DRAM和SRAM元器件原理
元器件原理＜DRAM＞
數(shù)據(jù)的寫入方法
＜“1” 時(shí)＞
Word線電位為 high
Bit線電位為 high
Word線電位為 low
元器件原理＜SRAM＞
存儲(chǔ)單元構(gòu)成
由6個(gè)晶體管單元構(gòu)成
由4個(gè)晶體管單元（高電阻負(fù)載型單元）構(gòu)成
數(shù)據(jù)的寫入方法
＜“1” 時(shí)＞
Word線電位為 high
給予Bit線的電位（D=low， D=high） → 確定觸發(fā)器的狀態(tài)
Word線電位為 low
數(shù)據(jù)的讀取方法
＜“1” 時(shí)＞
使Word線電位 off
對(duì)Bit線預(yù)充電（D， D與D相同的電位）
Word線電位為 high
Bit線變?yōu)?low、high的狀態(tài)
用感測(cè)放大器進(jìn)行增幅
通過(guò)觸發(fā)器電路存儲(chǔ)“1”、“0”
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從0到1
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本帖最后由 eehome 于 2013-1-5 10:01 編輯
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基于SRAM和DRAM結(jié)構(gòu)的大容量FIFO的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)
基于SRAM 和DRAM 結(jié)構(gòu)的大容量FIFO 的設(shè)計(jì)與實(shí)現(xiàn)作者：楊奇 楊瑩摘要：本文分別針對(duì)Hynix 公司的兩款SRAM 和DRAM 器件
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