納微半導(dǎo)體GeneSiC碳化硅MOSFETs為高頻充電樁實(shí)現(xiàn)最佳充電效果

納微半導(dǎo)體GeneSiC碳化硅MOSFETs為?？巳鹿I(yè)物流車輛的高頻充電樁帶來更高效率和更優(yōu)溫控表現(xiàn)

美國加利福尼亞州托倫斯，2023年5月18日訊 —— 納微半導(dǎo)體（納斯達(dá)克股票代碼：NVTS）宣布?？巳?a href="http://ttokpm.com/v/" target="_blank">科技集團(tuán)（Exide Technologies）用于匹配工業(yè)物料搬運(yùn)設(shè)備的下一代高頻快速充電樁已采用納微旗下領(lǐng)先的GeneSiC碳化硅功率半導(dǎo)體器件，以確保設(shè)備充電的可靠性、安全性、易用性并實(shí)現(xiàn)最佳的充電效果。

埃克塞德科技集團(tuán)（以下簡稱?？巳拢┦侨蝾I(lǐng)先的工業(yè)和汽車市場創(chuàng)新型可持續(xù)電池儲(chǔ)存解決方案供應(yīng)商。?？巳绿峁┤娴你U酸電池和鋰電池解決方案，廣泛應(yīng)用于各種領(lǐng)域，包括物料搬運(yùn)設(shè)備和機(jī)器人的牽引電池和充電解決方案，以最小化總成本，實(shí)現(xiàn)最大化車隊(duì)可用時(shí)間。

碳化硅（SiC）是一種新的“寬禁帶”功率半導(dǎo)體材料，正在快速取代傳統(tǒng)硅功率芯片，應(yīng)用于可再生能源、儲(chǔ)能、 微網(wǎng)、電動(dòng)汽車和工業(yè)應(yīng)用等高功率、高壓應(yīng)用領(lǐng)域。

GeneSiC“溝槽輔助平面柵極”的碳化硅 MOSFET技術(shù)兼具平面和溝槽的優(yōu)勢，具備高效 、高速的性能。相比其他碳化硅產(chǎn)品，運(yùn)行時(shí)的最高溫度低25°C，壽命延長3倍之多。已公布的100%耐雪崩測試中其耐受能力最高、短路耐受時(shí)間延長30%、并且穩(wěn)定的門極閾值電壓便于并聯(lián)控制。在這些優(yōu)點(diǎn)加持下，GeneSiC MOSFET是工程師研發(fā)高功率、快速市場化的應(yīng)用產(chǎn)品的理想之選。

?？巳碌母哳l充電樁將220伏交流電轉(zhuǎn)換為24至80伏的直流電，為搭載了鉛酸電池和鋰電池的工業(yè)車輛充電。

這款7kW的模塊采用GeneSiC G3R60MT07D （750V） MOSFET和GD10MPS12A （1，200V） MPS 肖特基二極管，并采用頻率優(yōu)化的架構(gòu)。相同的平臺(tái)可升級(jí)至10kW，支持4個(gè)模塊并聯(lián)，實(shí)現(xiàn)高達(dá)40kW、可靠、快速的充電。

“埃克塞德科技集團(tuán)通過全面、智能的快速充電，配上緊密的系統(tǒng)監(jiān)控為全天候運(yùn)轉(zhuǎn)的關(guān)鍵物料搬運(yùn)設(shè)備提供穩(wěn)健的支持，納微半導(dǎo)體的GeneSiC碳化硅技術(shù)易于使用，為產(chǎn)品提供出色的支持，提升了系統(tǒng)效率，同時(shí)還能降低設(shè)備的運(yùn)行溫度?！?/p>