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【CMOS邏輯IC基礎(chǔ)知識(shí)】—解密組合邏輯背后的強(qiáng)大用途?。ㄉ希?/h1>

【CMOS邏輯IC基礎(chǔ)知識(shí)】—解密組合邏輯背后的強(qiáng)大用途?。ㄉ希?/p>

在前面的芝識(shí)課堂中,我們跟大家簡(jiǎn)單介紹了邏輯IC的基本知識(shí)和分類(lèi),并且特別提到CMOS邏輯IC因?yàn)槌杀尽⑾到y(tǒng)復(fù)雜度和功耗的平衡性很好,因此得到了最廣泛應(yīng)用,同時(shí)也和大家一起詳細(xì)了解了CMOS邏輯IC的基本操作。邏輯IC作為一種對(duì)一個(gè)或多個(gè)數(shù)字輸入信號(hào)執(zhí)行基本邏輯運(yùn)算以產(chǎn)生數(shù)字輸出信號(hào)的半導(dǎo)體器件,其應(yīng)用也是非常豐富的,今天就來(lái)和芝子一起了解一下吧。

首先我們要明確的是CMOS邏輯IC大致包括兩種邏輯,即組合邏輯和時(shí)序邏輯。其中組合邏輯是輸出僅為當(dāng)前輸入的純函數(shù)邏輯電路類(lèi)型,主要包括反相器、緩沖器、雙向總線緩沖器、施密特觸發(fā)器裝置、解碼器、多路復(fù)用器、模擬多路復(fù)用器/多路分解器、模擬開(kāi)關(guān)等;時(shí)序邏輯是一種其輸出取決于先前輸入值的順序,并由當(dāng)前輸入(如控制信號(hào)觸發(fā)器、鎖存器、計(jì)數(shù)器、移位寄存器等)控制的邏輯電路類(lèi)型。組合邏輯電路與時(shí)序邏輯電路的區(qū)別體現(xiàn)在輸入輸出關(guān)系、有無(wú)存儲(chǔ)(記憶)單元、結(jié)構(gòu)特點(diǎn)上。

首先我們以幾個(gè)簡(jiǎn)單的電路部分為例,來(lái)介紹組合邏輯電路的基本情況。

1 反相器

組合邏輯應(yīng)用中比較常見(jiàn)的是反相器(以74VHC04為例),是一種輸出(Y)與輸入(A)相反的邏輯門(mén),如圖1所示。

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圖1 逆變器的操作

2 緩沖器

緩沖器(例如74VHC244),緩沖器增加驅(qū)動(dòng)能力以增加可連接的信號(hào)線的數(shù)量,并執(zhí)行波形整形。緩沖區(qū)不執(zhí)行邏輯操作,示意圖如圖2。

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圖2 緩沖器的操作

3 雙向總線緩沖器(收發(fā)器

雙向總線緩沖器(收發(fā)器),比如74VHC245。雙向總線緩沖器(收發(fā)器)是一種其I/O引腳可配置為輸入和輸出以接收和發(fā)送數(shù)據(jù)的邏輯電路。由于收發(fā)器允許通過(guò)控制信號(hào)(DIR)更改信號(hào)方向,所以它沿著總線傳輸,雙向傳輸數(shù)據(jù)。圖3顯示了收發(fā)器的應(yīng)用示例。雙向使用總線信號(hào)時(shí),將總線輸入和總線輸出都通過(guò)上拉電阻連接到VCC或GND,以防止在控制信號(hào)(DIR)切換信號(hào)時(shí)輸入信號(hào)變?yōu)殚_(kāi)路(未定義)。切換信號(hào)時(shí)請(qǐng)注意不要將輸出與總線輸出短路。

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圖3 雙向總線緩沖器的應(yīng)用示例

我們來(lái)看一下圖3這個(gè)系統(tǒng)的邏輯情況,通過(guò)在/G為高電平時(shí)更改DIR的值,可以輕松更改A和B引腳的方向。/G為高電平時(shí),更改DIR的值和外部數(shù)據(jù)的方向。在周期#0,數(shù)據(jù)從B傳輸?shù)紸。在周期#1,A引腳處于高Z狀態(tài)。因此,輸出數(shù)據(jù)無(wú)效。在周期#2,更改DIR的值和外部數(shù)據(jù)的方向。在周期#3,啟用A和B引腳。然后,輸出數(shù)據(jù)在周期#4開(kāi)始時(shí)保持穩(wěn)定。在周期#4,數(shù)據(jù)從A傳輸?shù)紹。詳細(xì)輸入和輸出邏輯關(guān)系如圖4所示。

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圖4 雙向總線緩沖器的邏輯示意

4 施密特觸發(fā)器

我們?cè)倏匆粋€(gè)特別的示例,施密特觸發(fā)裝置(以VHC14為例)。施密特觸發(fā)裝置在兩個(gè)輸入閾值電壓之間有一個(gè)磁滯帶。圖5顯示了具有輸入閾值滯后的施密特反相器的輸入和輸出波形。對(duì)于具有磁滯的IC,正向閾值電壓(VP)不同于負(fù)向閾值電壓(VN)。對(duì)于緩慢上升或下降的輸入,輸入閾值滯后(VH)有助于穩(wěn)定輸出。即使存在輸入噪聲或電源或噪聲引起的接地反彈的情況下,IC也不會(huì)產(chǎn)生錯(cuò)誤輸出,除非噪聲或反彈超過(guò)磁滯寬度。

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圖5 施密特反相器的輸入和輸出波形

5 解碼器

解碼器也是一種典型的組合邏輯電路,我們以VHC138為例進(jìn)行邏輯解讀。解碼器將N個(gè)編碼輸入的二進(jìn)制信息轉(zhuǎn)換為最多2N個(gè)獨(dú)特輸出。它通常用于增加端口數(shù)量和生成芯片選擇信號(hào)。圖6顯示了3對(duì)8解碼器(即具有三個(gè)輸入和八個(gè)輸出的解碼器)的邏輯符號(hào)、真值表和時(shí)序圖。

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圖6 3對(duì)8解碼器的邏輯符號(hào)和真值表以及時(shí)序圖

圖7則顯示如何使用3對(duì)8解碼器從三個(gè)輸入(A、B和C)生成八個(gè)芯片選擇信號(hào)。當(dāng)A、B和C都為低電平時(shí),只有/Y0輸出提供邏輯低電平,所以選擇IC0。圖7表明,通過(guò)三個(gè)輸入的組合,可以從最多八個(gè)芯片中選擇任意芯片。

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圖7 3至8解碼器的時(shí)序圖

今天的芝識(shí)課堂,我們帶大家了解了幾種典型電路單元的對(duì)應(yīng)邏輯關(guān)系,在下面的芝識(shí)課堂中,我們將繼續(xù)跟大家分享CMOS邏輯IC的基礎(chǔ)知識(shí),敬請(qǐng)期待。

羅姆發(fā)布肖特基二極管白皮書(shū),助力汽車(chē)、工業(yè)消費(fèi)電子設(shè)備實(shí)現(xiàn)小型化和更低損耗!

近年來(lái),隨著電動(dòng)汽車(chē)的加速以及物聯(lián)網(wǎng)在工業(yè)設(shè)備、消費(fèi)電子設(shè)備領(lǐng)域的普及,應(yīng)用產(chǎn)品中搭載的半導(dǎo)體數(shù)量也與日俱增。其中,中等耐壓的二極管因其能有效整流和保護(hù)電路,而被廣泛應(yīng)用在從手機(jī)到電動(dòng)汽車(chē)動(dòng)力總成系統(tǒng)等各種電路和領(lǐng)域中,半導(dǎo)體廠商羅姆在這些領(lǐng)域中已經(jīng)擁有驕人業(yè)績(jī)(圖1)。

1. 前言

近年來(lái),隨著電動(dòng)汽車(chē)的加速以及物聯(lián)網(wǎng)在工業(yè)設(shè)備、消費(fèi)電子設(shè)備領(lǐng)域的普及,應(yīng)用產(chǎn)品中搭載的半導(dǎo)體數(shù)量也與日俱增。其中,中等耐壓的二極管因其能有效整流和保護(hù)電路,而被廣泛應(yīng)用在從手機(jī)到電動(dòng)汽車(chē)動(dòng)力總成系統(tǒng)等各種電路和領(lǐng)域中,半導(dǎo)體廠商羅姆在這些領(lǐng)域中已經(jīng)擁有驕人業(yè)績(jī)(圖1)。

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圖1. 羅姆在整流二極管和功率二極管領(lǐng)域的市場(chǎng)份額

VF(正向電壓)和IR(反向電流)是二極管的重要性能指標(biāo),它們分別會(huì)影響到正向施加時(shí)的功率損耗和反向施加時(shí)的功率損耗?!袄硐氲亩O管”是VF和IR為0的二極管,也就是進(jìn)行整流和開(kāi)關(guān)工作時(shí)完全沒(méi)有功率損耗的二極管。另外,VF和IR之間通常存在權(quán)衡關(guān)系,因此很難同時(shí)改善。而且,在實(shí)際的二極管中,當(dāng)在開(kāi)關(guān)工作期間關(guān)斷二極管時(shí),會(huì)產(chǎn)生一些功率損耗(因?yàn)殡娏髟趖rr時(shí)段內(nèi)會(huì)反向流動(dòng))。

肖特基勢(shì)壘二極管(以下簡(jiǎn)稱(chēng)“SBD”)的VF和trr低于其他類(lèi)型的二極管,因此在整流電路和開(kāi)關(guān)電路中使用這種二極管可以實(shí)現(xiàn)低損耗,然而由于其IR較大,存在發(fā)熱量大于散熱量,最終發(fā)生熱失控而造成損壞的風(fēng)險(xiǎn)。(圖2)

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圖2. 在開(kāi)關(guān)期間SBD和整流二極管的VF、IR比較

針對(duì)這種情況,羅姆開(kāi)發(fā)出豐富的SBD系列產(chǎn)品群,客戶可根據(jù)各種應(yīng)用的需求(強(qiáng)調(diào)VF還是IR)選用產(chǎn)品。另外,還推出了更接近“理想二極管”的新系列產(chǎn)品,新產(chǎn)品不僅同時(shí)改善了本來(lái)存在權(quán)衡關(guān)系的VF和IR特性,還實(shí)現(xiàn)了SBD業(yè)內(nèi)超高等級(jí)的trr特性。本文將概括介紹羅姆在SBD領(lǐng)域的行動(dòng)以及羅姆各系列SBD產(chǎn)品的特點(diǎn)。

(有關(guān)SBD的詳細(xì)技術(shù)文檔,請(qǐng)參閱以下文章。)

車(chē)載用肖特基二極管小型高散熱封裝[PMDE]的優(yōu)越性

車(chē)載小型高效肖特基勢(shì)壘二極管“RBLQ系列”的優(yōu)勢(shì)

2. SBD需要具備的性能及其發(fā)展趨勢(shì)

圖3為SBD產(chǎn)品相關(guān)的市場(chǎng)情況示例,展示了一輛汽車(chē)中搭載的ECU數(shù)量。隨著ADAS(高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng))和自動(dòng)駕駛技術(shù)的發(fā)展,一輛汽車(chē)中所搭載的ECU數(shù)量與日俱增,其中所用的二極管數(shù)量也在持續(xù)增加,預(yù)計(jì)未來(lái)還會(huì)繼續(xù)增加。由于汽車(chē)無(wú)法提供超出其電池和發(fā)電機(jī)能力的電力,因此制造商需要低損耗(低VF)的二極管,并且越來(lái)越多地采用VF和trr特性優(yōu)異的SBD。而另一方面,燃油車(chē)的引擎外圍電路、以及xEV的電池和電機(jī)外圍電路是在高溫環(huán)境中工作的,因此IR高的SBD的熱失控風(fēng)險(xiǎn)成為直接關(guān)系到可靠性的重大課題。因此,在選擇SBD時(shí),關(guān)鍵在于如何在VF和IR之間取得平衡。

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圖3. 一輛汽車(chē)所搭載的ECU數(shù)量演變(羅姆調(diào)查數(shù)據(jù))

在消費(fèi)電子設(shè)備中,隨著應(yīng)用產(chǎn)品的功能越來(lái)越多,電路板密度也變得越來(lái)越高,甚至密度超過(guò)車(chē)載設(shè)備,因此需要更小型和超低損耗(超低VF)的SBD。另外,在工業(yè)設(shè)備應(yīng)用中,其對(duì)高可靠性的要求與車(chē)載應(yīng)用相同,而且由于應(yīng)用產(chǎn)品的機(jī)型壽命較長(zhǎng),因此長(zhǎng)期穩(wěn)定供應(yīng)也很重要。綜上所述,身為通用器件的SBD,在不同的領(lǐng)域和應(yīng)用中,其發(fā)展趨勢(shì)大不相同,制造商在其產(chǎn)品開(kāi)發(fā)過(guò)程中,要求一些存在權(quán)衡關(guān)系(例如更低損耗和更高可靠性、更小型和更大電流)的特性同等出色。為了滿足如此廣泛的需求,羅姆不斷推動(dòng)相應(yīng)產(chǎn)品的開(kāi)發(fā),并建立了以垂直統(tǒng)合型生產(chǎn)體系為中心的長(zhǎng)期穩(wěn)定供應(yīng)體系。在下一節(jié)中,將具體介紹羅姆的SBD產(chǎn)品陣容。

3. 羅姆 SBD系列產(chǎn)品陣容

羅姆最新的SBD產(chǎn)品有5個(gè)系列,客戶可以根據(jù)對(duì)VF和IR的不同重視程度,從豐富的產(chǎn)品陣容中選擇合適的產(chǎn)品(圖4)。另外,每個(gè)系列都有豐富的封裝陣容,客戶還可以根據(jù)應(yīng)用產(chǎn)品的性能要求選擇小型封裝(圖5)。下頁(yè)將對(duì)每種產(chǎn)品的特點(diǎn)分別展開(kāi)介紹。

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圖4. 系列產(chǎn)品陣容

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圖5. 封裝陣容

3-1.RBS系列超低VF(耐壓:20V)

該系列的VF最低,在主要用于正向電路中的損耗可大幅降低,非常適用于智能手機(jī)等使用電池低電壓驅(qū)動(dòng)的移動(dòng)設(shè)備中的整流應(yīng)用。

目標(biāo)應(yīng)用:筆記本電腦、移動(dòng)設(shè)備等

3-2.RBR系列低VF(耐壓:30V/40V/60V)

該系列為通用型產(chǎn)品,與相同尺寸的羅姆以往產(chǎn)品相比,VF特性降低約25%。在車(chē)載應(yīng)用中,正向損耗非常少,因此作為要求更高效率的汽車(chē)信息娛樂(lè)系統(tǒng)和車(chē)載LED燈等的保護(hù)二極管,非常受歡迎。2021年8月,封裝陣容中又新增了車(chē)載用超小型PMDE封裝,可滿足市場(chǎng)對(duì)更小封裝的需求。

目標(biāo)應(yīng)用:車(chē)載信息娛樂(lè)系統(tǒng)、車(chē)載LED燈、車(chē)載ECU、筆記本電腦等

3-3.RBQ系列低IR(耐壓:45V/65V/100V)

該系列利用羅姆自有的勢(shì)壘形成技術(shù),在VF特性與IR特性之間取得了良好的平衡。與羅姆以往產(chǎn)品相比,其反向功率損耗降低了60%,因此可以降低熱失控風(fēng)險(xiǎn),非常適用于需要在高溫環(huán)境下運(yùn)行的引擎ECU整流應(yīng)用、高輸出功率LED前照燈的保護(hù)應(yīng)用、以及大電流工業(yè)設(shè)備電源等應(yīng)用。

目標(biāo)應(yīng)用:xEV、引擎ECU、高輸出功率LED前照燈、工業(yè)設(shè)備電源等

3-4.RBxx8系列超低IR(耐壓:30V/40V/60V/100V/150V/200V)

該系列產(chǎn)品具有超低IR,可以降低熱失控風(fēng)險(xiǎn),非常適用于需要在高溫環(huán)境下運(yùn)行的xEV電池和電機(jī)相關(guān)ECU、以及燃油車(chē)引擎ECU和變速箱ECU等的整流應(yīng)用。該系列支持耐壓高達(dá)200V,可以替換通常在這個(gè)耐壓范圍使用的整流二極管和快速恢復(fù)二極管,并可以大幅降低VF(與FRD相比,降低約11%),還有助于降低上述車(chē)載應(yīng)用中的功耗。

目標(biāo)應(yīng)用:xEV電池管理系統(tǒng)、引擎ECU、工業(yè)設(shè)備逆變器等

4. 新產(chǎn)品:RBLQ/RLQ系列

RBLQ系列和RLQ系列新產(chǎn)品通過(guò)采用新技術(shù)和羅姆自有的溝槽MOS結(jié)構(gòu),與以往的平面結(jié)構(gòu)產(chǎn)品相比,實(shí)現(xiàn)了更低的VF和IR。在采用普通溝槽MOS結(jié)構(gòu)的產(chǎn)品中,由于結(jié)構(gòu)上的原因,trr表現(xiàn)容易變差,而新產(chǎn)品兩個(gè)系列的trr特性都得到了提升,并達(dá)到了與以往的平面結(jié)構(gòu)產(chǎn)品同等級(jí)別(業(yè)界超高等級(jí))。由于不容易發(fā)生熱失控,并且可以降低開(kāi)關(guān)損耗,因此新產(chǎn)品非常適用于用容易發(fā)熱的車(chē)載LED前照燈驅(qū)動(dòng)電路,以及xEV用的DC-DC轉(zhuǎn)換器等需要進(jìn)行高速開(kāi)關(guān)的應(yīng)用。

目標(biāo)應(yīng)用:車(chē)載LED前照燈、xEV DC-DC轉(zhuǎn)換器、工業(yè)設(shè)備電源、照明等

4-1.與以往產(chǎn)品相比,VF和IR均得到改善

RBLQ系列和RLQ系列采用羅姆自有的溝槽MOS結(jié)構(gòu),與耐壓和耐受電流同等的以往產(chǎn)品相比,VF降低了約15%,可以降低在整流應(yīng)用等正向使用時(shí)的功率損耗。此外,與以往的平面結(jié)構(gòu)產(chǎn)品相比,IR也降低了約60%,這可以大大降低SBD最讓人擔(dān)心的熱失控風(fēng)險(xiǎn),從而使產(chǎn)品也可以用在溫度條件等非常嚴(yán)苛的車(chē)載應(yīng)用中(圖6)。

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圖6. SBD溝槽MOS結(jié)構(gòu)

4-2.實(shí)現(xiàn)業(yè)內(nèi)超短的trr

在普通溝槽MOS結(jié)構(gòu)中,寄生電容元器件中的電阻分量)較大,因此trr要比平面結(jié)構(gòu)差。而RBLQ系列和RLQ系列新產(chǎn)品不僅降低了VF和IR,而且還利用自有技術(shù),通過(guò)優(yōu)化材料,實(shí)現(xiàn)了與平面結(jié)構(gòu)同等的trr特性。例如,從圖7中可以看到使用LED前照燈評(píng)估板進(jìn)行裝機(jī)評(píng)估時(shí)的開(kāi)關(guān)損耗比較情況。在開(kāi)關(guān)過(guò)程中,因VF和trr引起的損耗比例比較高,但RBLQ系列和RLQ系列的trr損耗降低了約37%,VF也同時(shí)降低,因此開(kāi)關(guān)總損耗降低達(dá)26%,這將有助于降低車(chē)載LED前照燈驅(qū)動(dòng)電路、以及xEV用的DC-DC轉(zhuǎn)換器等需要進(jìn)行高速開(kāi)關(guān)的應(yīng)用產(chǎn)品功耗。

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圖7. 實(shí)際裝機(jī)進(jìn)行開(kāi)關(guān)時(shí)的損耗比較

5. 未來(lái)計(jì)劃

隨著消費(fèi)電子領(lǐng)域家電的多功能化,以及在車(chē)載設(shè)備中用來(lái)實(shí)現(xiàn)自動(dòng)駕駛的各種傳感器模塊等各領(lǐng)域應(yīng)用的發(fā)展,預(yù)計(jì)未來(lái)應(yīng)用產(chǎn)品中搭載的二極管數(shù)量將會(huì)繼續(xù)增加。另外,在工業(yè)設(shè)備和xEV等車(chē)載設(shè)備領(lǐng)域,由于電機(jī)性能日益提高,預(yù)計(jì)電路中的電流也會(huì)越來(lái)越大,因此需要繼續(xù)增強(qiáng)大電流產(chǎn)品陣容。羅姆為了滿足更小型、更大電流、更低損耗、更高性能等諸多難以同時(shí)實(shí)現(xiàn)的需求,一直在推進(jìn)超越需求的開(kāi)發(fā)。例如,作為小型且支持大電流的封裝,羅姆計(jì)劃增強(qiáng)TO-277封裝(6.5mm×4.6mm尺寸)的產(chǎn)品陣容,并且已經(jīng)開(kāi)始了部分產(chǎn)品的量產(chǎn)。還有,預(yù)計(jì)200V耐壓產(chǎn)品在xEV車(chē)載逆變器和車(chē)載充電器等應(yīng)用中的需求將會(huì)迅速增加,因此羅姆已經(jīng)在開(kāi)發(fā)200V耐壓的新產(chǎn)品,并計(jì)劃在2022年內(nèi)投入市場(chǎng)。未來(lái),羅姆將繼續(xù)擴(kuò)充產(chǎn)品陣容,滿足市場(chǎng)多樣化的需求,并為日新月異的下一代車(chē)載應(yīng)用實(shí)現(xiàn)更高性能、更多功能和更低功耗貢獻(xiàn)力量。

審核編輯:湯梓紅

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    的頭像 發(fā)表于 04-28 09:43 ?3483次閱讀
    <b class='flag-5'>組合</b><b class='flag-5'>邏輯</b>電路的類(lèi)型

    【雨的FPGA筆記】基礎(chǔ)知識(shí)-------邏輯電路(2)

    FPGA的邏輯電路基礎(chǔ)知識(shí)四、邏輯邏輯0:表示低電平,對(duì)應(yīng)GND。 邏輯1:表示高電平,對(duì)應(yīng)VCC。 邏輯X:表示未知,可能高電平,可能
    發(fā)表于 12-10 20:32

    【技巧分享】時(shí)序邏輯組合邏輯的區(qū)別和使用

    邏輯反映的電路也有不同,時(shí)序邏輯相當(dāng)于在組合邏輯的基礎(chǔ)多了一個(gè)D觸發(fā)器。 波形圖層面,組合
    發(fā)表于 03-01 19:50

    組合邏輯電路常見(jiàn)的類(lèi)型

    :每個(gè)邏輯門(mén)的邏輯功能。共同組合電路從個(gè)別邏輯門(mén)執(zhí)行期望的應(yīng)用包括由 多路復(fù)用器,解復(fù)用器,編碼器,解碼器,全和半加器等  組合
    發(fā)表于 12-31 17:01

    常見(jiàn)的組合邏輯電路分析

    的分類(lèi)組合邏輯最常見(jiàn)的用途之一是在多路復(fù)用器和多路分解器類(lèi)型的電路中。此處,多個(gè)輸入或輸出連接到公共信號(hào)線,邏輯門(mén)用于解碼地址以選擇單個(gè)數(shù)據(jù)輸入或輸出開(kāi)關(guān)。一個(gè)多路復(fù)用器由兩個(gè)獨(dú)立的組
    發(fā)表于 01-19 09:29

    什么是數(shù)字邏輯門(mén)_數(shù)字邏輯門(mén)基礎(chǔ)知識(shí)

    數(shù)字邏輯門(mén)是一種電子電路,它根據(jù)輸入存在的數(shù)字信號(hào)的組合做出邏輯決策.
    的頭像 發(fā)表于 06-22 08:51 ?1.4w次閱讀

    邏輯電路的基礎(chǔ)知識(shí)

    FPGA (Field Programmable Gate Aray,現(xiàn)場(chǎng)可編程門(mén)陣列)是一種可通過(guò)重新編程來(lái)實(shí)現(xiàn)用戶所需邏輯電路的半導(dǎo)體器件。為了便于大家理解FPGA的設(shè)計(jì)和結(jié)構(gòu),我們先來(lái)簡(jiǎn)要介紹一些邏輯電路的基礎(chǔ)知識(shí)。
    的頭像 發(fā)表于 10-13 11:21 ?2.8w次閱讀
    <b class='flag-5'>邏輯</b>電路的<b class='flag-5'>基礎(chǔ)知識(shí)</b>

    CMOS邏輯IC基礎(chǔ)知識(shí):系統(tǒng)認(rèn)識(shí)CMOS邏輯IC

    ——邏輯IC。當(dāng)然,除了用于電機(jī)控制應(yīng)用外,邏輯IC是絕大部分電子系統(tǒng)中必不可少的半導(dǎo)體器件。東芝作為邏輯
    的頭像 發(fā)表于 01-10 09:12 ?1729次閱讀

    一起了解CMOS邏輯IC的基本操作

    使用互補(bǔ)的p溝道和n溝道MOSFET組合的電路稱(chēng)為CMOS(互補(bǔ)MOS)。CMOS邏輯IC以各種方式組合
    的頭像 發(fā)表于 02-21 09:08 ?971次閱讀

    CMOS邏輯IC的基本操作流程

    在上期的芝識(shí)課堂中,我們和大家簡(jiǎn)單認(rèn)識(shí)了邏輯IC的基本知識(shí)和分類(lèi),并且特別提到CMOS邏輯IC
    的頭像 發(fā)表于 02-21 09:08 ?801次閱讀

    CMOS邏輯IC基礎(chǔ)知識(shí)】——受歡迎的CMOS邏輯IC

    在上期的芝識(shí)課堂中,我們和大家簡(jiǎn)單認(rèn)識(shí)了邏輯IC的基本知識(shí)和分類(lèi),并且特別提到CMOS邏輯IC
    的頭像 發(fā)表于 03-13 09:01 ?900次閱讀
    【<b class='flag-5'>CMOS</b><b class='flag-5'>邏輯</b><b class='flag-5'>IC</b><b class='flag-5'>基礎(chǔ)知識(shí)</b>】——受歡迎的<b class='flag-5'>CMOS</b><b class='flag-5'>邏輯</b><b class='flag-5'>IC</b>

    CMOS邏輯IC基礎(chǔ)知識(shí)解密組合邏輯背后強(qiáng)大用途()

    在前面的芝識(shí)課堂中,我們跟大家簡(jiǎn)單介紹了邏輯IC的基本知識(shí)和分類(lèi),并且特別提到CMOS邏輯IC
    的頭像 發(fā)表于 05-05 09:17 ?620次閱讀
    <b class='flag-5'>CMOS</b><b class='flag-5'>邏輯</b><b class='flag-5'>IC</b><b class='flag-5'>基礎(chǔ)知識(shí)</b>:<b class='flag-5'>解密</b><b class='flag-5'>組合</b><b class='flag-5'>邏輯</b><b class='flag-5'>背后</b>的<b class='flag-5'>強(qiáng)大用途</b>(<b class='flag-5'>上</b>)

    組合邏輯電路的相關(guān)知識(shí)

    本篇內(nèi)容主要回顧第三章組合邏輯電路的知識(shí),雖然前面提到過(guò)組合邏輯電路是數(shù)字電路中很重要的一部分,但是學(xué)習(xí)起來(lái)相對(duì)簡(jiǎn)單,主要是要學(xué)會(huì)掌握方法。
    的頭像 發(fā)表于 05-24 14:38 ?1973次閱讀
    <b class='flag-5'>組合</b><b class='flag-5'>邏輯</b>電路的相關(guān)<b class='flag-5'>知識(shí)</b>

    在Artix 7 FPGA使用Vivado的組合邏輯與順序邏輯

    電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《在Artix 7 FPGA使用Vivado的組合邏輯與順序邏輯.zip》資料免費(fèi)下載
    發(fā)表于 06-15 09:14 ?0次下載
    在Artix 7 FPGA<b class='flag-5'>上</b>使用Vivado的<b class='flag-5'>組合</b><b class='flag-5'>邏輯</b>與順序<b class='flag-5'>邏輯</b>

    簡(jiǎn)單認(rèn)識(shí)邏輯電路的用途

    在數(shù)字電子的世界里,每一個(gè)決策、每一條指令、每一次數(shù)據(jù)處理,都離不開(kāi)CMOS邏輯IC的掌控。CMOS邏輯
    的頭像 發(fā)表于 11-01 15:44 ?174次閱讀