0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫(xiě)文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

11.4.1 光伏電源逆變器∈《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》

深圳市致知行科技有限公司 ? 2022-04-21 10:23 ? 次閱讀

11.4.1 光伏電源逆變器

11.4 電力電子學(xué)與可再生能源

第11章碳化硅器件在電力系統(tǒng)中的應(yīng)用

《碳化硅技術(shù)基本原理——生長(zhǎng)、表征、器件和應(yīng)用》

f5edf96a-c0cc-11ec-82f6-dac502259ad0.jpg

f61c8b40-c0cc-11ec-82f6-dac502259ad0.jpg

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫(xiě)或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 逆變器
    +關(guān)注

    關(guān)注

    281

    文章

    4664

    瀏覽量

    205980
  • 碳化硅
    +關(guān)注

    關(guān)注

    25

    文章

    2680

    瀏覽量

    48790
收藏 人收藏

    評(píng)論

    相關(guān)推薦

    碳化硅功率器件在能源轉(zhuǎn)換中的應(yīng)用

    碳化硅(SiC)功率器件作為一種新興的能源轉(zhuǎn)換技術(shù),因其優(yōu)異的性能在能源領(lǐng)域受到了廣泛的關(guān)注。本文將介紹碳化硅功率器件
    的頭像 發(fā)表于 10-30 15:04 ?98次閱讀

    碳化硅二極管怎么選

    選擇碳化硅二極管需考慮以下因素。
    的頭像 發(fā)表于 09-29 14:33 ?246次閱讀
    <b class='flag-5'>光</b><b class='flag-5'>伏</b>板<b class='flag-5'>碳化硅</b>二極管怎么選

    碳化硅功率器件的優(yōu)點(diǎn)和應(yīng)用

    碳化硅(SiliconCarbide,簡(jiǎn)稱SiC)功率器件是近年來(lái)電力電子領(lǐng)域的一項(xiàng)革命性技術(shù)。與傳統(tǒng)的硅基功率器件相比,碳化硅功率
    的頭像 發(fā)表于 09-11 10:44 ?354次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>功率<b class='flag-5'>器件</b>的優(yōu)點(diǎn)和應(yīng)用

    基本半導(dǎo)體攜多款碳化硅新品精彩亮相2024 SNEC國(guó)際

    產(chǎn)品,吸引逾50萬(wàn)專業(yè)觀眾參與。 基本半導(dǎo)體攜2000V/1700V系列高壓碳化硅MOSFET、第三代碳化硅MOSFET、工業(yè)級(jí)碳化硅功率模塊PcoreTM2 E1B、工業(yè)級(jí)碳化硅半橋
    的頭像 發(fā)表于 06-15 09:20 ?743次閱讀
    基本半導(dǎo)體攜多款<b class='flag-5'>碳化硅</b>新品精彩亮相2024 SNEC國(guó)際<b class='flag-5'>光</b><b class='flag-5'>伏</b>展

    碳化硅壓敏電阻 - 氧化鋅 MOV

    圓盤(pán)的能量吸收范圍高達(dá) 122,290J,允許圓盤(pán)組件具有數(shù)十兆焦耳的極高能量吸收額定值。 電氣參數(shù) EAK碳化硅磁盤(pán)應(yīng)用來(lái)自雷電、電感或電容耦合的電源過(guò)電壓。開(kāi)關(guān)帶感性負(fù)載的觸點(diǎn)。變壓器、電機(jī)
    發(fā)表于 03-08 08:37

    碳化硅功率器件基本原理、性能優(yōu)勢(shì)、應(yīng)用領(lǐng)域

    碳化硅功率器件主要包括碳化硅二極管(SiC Diode)、碳化硅晶體管(SiC Transistor)等。這些器件通過(guò)利用
    發(fā)表于 02-29 14:23 ?1529次閱讀

    簡(jiǎn)單認(rèn)識(shí)碳化硅功率器件

    隨著能源危機(jī)和環(huán)境污染日益加劇,電力電子技術(shù)在能源轉(zhuǎn)換、電機(jī)驅(qū)動(dòng)、智能電網(wǎng)等領(lǐng)域的應(yīng)用日益廣泛。碳化硅(SiC)功率器件作為第三代半導(dǎo)體材料的代表,具有高溫、高速、高效、高可靠性等優(yōu)點(diǎn),被譽(yù)為“未來(lái)電力電子的新星”。本文將詳細(xì)介
    的頭像 發(fā)表于 02-21 09:27 ?1052次閱讀

    碳化硅產(chǎn)業(yè)鏈圖譜

    、碳化硅MOSFET等功率器件,應(yīng)用于新能源汽車、發(fā)電、軌道交通、智能電網(wǎng)、航空航天等領(lǐng)域;半絕緣型襯底可用于生長(zhǎng)氮化鎵外延片,制成耐高
    的頭像 發(fā)表于 01-17 17:55 ?568次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b>產(chǎn)業(yè)鏈圖譜

    碳化硅逆變器是什么 功能介紹

    碳化硅逆變器是一種基于碳化硅(SiC)半導(dǎo)體材料的功率電子設(shè)備,主要用于將直流電轉(zhuǎn)換為交流電。與傳統(tǒng)的硅基功率器件相比,碳化硅
    的頭像 發(fā)表于 01-10 13:55 ?1457次閱讀

    ?碳化硅助力實(shí)現(xiàn)PFC技術(shù)的變革

    碳化硅(SiC)功率器件已經(jīng)被廣泛應(yīng)用于服務(wù)器電源、儲(chǔ)能系統(tǒng)和逆變器等領(lǐng)域。近些年來(lái),汽車行
    的頭像 發(fā)表于 01-02 10:01 ?1069次閱讀
    ?<b class='flag-5'>碳化硅</b>助力實(shí)現(xiàn)PFC<b class='flag-5'>技術(shù)</b>的變革

    碳化硅器件領(lǐng)域,中外的現(xiàn)況如何?

    導(dǎo)電型碳化硅功率器件主要是通過(guò)在導(dǎo)電型襯底上生長(zhǎng)碳化硅外延層,得到碳化硅外延片后進(jìn)一步加工制成,品種包括SBD(肖特基二極管)、MOSFET
    發(fā)表于 12-27 10:08 ?424次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>器件</b>領(lǐng)域,中外的現(xiàn)況如何?

    碳化硅功率器件基本原理、應(yīng)用領(lǐng)域及發(fā)展前景

    隨著電力電子技術(shù)的不斷發(fā)展,碳化硅(SiC)功率器件作為一種新型的半導(dǎo)體材料,逐漸在電力電子領(lǐng)域嶄露頭角。與傳統(tǒng)的硅功率器件相比,碳化硅功率
    的頭像 發(fā)表于 12-21 09:43 ?776次閱讀

    三種碳化硅外延生長(zhǎng)爐的差異

    碳化硅襯底有諸多缺陷無(wú)法直接加工,需要在其上經(jīng)過(guò)外延工藝生長(zhǎng)出特定單晶薄膜才能制作芯片晶圓,這層薄膜便是外延層。幾乎所有的碳化硅器件均在外延材料上實(shí)現(xiàn),高質(zhì)量的
    的頭像 發(fā)表于 12-15 09:45 ?2817次閱讀
    三種<b class='flag-5'>碳化硅</b>外延<b class='flag-5'>生長(zhǎng)</b>爐的差異

    碳化硅器件介紹與仿真

    本推文主要介碳化硅器件,想要入門(mén)碳化硅器件的同學(xué)可以學(xué)習(xí)了解。
    的頭像 發(fā)表于 11-27 17:48 ?1585次閱讀
    <b class='flag-5'>碳化硅</b><b class='flag-5'>器件</b>介紹與仿真