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未來智能城市的動力引擎:潤新微電子的650V GaN功率晶體管(FET)

愛美雅電子 ? 來源:jf_45550425 ? 作者:jf_45550425 ? 2023-06-12 16:38 ? 次閱讀

潤新微電子(Runxin Microelectronics)榮幸推出了最新一代的650V GaN功率晶體管(FET),該產(chǎn)品具備卓越的性能和廣泛的應(yīng)用領(lǐng)域。

產(chǎn)品特點(diǎn):

易于使用:650V GaN功率晶體管與標(biāo)準(zhǔn)門極驅(qū)動器兼容,方便集成到現(xiàn)有系統(tǒng)中。

優(yōu)秀的性能:具備出色的功率損耗特性,顯著降低能量損失,提高系統(tǒng)效率。

無需自由輪二極管:由于650V GaN功率晶體管的特性,無需額外添加自由輪二極管,簡化了系統(tǒng)設(shè)計(jì)。

低開關(guān)損耗:采用先進(jìn)的GaN技術(shù),650V GaN功率晶體管具有較低的開關(guān)損耗,提高了能源利用效率。

環(huán)保認(rèn)證:產(chǎn)品符合RoHS指令要求,無鹵素材料使用,對環(huán)境友好。

應(yīng)用領(lǐng)域:

高效能電源供應(yīng)器:650V GaN功率晶體管適用于工業(yè)、通信、電力等領(lǐng)域的高效能電源供應(yīng)器,提供可靠的電源支持。

通信與數(shù)據(jù)中心:可廣泛應(yīng)用于通信設(shè)備、服務(wù)器和數(shù)據(jù)存儲系統(tǒng),為其提供高效能的能源轉(zhuǎn)換。

汽車電子:可應(yīng)用于電動汽車、混合動力汽車等汽車電子系統(tǒng)中,提供可靠的功率控制。

封裝信息: 產(chǎn)品型號:RX65T125H518 封裝類型:DFN8x8

電氣特性(在Te=25°C時(shí),除非另有規(guī)定):

額定漏極電流(Continuous Drain Current @ Te=25°C):125A

額定漏極電流(Continuous Drain Current @ Tc=100°C):82A

脈沖漏極電流(Pulsed Drain Current @ Te=25°C,脈寬:10μs):650A

阻塞電壓(Drain-to-Source Voltage):690V

開啟溫度(Qgating temperature):-55°C至150°C

其他特性:

靜態(tài)開啟電壓(Vgs):±20V

最大功率耗散(Maximum Power Dissipation @ Te=25°C):800W

工作溫度范圍(Operating Temperature Range):-55°C至150°C

存儲溫度范圍(Storage Temperature Range):-55°C至150°C

潤新微電子的650V GaN功率晶體管(FET)是未來智能電子系統(tǒng)中的創(chuàng)新產(chǎn)品。它的高性能和廣泛應(yīng)用領(lǐng)域使其成為先進(jìn)技術(shù)的重要組成部分。

該650V GaN功率晶體管的主要特點(diǎn)之一是其與標(biāo)準(zhǔn)門極驅(qū)動器的兼容性。這意味著用戶可以輕松將其集成到現(xiàn)有的電子系統(tǒng)中,無需進(jìn)行復(fù)雜的改裝或更換。這大大減少了產(chǎn)品應(yīng)用的難度和成本,為用戶提供了更高的靈活性。

650V GaN功率晶體管還具有卓越的性能,特別是在功率損耗方面。由于采用了GaN技術(shù),它具有更低的開關(guān)損耗,可顯著提高能源利用效率。這對于高效能電源供應(yīng)器、通信和數(shù)據(jù)中心以及汽車電子等領(lǐng)域的應(yīng)用至關(guān)重要。用戶可以在這些領(lǐng)域中獲得更高的效率和可靠性。

另一個(gè)重要的特點(diǎn)是650V GaN功率晶體管無需額外添加自由輪二極管。傳統(tǒng)的功率晶體管在開關(guān)過程中需要自由輪二極管來處理電流的反向流動。然而,650V GaN功率晶體管的特性使其能夠在開關(guān)過程中有效地處理反向電流,從而簡化了系統(tǒng)設(shè)計(jì)。這樣的設(shè)計(jì)優(yōu)化不僅減少了電路的復(fù)雜性,還提高了系統(tǒng)的可靠性和效率。

在環(huán)保方面,潤新微電子的650V GaN功率晶體管符合RoHS指令要求,并使用無鹵素材料。這體現(xiàn)了潤新微電子對環(huán)境友好的承諾,并對可持續(xù)發(fā)展做出了積極的貢獻(xiàn)。

總結(jié): 潤新微電子的650V GaN功率晶體管(FET)是一款高性能、易于集成、環(huán)保節(jié)能的創(chuàng)新產(chǎn)品。它的廣泛應(yīng)用領(lǐng)域包括高效能電源供應(yīng)器、通信和數(shù)據(jù)中心以及汽車電子等領(lǐng)域。這款產(chǎn)品的出現(xiàn)將為未來智能城市和可持續(xù)發(fā)展提供強(qiáng)大的支持。潤新微電子將繼續(xù)致力于研發(fā)創(chuàng)新產(chǎn)品,推動科技進(jìn)步,為用戶創(chuàng)造更美好的未來。

審核編輯黃宇

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
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