)充電至VGS。當(dāng)上部 NFET 關(guān)閉時(shí),如果上部 NFET 單獨(dú)用作高端開(kāi)關(guān),則電流流過(guò)負(fù)載。在半橋的情況下,電流流過(guò)負(fù)載或底部 NFET(打開(kāi)時(shí))。如果將上部驅(qū)動(dòng)器用作獨(dú)立的高邊電源開(kāi)關(guān),則接地的外部負(fù)載為CVFLT提供充電路徑。外部 1W 電阻將峰值充電電流限制在 CVFLT 中,CVFLT 通常是低 ESR 片式陶瓷元件。外部二極管與所示的內(nèi)部二極管并聯(lián),使峰值充電電流保持在片外。
當(dāng)UD柵極驅(qū)動(dòng)輸出變?yōu)楦唠娖綍r(shí),CVFLT電容在上部NFET的導(dǎo)通轉(zhuǎn)換期間保持VFLT。圖2所示,電荷泵產(chǎn)生一個(gè)高壓端VBOOST,其電壓略低于高于電機(jī)電源VMPS的VGS伏特。VBOOST用于在上NFET導(dǎo)通時(shí)間內(nèi)恢復(fù)CVFLT上的電壓。
LX7720半橋電機(jī)驅(qū)動(dòng)器級(jí)已經(jīng)介紹,您現(xiàn)在應(yīng)該了解用于高邊NFET驅(qū)動(dòng)器的電荷泵方法。本系列的下一篇文章將討論使用標(biāo)準(zhǔn)柵極電壓和低柵極電壓NFET的實(shí)用半橋驅(qū)動(dòng)器級(jí)。
審核編輯:郭婷
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