華為公開“晶圓處理設(shè)備和半導(dǎo)體制造設(shè)備”專利

華為技術(shù)有限公司最近新增多項(xiàng)專利信息，其中一項(xiàng)發(fā)明專利名稱為“晶片處理設(shè)備和半導(dǎo)體制造設(shè)備”，公開號碼為cn116705644a。

根據(jù)專利摘要，該公開是關(guān)于晶圓處理設(shè)備和半導(dǎo)體制造設(shè)備的。晶圓處理設(shè)備由：由支持晶圓構(gòu)成的晶圓支持部件，光源排列位于晶圓的支持方向，適合對晶圓進(jìn)行光輻射加熱。光源陣列至少使晶圓半徑方向上的所有光點(diǎn)都近而不重疊，在晶圓支持一側(cè)的表面投射多個光點(diǎn)。通過這種方式理解，至少可以進(jìn)一步明確晶圓在半徑方向上的加熱區(qū)別，從而有助于晶圓等干燥工程的空間分辨率的溫度調(diào)節(jié)。

華為指出，根據(jù)摩爾定律，芯片集成度持續(xù)提高，單一晶體管特征大小持續(xù)縮小，部件結(jié)構(gòu)深度和寬度比例持續(xù)增大，給半導(dǎo)體制造工程的濕式洗滌和干燥工程帶來挑戰(zhàn)。這項(xiàng)專利的目的是提供改進(jìn)的晶片處理裝置，至少可以提高晶片的溫度控制空間分辨率。