三星：2030年3D NAND將進(jìn)入1000層以上

最近，三星存儲(chǔ)業(yè)務(wù)高管在電子工程師協(xié)會(huì)2023年夏季會(huì)議上透露，他們預(yù)計(jì)到2030年，V-NAND閃存技術(shù)可以實(shí)現(xiàn)超過(guò)1000層的堆疊。目前，三星、美光、SK海力士等存儲(chǔ)巨頭已經(jīng)將3D NAND閃存的層數(shù)提升至200層以上，因此對(duì)于閃存層數(shù)的競(jìng)爭(zhēng)也變得越來(lái)越激烈。

三星已經(jīng)確定了新一代3D NAND閃存的開(kāi)發(fā)計(jì)劃，預(yù)計(jì)在2024年推出第九代3D NAND，其層數(shù)可達(dá)到280層；而第十代3D NAND計(jì)劃跳過(guò)300層區(qū)間，直接推出430層的閃存，預(yù)計(jì)在2025-2026年推出。

早在2007年，當(dāng)2D NAND閃存達(dá)到其極限時(shí)，東芝率先提出了3D NAND的概念。而2013年，三星首次推出了被稱為“V-NAND”的3D NAND閃存技術(shù)。

最初的三星V-NAND芯片每個(gè)單元的容量為128Gb（16GB），通過(guò)3D堆疊技術(shù)最多可以堆疊24層芯片，這意味著24層的V-NAND總?cè)萘靠蛇_(dá)384GB。

三星此次提到的未來(lái)1000層閃存引發(fā)了存儲(chǔ)巨頭之間在3D NAND時(shí)代的技術(shù)競(jìng)爭(zhēng)。未來(lái)，NAND閃存的堆疊層數(shù)將像摩天大樓一樣越來(lái)越高。三星高管表示，V-NAND的出現(xiàn)延續(xù)了NAND閃存的發(fā)展歷程，也是韓國(guó)在創(chuàng)造技術(shù)和生態(tài)系統(tǒng)方面獲得成功的一個(gè)案例之一。

編輯：黃飛