9.2.1電流-電壓關(guān)系
9.2絕緣柵雙極型晶體管(IGBT)
第9章雙極型功率開關(guān)器件
《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》
代理產(chǎn)品線:
1、國(guó)產(chǎn)AGMCPLD、FPGAPtP替代Altera選型說(shuō)明
2、國(guó)產(chǎn)MCUPtPSTMcu、GDMcu,引腳亦可轉(zhuǎn)換位置靈活重新定義
3、國(guó)產(chǎn)FPGA:原位替換XILINX/賽靈思:SPARTAN6系列4、國(guó)科微GK7202V300 PtP Hi3518EV300 Hi3518ERNCV300 低功耗IPC5、國(guó)科微GK7205V200 PtP Hi3516EV200 Hi3516ERNCV200 4M@18fps
6、GK7205V300 PINtoPIN Hi3516EV300 Hi3516ERBCV300 高清視頻編碼
7、GK7605V100 PINtoPIN Hi3516DV200 Hi3516DRBCV200 HD IP攝像機(jī)IC
8、MCU.十速科技.32位∈4位、8位、8051單片機(jī)
9、中國(guó)芯.HX2401C 2.4G PA芯片 直接PINtoPIN替換XX2401
10、MCU.十速科技.32位∈4位、8位、8051單片機(jī)
聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。
舉報(bào)投訴
相關(guān)推薦
碳化硅(SiC)功率器件作為一種新興的能源轉(zhuǎn)換技術(shù),因其優(yōu)異的性能在能源領(lǐng)域受到了廣泛的關(guān)注。本文將介紹碳化硅功率器件的
發(fā)表于 10-30 15:04
?108次閱讀
碳化硅(SiC)功率器件近年來(lái)在電力電子領(lǐng)域取得了顯著的關(guān)注和發(fā)展。相比傳統(tǒng)的硅(Si)基功率器件,碳化硅具有許多獨(dú)特的優(yōu)點(diǎn),使其在高效能、高頻率和高溫環(huán)境下的應(yīng)用中具有明顯的優(yōu)勢(shì)。本
發(fā)表于 09-13 11:00
?408次閱讀
碳化硅(SiliconCarbide,簡(jiǎn)稱SiC)功率器件是近年來(lái)電力電子領(lǐng)域的一項(xiàng)革命性技術(shù)。與傳統(tǒng)的硅基功率器件相比,碳化硅功率
發(fā)表于 09-11 10:44
?377次閱讀
碳化硅是一種廣泛用于制造半導(dǎo)體器件的材料,具有比傳統(tǒng)硅更高的電子漂移率和熱導(dǎo)率。這意味著碳化硅器件能夠在更高的溫度和電壓下工作,同時(shí)保持穩(wěn)定
發(fā)表于 04-16 11:54
?687次閱讀
圓盤的能量吸收范圍高達(dá) 122,290J,允許圓盤組件具有數(shù)十兆焦耳的極高能量吸收額定值。 電氣參數(shù) EAK碳化硅磁盤應(yīng)用來(lái)自雷電、電感或電容耦合的電源過電壓。開關(guān)帶感性負(fù)載的觸點(diǎn)。變壓器、電機(jī)
發(fā)表于 03-08 08:37
碳化硅功率器件主要包括碳化硅二極管(SiC Diode)、碳化硅晶體管(SiC Transistor)等。這些器件通過利用
發(fā)表于 02-29 14:23
?1543次閱讀
隨著能源危機(jī)和環(huán)境污染日益加劇,電力電子技術(shù)在能源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域的應(yīng)用日益廣泛。碳化硅(SiC)功率器件作為第三代半導(dǎo)體材料的代表,具有高溫、高速、高效、高可靠性等優(yōu)點(diǎn),被譽(yù)為“未來(lái)電力電子的新星”。本文將詳細(xì)介
發(fā)表于 02-21 09:27
?1060次閱讀
共讀好書 碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈主要由襯底、外延、器件、應(yīng)用等環(huán)節(jié)組成。碳化硅晶片作為半導(dǎo)體襯底材料,根據(jù)電阻率不同可分為導(dǎo)電型、半絕緣型。導(dǎo)電型襯底可用于生長(zhǎng)
發(fā)表于 01-17 17:55
?575次閱讀
材料的生長(zhǎng)和加工難度較大,其特色工藝模塊的研究和應(yīng)用成為了當(dāng)前碳化硅產(chǎn)業(yè)發(fā)展的關(guān)鍵。 碳化硅特色工藝模塊主要包括以下幾個(gè)方面: 注入摻雜 在碳化硅中,碳硅鍵能較高,雜質(zhì)原子難以在其中擴(kuò)
發(fā)表于 01-11 17:33
?786次閱讀
碳化硅(SiC)是一種優(yōu)良的寬禁帶半導(dǎo)體材料,具有高擊穿電場(chǎng)、高熱導(dǎo)率、低介電常數(shù)等特點(diǎn),因此在高溫、高頻、大功率應(yīng)用領(lǐng)域具有顯著優(yōu)勢(shì)。碳化硅功率器件是利用碳化硅材料制成的電力電子
發(fā)表于 01-09 09:26
?2699次閱讀
其未來(lái)應(yīng)用前景廣闊,具有很高的實(shí)用性。 首先,碳化硅功率器件的材料特性使其成為目前電力電子技術(shù)中的熱門研究方向之一。相較于硅基功率器件,碳化硅
發(fā)表于 12-21 11:27
?563次閱讀
隨著電力電子技術(shù)的不斷發(fā)展,碳化硅(SiC)功率器件作為一種新型的半導(dǎo)體材料,逐漸在電力電子領(lǐng)域嶄露頭角。與傳統(tǒng)的硅功率器件相比,碳化硅功率
發(fā)表于 12-21 09:43
?783次閱讀
隨著科技的快速發(fā)展,碳化硅(SiC)功率器件作為一種先進(jìn)的電力電子設(shè)備,已經(jīng)廣泛應(yīng)用于能源轉(zhuǎn)換、電機(jī)控制、電網(wǎng)保護(hù)等多個(gè)領(lǐng)域。本文將詳細(xì)介紹碳化硅功率器件的原理、應(yīng)用、
發(fā)表于 12-16 10:29
?1216次閱讀
碳化硅襯底有諸多缺陷無(wú)法直接加工,需要在其上經(jīng)過外延工藝生長(zhǎng)出特定單晶薄膜才能制作芯片晶圓,這層薄膜便是外延層。幾乎所有的碳化硅器件均在外延材料上實(shí)現(xiàn),高質(zhì)量的
發(fā)表于 12-15 09:45
?2856次閱讀
本推文主要介碳化硅器件,想要入門碳化硅器件的同學(xué)可以學(xué)習(xí)了解。
發(fā)表于 11-27 17:48
?1609次閱讀
評(píng)論