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審稿人:北京大學(xué) 張興 蔡一茂
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10.3 集成電路新材料
第10章 集成電路基礎(chǔ)研究與前沿技術(shù)發(fā)展
《集成電路產(chǎn)業(yè)全書》下冊(cè)
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集成電路
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全新潛力:金剛石作為下一代半導(dǎo)體的角逐者
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西安交大成功批量制備2英寸自支撐單晶金剛石外延襯底?
金剛石半導(dǎo)體因其超寬帶許、高壓、高載流子飽和漂移速度和優(yōu)良的熱導(dǎo)率而被青睞,尤其是其卓越的器件品質(zhì)因子,使之成為制備耐高溫、高頻、大功率和抗輻射電子產(chǎn)品的理想襯底,有效解決了“自熱效應(yīng)”和“雪崩擊穿”等關(guān)鍵問題。在5G/6G通信、微波/毫米波集成電路、探測(cè)與傳感等領(lǐng)域有著
一種新型復(fù)合SiC-金剛石襯底與GaN器件結(jié)合的新工藝流程和制備方案
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CVD金剛石在機(jī)械密封領(lǐng)域中的應(yīng)用
隨著科技的不斷發(fā)展,金剛石在許多領(lǐng)域中都展現(xiàn)出了巨大的應(yīng)用潛力。其中,化學(xué)氣相沉積(CVD)金剛石由于其獨(dú)特的物理和化學(xué)性質(zhì),尤其在機(jī)械密封領(lǐng)域中有著廣泛的應(yīng)用前景。
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