★ EOS -1---EOS的含義與來源 ★★★
€1.什么是EOS
EOS即Electrical Over Stress,指的是過度電性應力,當外界電流或電壓超過器件的最大承受能力時,器件性能會衰退或者直接損壞。這種衰退和損壞的本質是瞬間電流電壓的積聚,導致熱量的爆發(fā),損壞器件的PN結或溝道,即熱損傷,這種損傷一旦形成,不可恢復,只能更換器件。EOS的產生通常來源于一下途徑:
2.測試程式的切換(熱切換)導致的瞬變電流/峰值/低頻干擾,其過程持續(xù)時間可能是幾微秒到幾秒
3.雷擊閃電等外部環(huán)境因素
4.測試程式開關引起的瞬態(tài)毛刺短時脈沖波形干擾
5.測試用例存在缺陷,比如在器件尚未上電或已超過其操作上限的情況下給器件發(fā)送測試信號
6.來自其他設備的脈沖信號干擾,即從其他裝置發(fā)送的脈沖
7.接地點反跳,即由于接地點不夠導致電流快速轉換引起高電壓
從上述EOS的來源和屬性可知,EOS有兩種情況,超高電壓瞬時沖擊和高電壓長時沖擊。我們歸類為靜電(ESD:Electro-Static discharge)和浪涌(Surge)。
€2.ESD和Surge
1.ESD
靜電產生在兩個不同的帶電體之間,當它們接觸或者離開時發(fā)生的電離(大量電荷轉移)現(xiàn)象就是靜電放電,產生極快的瞬態(tài)脈沖電流。其特點是:持續(xù)時間短(高頻,約1GHZ)、大電壓(高電壓至30KV)、短時間(ns級別)內能量大。我們極為熟悉的是冬天離開座椅的時候經常被電擊,秋天晚上摩擦衣服可以看到電火花。靜電會損害電子元器件,使系統(tǒng)失效,天線靈敏度變差或失靈,WiFi接收不到信號等等。
2.Surge
檢測來自故障機的保護器件和方案設計,我們經常會發(fā)現(xiàn):并接在入口端的Zener,ESD管,出現(xiàn)不同程度的損傷,或短路或漏電流變大。其浪涌產生的原因主要來自系統(tǒng)的上電和斷電過程,大的程序運作過程中突然中斷,和其他電力設備進行充電的過程中電力系統(tǒng)切斷或拋負載等。對敏感電子元器件來說,浪涌電壓擊穿半導體器件,破壞元器件金屬化表層,破壞PCB線路或接觸點。破壞三端雙可控硅元件/晶閘,鎖死晶閘管或三端雙向可控硅元件失控。對數(shù)據文件部分造成破壞,數(shù)據處理程序出錯,接收、傳輸數(shù)據錯誤和失敗。系統(tǒng)原因不明的故障,電子元器件提前老化,壽命縮短,設備可靠性降低。Surge的特點是瞬時脈沖電壓大,瞬時脈沖電流大,持續(xù)時間較長,但傳輸頻率低。
3.EFT(脈沖群)
脈沖群可以理解為連續(xù)的脈沖沖擊,可以自定義脈沖高度和寬度以及頻率。脈沖群多數(shù)產生在電網中,在實際電網中,電感負載斷開、繼電器觸點切換以及電機操作時在電路上產生瞬態(tài)脈沖群(EFT)干擾,它可以使受試設備的數(shù)字系統(tǒng)尤其是CPU系統(tǒng)完全陷入混亂,程序
跑飛,系統(tǒng)不斷復位,數(shù)據出現(xiàn)混亂。表1-1對比了三種類型的差異:
表1-1:三種類型的對比表
€3.EOS的兩種模型
1.ESD的模型
ESD的模型我們選取IEC 61000-4-2測試標準(關于ESD的測試標準和用例后面會專門章節(jié)補充):
圖1-1:ESD的測試模型
圖1-1是ESD的電氣模型圖,從圖可知靜電釋放的最尖峰脈沖持續(xù)時間非常短,但峰值電流Ipp很高,達到A級別。從圖可知在峰值脈沖過后還有若干較為弱一些的脈沖產生,那么在ESD的防護中,我們主要瞄準最尖峰的脈沖,最尖峰的脈沖若可以被吸收或泄放,那么后續(xù)的弱脈沖也可以被處理掉。
2.Surge的模型
圖1-2:浪涌的測試模型
波前時間:T3=1.25×T1,半峰值時間:T2=20us±20%
圖1-2是Surge的電氣模型圖,從圖中可知浪涌的正向和反向波形都比較平緩,峰值電流為mA級別,但是持續(xù)時間非常長,并且和ESD相比還具有反向浪涌,所以應對Surge都是以雙向來作為基本防護策略。
小結1.0:回歸到防護本質,防護本質是吸收和泄放,吸收就是將ESD和Surge能量轉化為熱量在脈沖進入IC器件之前。熱量的計算,對ESD和Surge的功率P和持續(xù)時間進行積分,每一個時刻的功率P=I×V,其中V一般是恒定的,所以獲取電流I的波形模擬函數(shù)就可以計算出ESD和Surge期間產生的熱量,此熱量一定要小于防護器件的耐受值,這樣對器件才不會產生熱損傷。
小結2.0:以上三種或自然發(fā)生或人為模擬測試,實質也是一種對硬件系統(tǒng)的干擾,在業(yè)內,抑制干擾的方式,就是在電路中進行濾波處理,濾波處理中,特別是針對大能量的釋放,最好的抑制器件就是TVS管和ESD管。
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