說(shuō)明
碳化硅(SiC)是一種應(yīng)用十分普遍的人造材料,與Si器件相比,以碳化硅(Silicon Carbide SiC)為代表的寬禁帶半導(dǎo)體功率器件具有更高的電壓等級(jí)、更高的開(kāi)關(guān)速度、更高的結(jié)溫、更低的開(kāi)關(guān)損耗等優(yōu)勢(shì)。系統(tǒng)優(yōu)點(diǎn)包括最高能效、更快的運(yùn)行頻率、提高的功率密度、降低的 EMI,以及減小的系統(tǒng)尺寸和成本。
詳情
SiC二極管如650V和1200V,32AMS2H32120G1就是個(gè)例子,Sic開(kāi)關(guān)時(shí)間很快,開(kāi)關(guān)損耗幾乎為0,具有電流不受溫度影響的開(kāi)關(guān)特性,因此非常適用于先進(jìn)的太陽(yáng)能發(fā)電應(yīng)用。美浦森SiC二極管,已通過(guò)車規(guī)級(jí)認(rèn)證,有650V和1200V兩個(gè)電壓平臺(tái)可供選擇,電流從2A到60A。
相應(yīng)型號(hào)如下表所示。
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