0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內不再提示

9.1.10阻斷電壓∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》

深圳市致知行科技有限公司 ? 2022-03-19 09:35 ? 次閱讀

9.1.10阻斷電壓

9.1雙極結型晶體管(BJT)

第9章雙極型功率開關器件

《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》

e4201096-a6dd-11ec-8b86-dac502259ad0.jpg

e44f98de-a6dd-11ec-8b86-dac502259ad0.jpg

聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • 電壓
    +關注

    關注

    45

    文章

    5542

    瀏覽量

    115506
收藏 人收藏

    評論

    相關推薦

    碳化硅功率器件在能源轉換中的應用

    碳化硅(SiC)功率器件作為一種新興的能源轉換技術,因其優(yōu)異的性能在能源領域受到了廣泛的關注。本文將介紹碳化硅功率器件
    的頭像 發(fā)表于 10-30 15:04 ?108次閱讀

    碳化硅功率器件的工作原理和應用

    碳化硅(SiC)功率器件近年來在電力電子領域取得了顯著的關注和發(fā)展。相比傳統(tǒng)的硅(Si)基功率器件,碳化硅具有許多獨特的優(yōu)點,使其在高效能、高頻率和高溫環(huán)境下的應用中具有明顯的優(yōu)勢。本
    的頭像 發(fā)表于 09-13 11:00 ?408次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>功率<b class='flag-5'>器件</b>的工作原理和應用

    碳化硅功率器件的優(yōu)點和應用

    碳化硅(SiliconCarbide,簡稱SiC)功率器件是近年來電力電子領域的一項革命性技術。與傳統(tǒng)的硅基功率器件相比,碳化硅功率
    的頭像 發(fā)表于 09-11 10:44 ?377次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>功率<b class='flag-5'>器件</b>的優(yōu)點和應用

    碳化硅器件的類型及應用

    碳化硅是一種廣泛用于制造半導體器件的材料,具有比傳統(tǒng)硅更高的電子漂移率和熱導率。這意味著碳化硅器件能夠在更高的溫度和電壓下工作,同時保持穩(wěn)定
    發(fā)表于 04-16 11:54 ?687次閱讀

    碳化硅壓敏電阻 - 氧化鋅 MOV

    和發(fā)電機繞組以及磁線圈中的高關斷電壓。 棒材和管材EAK碳化硅壓敏電阻 這些EAK非線性電阻壓敏電阻由碳化硅制成,具有高功率耗散和高能量吸收。該系列采用棒材和管材制造,外徑范圍為 6 至 30
    發(fā)表于 03-08 08:37

    碳化硅功率器件基本原理、性能優(yōu)勢、應用領域

    碳化硅功率器件主要包括碳化硅二極管(SiC Diode)、碳化硅晶體管(SiC Transistor)等。這些器件通過利用
    發(fā)表于 02-29 14:23 ?1543次閱讀

    簡單認識碳化硅功率器件

    隨著能源危機和環(huán)境污染日益加劇,電力電子技術在能源轉換、電機驅動、智能電網(wǎng)等領域的應用日益廣泛。碳化硅(SiC)功率器件作為第三代半導體材料的代表,具有高溫、高速、高效、高可靠性等優(yōu)點,被譽為“未來電力電子的新星”。本文將詳細介
    的頭像 發(fā)表于 02-21 09:27 ?1060次閱讀

    碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈圖譜

    共讀好書 碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈主要由襯底、外延、器件、應用等環(huán)節(jié)組成。碳化硅晶片作為半導體襯底材料,根據(jù)電阻率不同可分為導電型、半絕緣型。導電型襯底可用于生長
    的頭像 發(fā)表于 01-17 17:55 ?575次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>產(chǎn)業(yè)鏈圖譜

    碳化硅特色工藝模塊簡介

    材料的生長和加工難度較大,其特色工藝模塊的研究和應用成為了當前碳化硅產(chǎn)業(yè)發(fā)展的關鍵。 碳化硅特色工藝模塊主要包括以下幾個方面: 注入摻雜 在碳化硅中,碳硅鍵能較高,雜質原子難以在其中擴
    的頭像 發(fā)表于 01-11 17:33 ?786次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>特色工藝模塊簡介

    碳化硅功率器件簡介、優(yōu)勢和應用

    碳化硅(SiC)是一種優(yōu)良的寬禁帶半導體材料,具有高擊穿電場、高熱導率、低介電常數(shù)等特點,因此在高溫、高頻、大功率應用領域具有顯著優(yōu)勢。碳化硅功率器件是利用碳化硅材料制成的電力電子
    的頭像 發(fā)表于 01-09 09:26 ?2699次閱讀

    碳化硅功率器件基本原理、應用領域及發(fā)展前景

    隨著電力電子技術的不斷發(fā)展,碳化硅(SiC)功率器件作為一種新型的半導體材料,逐漸在電力電子領域嶄露頭角。與傳統(tǒng)的硅功率器件相比,碳化硅功率
    的頭像 發(fā)表于 12-21 09:43 ?783次閱讀

    碳化硅功率器件的原理和應用

    隨著科技的快速發(fā)展,碳化硅(SiC)功率器件作為一種先進的電力電子設備,已經(jīng)廣泛應用于能源轉換、電機控制、電網(wǎng)保護等多個領域。本文將詳細介紹碳化硅功率器件的原理、應用、
    的頭像 發(fā)表于 12-16 10:29 ?1216次閱讀

    三種碳化硅外延生長爐的差異

    碳化硅襯底有諸多缺陷無法直接加工,需要在其上經(jīng)過外延工藝生長出特定單晶薄膜才能制作芯片晶圓,這層薄膜便是外延層。幾乎所有的碳化硅器件均在外延材料上實現(xiàn),高質量的
    的頭像 發(fā)表于 12-15 09:45 ?2856次閱讀
    三種<b class='flag-5'>碳化硅</b>外延<b class='flag-5'>生長</b>爐的差異

    碳化硅的5大優(yōu)勢

    碳化硅(SiC),又名碳化硅,是一種硅和碳化合物。其材料特性使SiC器件具有高阻斷電壓能力和低比導通電阻。
    的頭像 發(fā)表于 12-12 09:47 ?1654次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>的5大優(yōu)勢

    碳化硅器件介紹與仿真

    本推文主要介碳化硅器件,想要入門碳化硅器件的同學可以學習了解。
    的頭像 發(fā)表于 11-27 17:48 ?1609次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>器件</b>介紹與仿真