國芯思辰|可替代英飛凌、安森美，國產(chǎn)碳化硅用于新能源充電樁

汽車電子行業(yè)的智能化、電動化趨勢帶來周邊行業(yè)（如充電樁等）的爆發(fā)式增長，碳化硅功率器件憑借高耐壓，高開關(guān)頻率和高耐溫等優(yōu)點在電能轉(zhuǎn)換中得到大規(guī)模的應(yīng)用。而具有巨大市場前景的充電樁模塊也將面臨著惡劣環(huán)境下（如高溫高濕鹽霧灰塵等）長時間工作導(dǎo)致可靠性問題，建設(shè)用地緊張導(dǎo)致對充電樁要求更高的功率密度和效率。

針對以上問題，基本半導(dǎo)體推出了第二代碳化硅MOSFET系列新品器件B2M065120Z，該系列新品基于6英寸晶圓平臺進行開發(fā)，比上一代產(chǎn)品在比導(dǎo)通電阻、開關(guān)損耗以及可靠性等方面表現(xiàn)更為出色。

B2M065120Z擁有更低比導(dǎo)通電阻（降低約40%）、器件開關(guān)損耗（降低約30%），以及更高可靠性和更高工作結(jié)溫（175°C）等優(yōu)越性能。產(chǎn)品類型也進一步豐富，可助力光伏儲能、新能源汽車、直流快充、工業(yè)電源、通信電源等行業(yè)實現(xiàn)更為出色的能源效率和應(yīng)用可靠性。

碳化硅MOSFET B2M065120Z

B2M065120Z是全新的SOT-227封裝，采用氮化鋁（AlN）陶瓷基板，具有熱導(dǎo)率高、強度高、熱膨脹系數(shù)低等優(yōu)點，氮化鋁陶瓷基板熱導(dǎo)率(170~230W/mK)是氧化鋁陶瓷基板的9.5倍，熱阻Rth(jc)低至0.12K/W。

綜上所述，碳化硅MOSFET B2M065120Z器件作為第三代功率半導(dǎo)體非常適合充電樁模塊的應(yīng)用，必將在充電樁模塊中得到快速的應(yīng)用，基本半導(dǎo)體目前已掌握碳化硅芯片設(shè)計、晶圓制造、模塊封裝、驅(qū)動應(yīng)用等核心技術(shù)，將帶來充電樁電能轉(zhuǎn)換的巨大進步和技術(shù)突破。

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