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北京2023年6月15-17日《硬件電路可靠性設(shè)計(jì)、測(cè)試與案例分析》即將開(kāi)課!

賽盛技術(shù) ? 2023-05-18 10:40 ? 次閱讀

課程名稱:硬件電路可靠性設(shè)計(jì)、測(cè)試與案例分析》

講師:王老師

時(shí)間地點(diǎn):北京6月15日-17日

主辦單位:賽盛技術(shù)

課程特色

1.案例多,案例均來(lái)自于電路設(shè)計(jì)缺陷導(dǎo)致的實(shí)際產(chǎn)品可靠性問(wèn)題

2.課程內(nèi)容圍繞電路可靠性設(shè)計(jì)所涉及的主要環(huán)節(jié),針對(duì)電路研發(fā)過(guò)程中可能遇到可靠性問(wèn)題,針對(duì)電路設(shè)計(jì)、元器件應(yīng)用中潛在的缺陷,基于大量工程設(shè)計(jì)實(shí)例和故障案例,進(jìn)行深入解析

3.每個(gè)技術(shù)要點(diǎn),均通過(guò)工程實(shí)踐中的實(shí)際案例分析導(dǎo)入,并從案例中提取出一般性的方法、思路,引導(dǎo)學(xué)員,將這些方法落地,在工程實(shí)踐中加以應(yīng)用

面向人群

硬件設(shè)計(jì)工程師,硬件測(cè)試工程師,PCB設(shè)計(jì)工程師,EMC工程師,PI工程師,SI工程師,項(xiàng)目經(jīng)理,技術(shù)支持工程師,研發(fā)主管,研發(fā)總監(jiān),研發(fā)經(jīng)理,測(cè)試經(jīng)理,系統(tǒng)測(cè)試工程師,具有1年以上工作經(jīng)驗(yàn)的硬件設(shè)計(jì)師、項(xiàng)目管理人員。

課程內(nèi)容

第一章 與硬件電路可靠性相關(guān)的幾個(gè)關(guān)鍵問(wèn)題的分析

在硬件電路的可靠性設(shè)計(jì)中,以下8個(gè)關(guān)鍵點(diǎn)至關(guān)重要。對(duì)每個(gè)關(guān)鍵點(diǎn),Randy均基于具體的工程實(shí)例,加以詳細(xì)分析。

1.關(guān)鍵點(diǎn)1:質(zhì)量與可靠性的區(qū)別

2.關(guān)鍵點(diǎn)2:產(chǎn)品壽命與產(chǎn)品個(gè)體故障之間的關(guān)系

3.關(guān)鍵點(diǎn)3:硬件產(chǎn)品研發(fā)中不可忽略的法則

4.關(guān)鍵點(diǎn)4:硬件電路設(shè)計(jì)中提高可靠性的兩個(gè)主要方法

5.關(guān)鍵點(diǎn)5:板內(nèi)電路測(cè)試、系統(tǒng)測(cè)試、可靠性測(cè)試,三者間的關(guān)系

6.關(guān)鍵點(diǎn)6:關(guān)注溫度變化引起的電路特性改變,掌握其變化規(guī)律

7.關(guān)鍵點(diǎn)7:判斷是否可能出現(xiàn)潛在故障,最關(guān)鍵的判決依據(jù)

8.關(guān)鍵點(diǎn)8:穩(wěn)態(tài)和瞬態(tài)沖擊對(duì)電路應(yīng)力的影響及其差別,以及如何從datasheet中提取這類要求

9.總結(jié):針對(duì)可靠性,電路設(shè)計(jì)需要特別關(guān)注的關(guān)鍵點(diǎn)是什么?


第二章 電路元器件選型和應(yīng)用中的可靠性

1.鉭電容、鋁電解電容、陶瓷電容,選型與應(yīng)用中的可靠性問(wèn)題,各類電容在哪些場(chǎng)合應(yīng)避免使用,及案例分析

2.電感、磁珠,應(yīng)用中的可靠性問(wèn)題,及案例分析

3.共模電感(共模扼流圈)選型時(shí)的考慮因素與實(shí)例

4.二極管、肖特基二極管、三極管、MOSFET,選型與應(yīng)用中的可靠性問(wèn)題,及案例分析

5.晶體、晶振,應(yīng)用中的可靠性問(wèn)題,及案例分析

6.保險(xiǎn)管應(yīng)用中的可靠性問(wèn)題,保險(xiǎn)管選型與計(jì)算實(shí)例

7.光耦等隔離元器件應(yīng)用中的可靠性問(wèn)題,及從可靠性出發(fā)的參數(shù)計(jì)算方法

8.緩沖器(buffer)在可靠性設(shè)計(jì)中的應(yīng)用與實(shí)例

9.I2C電路常見(jiàn)的可靠性問(wèn)題與對(duì)策,及工程實(shí)例

10.電路上拉、下拉電阻的阻值計(jì)算與可靠性問(wèn)題,及工程實(shí)例

11.復(fù)位電路常見(jiàn)的可靠性問(wèn)題與案例分析

12.元器件參數(shù)值的偏差引起的可靠性問(wèn)題,及計(jì)算實(shí)例

13.同一物料編碼下多個(gè)元器件的驗(yàn)證,及故障案例分析


第三章 芯片應(yīng)用中的可靠性

1.芯片容易受到的兩種損傷(ESD和EOS)及機(jī)理分析、工程實(shí)例解析

2.芯片信號(hào)接口受到的過(guò)沖及分析,工程案例解析

3.芯片的驅(qū)動(dòng)能力及相關(guān)的可靠性問(wèn)題,驅(qū)動(dòng)能力計(jì)算方法與實(shí)例

4.是否需要采用擴(kuò)頻時(shí)鐘,及其可靠性分析與案例解析

5.DDRx SDRAM應(yīng)用中的可靠性問(wèn)題與案例

6.Flash存儲(chǔ)器應(yīng)用中的可靠性問(wèn)題與案例

7.芯片型號(hào)導(dǎo)致的問(wèn)題與案例分析、規(guī)避策略

8.讀懂芯片手冊(cè)---學(xué)會(huì)尋找datasheet提出的對(duì)設(shè)計(jì)的要求

9.芯片升級(jí)換代可能產(chǎn)生的可靠性問(wèn)題,案例分析

10.高溫、低溫等極限環(huán)境對(duì)芯片的壓力分析、案例解析

11.信號(hào)抖動(dòng)對(duì)芯片接收端工作的可靠性影響、調(diào)試方法與案例分析


第四章 元器件、芯片的降額設(shè)計(jì)與實(shí)例分析

1.當(dāng)前企業(yè)里降額設(shè)計(jì)的工作模式

2.降額設(shè)計(jì)的兩個(gè)誤區(qū)與分析

3.降額的原理與分析

4.降額標(biāo)準(zhǔn)與企事業(yè)單位制定本單位降額標(biāo)準(zhǔn)的方式

5.工程設(shè)計(jì)中,關(guān)于降額的幾個(gè)問(wèn)題與分析

6.元器件參數(shù)降額---電阻降額計(jì)算與分析實(shí)例

7.元器件參數(shù)降額---電容降額計(jì)算與分析實(shí)例

8.元器件參數(shù)降額---MOSFET降額計(jì)算與分析實(shí)例

9.元器件參數(shù)降額---芯片降額計(jì)算與分析實(shí)例

10.元器件參數(shù)降額---有些時(shí)候額定值不夠,需要升額


第五章 時(shí)鐘、濾波、監(jiān)測(cè)等電路設(shè)計(jì)中的可靠性

1.時(shí)鐘電路設(shè)計(jì)的可靠性

時(shí)鐘電路9個(gè)潛在的可靠性問(wèn)題與案例分析

時(shí)鐘電路的PCB設(shè)計(jì)要點(diǎn)與案例分析

2.時(shí)序設(shè)計(jì)的可靠性問(wèn)題與案例分析

3.濾波電路設(shè)計(jì)的可靠性

濾波電路7個(gè)潛在的可靠性問(wèn)題與案例分析

濾波電路設(shè)計(jì)中,最難解決的兩個(gè)問(wèn)題及其對(duì)可靠性的影響、解決對(duì)策

濾波電路PCB設(shè)計(jì)與潛在的可靠性問(wèn)題、案例分析

4.監(jiān)測(cè)電路設(shè)計(jì)的可靠性

硬件電路設(shè)計(jì)中常用的監(jiān)測(cè)方法、5個(gè)關(guān)鍵監(jiān)測(cè)環(huán)節(jié)、工程設(shè)計(jì)實(shí)例分析

監(jiān)測(cè)電路的可靠性問(wèn)題與案例分析


第六章 電路設(shè)計(jì)中與“熱”相關(guān)的可靠性

1.熱是如何影響電子產(chǎn)品的可靠性的?分析、計(jì)算與案例解析

2.在電子設(shè)計(jì)中,如何控制“熱”的影響---10個(gè)要點(diǎn)與案例分析

3.電路可靠性設(shè)計(jì)中關(guān)于“熱”的誤區(qū)---7個(gè)誤區(qū)與案例分析

4.元器件連續(xù)工作和斷續(xù)工作,對(duì)壽命的影響


第七章 電路保護(hù)、防護(hù)等設(shè)計(jì)中的可靠性

1.防反插設(shè)計(jì)中潛在的可靠性問(wèn)題---結(jié)合實(shí)例分析

2.上電沖擊存在的可靠性問(wèn)題與案例分析

3.I/O口的可靠性隱患---5種I/O口沖擊方式,案例解析與規(guī)避策略

4.主備冗余提高可靠性---幾種主備冗余的設(shè)計(jì)方法與實(shí)例

5.多電路板通過(guò)連接器互連的設(shè)計(jì)中,潛在的可靠性問(wèn)題與解決方法

6.如何在過(guò)流保護(hù)電路的設(shè)計(jì)上提高可靠性,問(wèn)題、策略與案例

7.如何在防護(hù)電路的設(shè)計(jì)上提高可靠性,常見(jiàn)問(wèn)題、規(guī)避方法與案例解析

8.防護(hù)電路中TVS管應(yīng)用的可靠性要點(diǎn)與應(yīng)用實(shí)例

9.鉗位二極管應(yīng)用中的可靠性問(wèn)題,案例分析

10.低功耗設(shè)計(jì)中的可靠性隱患


第八章電源電路設(shè)計(jì)中的可靠性

1.選擇電源模塊還是選擇電源芯片自己搭建電源電路---這兩種方案各自的優(yōu)勢(shì)及潛在的問(wèn)題、案例分析

2.采用集中式一級(jí)電源還是分布式兩級(jí)電源,各自的優(yōu)缺點(diǎn)

3.電源電路最容易導(dǎo)致可靠性問(wèn)題的幾個(gè)環(huán)節(jié)---分析與案例

4.LDO電源容易產(chǎn)生的幾個(gè)可靠性問(wèn)題,及案例分析

5.開(kāi)關(guān)電源設(shè)計(jì)的六個(gè)可靠性問(wèn)題---原理分析、實(shí)例波形、解決方法與工程策略

6.提高電源電路可靠性的16個(gè)設(shè)計(jì)要點(diǎn)與案例分析


第九章 PCB設(shè)計(jì)、抗干擾設(shè)計(jì)中的可靠性

1.表層走線還是內(nèi)層走線,各自的優(yōu)缺點(diǎn),什么場(chǎng)合應(yīng)優(yōu)選表層走線,什么場(chǎng)合應(yīng)優(yōu)選內(nèi)層走線,實(shí)例分析

2.如何規(guī)避表層走線對(duì)EMI的貢獻(xiàn)---方法與實(shí)例

3.對(duì)PCB表層,在什么場(chǎng)合需要鋪地銅箔?什么場(chǎng)合不應(yīng)該鋪地銅箔?該操作可能存在的潛在的可靠性問(wèn)題

4.什么情況下應(yīng)該做阻抗控制的電路板---實(shí)例分析

5.電源和地的噪聲對(duì)比

6.PCB設(shè)計(jì)中降低電源噪聲和干擾的策略

7.對(duì)PCB設(shè)計(jì)中信號(hào)環(huán)路的理解---環(huán)路對(duì)干擾和EMI的影響,環(huán)路形成的方式,哪種環(huán)路允許在PCB上存在且是有益的,各種情況的案例分析

8.PCB上,時(shí)鐘走線的處理方式與潛在的可靠性問(wèn)題,及案例分析

9.在PCB設(shè)計(jì)中,如何隔離地銅箔上的干擾

10.在PCB設(shè)計(jì)中,容易忽略的、工廠工藝限制導(dǎo)致的可靠性問(wèn)題與案例分析

11.PCB設(shè)計(jì)中,與可靠性有關(guān)的幾個(gè)要點(diǎn)與設(shè)計(jì)實(shí)例

12.電路設(shè)計(jì)中,針對(duì)PCB生產(chǎn)和焊接、組裝,可靠性設(shè)計(jì)的要點(diǎn)與實(shí)例分析

13.如何控制并檢查每次改板時(shí)PCB的具體改動(dòng),方法與實(shí)例

14.接地和抗干擾、可靠性的關(guān)系、誤區(qū),7個(gè)綜合案例分析與課堂討論

15.如何配置FPGA管腳,以提高抗干擾性能與可靠性---設(shè)計(jì)實(shí)例與設(shè)計(jì)經(jīng)驗(yàn)


第十章 FMEA與硬件電路的可靠性

1.解析FMEA

2.FMEA與可靠性的關(guān)系

3.FMEA可以幫助企業(yè)解決什么問(wèn)題

4.FMEA在業(yè)內(nèi)開(kāi)展的現(xiàn)狀

5.FMEA相關(guān)的標(biāo)準(zhǔn)與分析

6.FMEA計(jì)劃制定的10個(gè)步驟及各步驟的要點(diǎn)與實(shí)例分析

7.FMEA測(cè)試計(jì)劃書---實(shí)例解析、要點(diǎn)分析、測(cè)試方法

8.在產(chǎn)品研發(fā)周期中,F(xiàn)MEA開(kāi)始的時(shí)間點(diǎn)


第十一章 軟硬件協(xié)同工作與可靠性

在很多場(chǎng)合,電子產(chǎn)品可靠性的提升,若能借助于軟件,則能省時(shí)省力,且效果更好。

因此硬件研發(fā)工程師需對(duì)軟件有一定的了解,并掌握如何與軟件部門協(xié)調(diào),借助軟件的實(shí)現(xiàn),提高電子產(chǎn)品可靠性的方法。

本章節(jié),Randy基于多年產(chǎn)品研發(fā)的工作經(jīng)驗(yàn),總結(jié)出若干與軟件協(xié)同工作、提高可靠性的方法,并基于實(shí)際工程案例,詳細(xì)解析。

1.軟件與硬件電路設(shè)計(jì)可靠性的關(guān)系

2.軟硬件協(xié)同,提高可靠性的9個(gè)實(shí)例與詳細(xì)分析、策略與工程經(jīng)驗(yàn)


優(yōu)質(zhì)售后服務(wù),提升培訓(xùn)效果

參訓(xùn)學(xué)員或者企業(yè)在課程結(jié)束后,可以享受相關(guān)賽盛技術(shù)的電磁兼容技術(shù)方面優(yōu)質(zhì)售后服務(wù),作為授課之補(bǔ)充,保證效果,達(dá)到學(xué)習(xí)目的。主要內(nèi)容如下:

1.【技術(shù)問(wèn)題解答】培訓(xùn)后一年內(nèi),如有課程相關(guān)技術(shù)問(wèn)題,可通過(guò)電話、郵件聯(lián)系賽盛技術(shù),我們將第一時(shí)間協(xié)助回復(fù)。

2.【定期案例分享】分享不斷,學(xué)習(xí)不斷;

3.【技術(shù)交流群】加入正式技術(shù)交流群,與行業(yè)大咖零距離溝通;

4.【EMC元件選型技術(shù)支持】如學(xué)員在EMC元件選擇或應(yīng)用上有不清楚的地方可隨時(shí)與賽盛技術(shù)溝通;

5.【往期經(jīng)典案例分析】行業(yè)典型EMC案例分享、器件選型等資料

6.【研討會(huì)】不限人數(shù)參加賽盛技術(shù)線上或者線下研討會(huì),企業(yè)內(nèi)部工程師可相互分享,共同成長(zhǎng)。

7.【EMC測(cè)試服務(wù)】在賽盛技術(shù)進(jìn)行EMC測(cè)試服務(wù),可享受會(huì)員折扣服務(wù)!


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    Aigtek誠(chéng)邀您參會(huì)2024315-17,Aigtek安泰電子將攜一眾明星產(chǎn)品及專業(yè)測(cè)試解決方案亮相第一屆全國(guó)等離子體生物醫(yī)學(xué)學(xué)術(shù)會(huì)
    的頭像 發(fā)表于 03-07 08:01 ?430次閱讀
    3<b class='flag-5'>月</b><b class='flag-5'>15-17</b><b class='flag-5'>日</b> 與Aigtek相約第一屆全國(guó)等離子體生物醫(yī)學(xué)學(xué)術(shù)會(huì)議!

    官網(wǎng)上線!416-17,揭秘百度Create大會(huì)“AI公開(kāi)課

    35,百度Create AI開(kāi)發(fā)者大會(huì)官方網(wǎng)站正式上線。本次大會(huì)將于202441617
    的頭像 發(fā)表于 03-06 15:30 ?863次閱讀

    【電磁兼容技術(shù)案例分享】某顯示屏因結(jié)構(gòu)縫隙泄漏導(dǎo)致輻射發(fā)射超標(biāo)案例

    上海315-16《產(chǎn)品EMC設(shè)計(jì)分析與風(fēng)險(xiǎn)評(píng)估技術(shù)》高級(jí)研修班,報(bào)名火熱進(jìn)行中!2024.1.25深圳3
    的頭像 發(fā)表于 02-22 08:16 ?312次閱讀
    【電磁兼容技術(shù)案例分享】某顯示屏因結(jié)構(gòu)縫隙泄漏導(dǎo)致輻射發(fā)射超標(biāo)案例

    OpenHarmony社區(qū)運(yùn)營(yíng)報(bào)告(202312

    發(fā)展新征程。 ? 2023 12 11 ,由 OpenHarmony 項(xiàng)目群技術(shù)指導(dǎo)委員會(huì)和北京航空航天大學(xué)共同舉辦的“OpenH
    發(fā)表于 01-10 15:44

    什么是汽車整車可靠性測(cè)試

    當(dāng)今競(jìng)爭(zhēng)激烈的汽車市場(chǎng)中,汽車的品質(zhì)和可靠性已成為消費(fèi)者選擇的重要標(biāo)準(zhǔn)。通過(guò)整車可靠性測(cè)試,汽車制造商可以確保他們的產(chǎn)品在各種極端條件下都能表現(xiàn)出色,從而贏得消費(fèi)者的信任和滿意度。   此外,整車
    的頭像 發(fā)表于 12-22 17:16 ?889次閱讀
    什么是汽車整車<b class='flag-5'>可靠性</b><b class='flag-5'>測(cè)試</b>?

    半導(dǎo)體可靠性測(cè)試項(xiàng)目有哪些

    半導(dǎo)體可靠性測(cè)試主要是為了評(píng)估半導(dǎo)體器件在實(shí)際使用過(guò)程中的可靠性和穩(wěn)定性。這些測(cè)試項(xiàng)目包括多種測(cè)試方法和技術(shù),以確保產(chǎn)品的性能、質(zhì)量和
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    SD NAND?可靠性驗(yàn)證測(cè)試

    SDNAND可靠性驗(yàn)證測(cè)試的重要SDNAND可靠性驗(yàn)證測(cè)試至關(guān)重要。通過(guò)檢驗(yàn)數(shù)據(jù)完整、設(shè)備壽
    的頭像 發(fā)表于 12-14 14:29 ?639次閱讀
    SD NAND?<b class='flag-5'>可靠性</b>驗(yàn)證<b class='flag-5'>測(cè)試</b>

    精彩預(yù)告 | OpenHarmony即將亮相MTSC 2023

    MTSC 2023 第 12 屆中國(guó)互聯(lián)網(wǎng)測(cè)試開(kāi)發(fā)大會(huì)(深圳站)即將2023 11
    發(fā)表于 11-22 10:28