據(jù)中國(guó)媒體報(bào)道,9月7日蘇州蘇大維格科技集團(tuán)股份有限公司(蘇大維格,300331.SZ)在投資者交流平臺(tái)上寫道:“貴公司的光柵尺最高分辨率是多少?精度是多少?”28納米工程需要小于2納米的網(wǎng)格周期,公司相關(guān)產(chǎn)品需要小于1納米的周期??紤]到秘密情報(bào),詳細(xì)的參數(shù)很難泄露。
公開的資料顯示,蘇大維格他致力于微納關(guān)鍵技術(shù),柔性智能制造創(chuàng)新,柔性光電子材料的應(yīng)用,相關(guān)若干或光學(xué)印刷材料、納米印刷、3d影像材料平板顯示器(大尺寸電容觸控屏,超薄導(dǎo)光板)、高級(jí)智能麥克風(fēng),裝備(納米壓印、微納直寫光刻、3D光場(chǎng)打印等)的開發(fā)和技術(shù)產(chǎn)業(yè)化,2012年6月28日在深圳證券交易所a股創(chuàng)業(yè)板上市。該公司在今年7月的互動(dòng)平臺(tái)上表示:“公司向相關(guān)企業(yè)少量(少量)提供了用于半導(dǎo)體領(lǐng)域投影式***的位置追蹤光柵尺配件,目前在相關(guān)收入中所占的比重非常低?!?/p>
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有媒體爆料稱;蘋果公司的iPhone 17系列手機(jī)極大可能將無法搭載臺(tái)積電2nm前沿制程技術(shù)芯片,iPhone 17系列手機(jī)的處理器預(yù)計(jì)將沿用當(dāng)前的3nm工藝。2nm技術(shù)芯片可能要等待iPhone
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在技術(shù)研發(fā)領(lǐng)域,三星電子的3nm與2nm工藝取得顯著進(jìn)步,預(yù)計(jì)本季度內(nèi)完成2nm設(shè)計(jì)基礎(chǔ)設(shè)施的開發(fā);此外,4nm工藝的良率亦逐漸穩(wěn)定。
發(fā)表于 04-30 16:16
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李時(shí)榮聲稱,“客戶對(duì)代工企業(yè)的產(chǎn)品競(jìng)爭(zhēng)力與穩(wěn)定供應(yīng)有嚴(yán)格要求,而4nm工藝已步入成熟良率階段。我們正積極籌備后半年第二代3nm工藝及明年2nm工藝的量產(chǎn),并積極與潛在客戶協(xié)商。”
發(fā)表于 03-21 15:51
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據(jù)媒體報(bào)道,目前蘋果已經(jīng)在設(shè)計(jì)2nm芯片,芯片將會(huì)交由臺(tái)積電代工。
發(fā)表于 03-04 13:39
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臺(tái)中科學(xué)園區(qū)已初步規(guī)劃A14和A10生產(chǎn)線,將視市場(chǎng)需求決定是否新增2nm制程工藝。
發(fā)表于 01-31 14:09
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臺(tái)積電的2nm技術(shù)是3nm技術(shù)的延續(xù)。一直以來,臺(tái)積電堅(jiān)定地遵循著每一步一個(gè)工藝節(jié)點(diǎn)的演進(jìn)策略,穩(wěn)扎穩(wěn)打,不斷突破。
發(fā)表于 01-25 14:14
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有消息人士稱,蘋果期望能夠提前獲得臺(tái)積電1.4nm(A14)以及1nm(A10)兩種更為先進(jìn)的工藝的首次產(chǎn)能供應(yīng)。據(jù)了解,臺(tái)積電2nm技術(shù)開發(fā)進(jìn)展順利,預(yù)期采用GAA(全柵極環(huán)繞)技術(shù)生產(chǎn)2n
發(fā)表于 01-25 14:10
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該公司的首席開發(fā)官Sandeep Bharathi透露,其實(shí)施2nm相關(guān)的投資計(jì)劃已啟動(dòng)。雖無法公布準(zhǔn)確的工藝和技術(shù)細(xì)節(jié),但已明確表示,2至5nm制程的項(xiàng)目投入正在進(jìn)行。公司專家,尤其是來自印度的專業(yè)人才,涵蓋了從數(shù)字設(shè)計(jì)到電路
發(fā)表于 01-24 10:24
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得益于2nm制程項(xiàng)目的順利推進(jìn),寶山、高雄新晶圓廠的建造工程正有序進(jìn)行。臺(tái)中科學(xué)園區(qū)已初步確定了A14與A10生產(chǎn)線的布局,具體是否增設(shè)2nm制程工藝將根據(jù)市場(chǎng)需求再定。
發(fā)表于 01-16 09:40
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如題,定位系統(tǒng)為步進(jìn)電機(jī)+光柵尺的全閉環(huán)系統(tǒng),麻煩問下各位大佬位置補(bǔ)償算法一般都采用哪些呢?PID嗎?重復(fù)精度需要提高到10幾微米左右,求助求助
發(fā)表于 01-09 08:01
這座晶圓廠于2022年4月開始新建,大樓主結(jié)構(gòu)已完工,且辦公室部分區(qū)域也在今年8月啟用。將生產(chǎn)N28 28nm級(jí)工藝芯片,這是日本目前最先進(jìn)的半導(dǎo)體工藝。22ULP工藝也會(huì)在這里生產(chǎn),但注意它不是22nm,而是
發(fā)表于 01-03 15:53
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過去數(shù)十年里,芯片設(shè)計(jì)團(tuán)隊(duì)始終專注于小型化。減小晶體管體積,能降低功耗并提升處理性能。如今,2nm及3nm已取代實(shí)際物理尺寸,成為描述新一代芯片的關(guān)鍵指標(biāo)。
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3nm工藝剛量產(chǎn),業(yè)界就已經(jīng)在討論2nm了,并且在調(diào)整相關(guān)的時(shí)間表。2nm工藝不僅對(duì)晶圓廠來說是一個(gè)重大挑戰(zhàn),同樣也考驗(yàn)著EDA公司,以及在此基礎(chǔ)上設(shè)計(jì)芯片的客戶。
發(fā)表于 12-06 09:09
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晶體管尺寸在3nm時(shí)達(dá)到臨界點(diǎn),納米片F(xiàn)ET可能會(huì)取代finFET來滿足性能、功耗、面積和成本目標(biāo)。同樣,正在評(píng)估2nm銅互連的重大架構(gòu)變化,此舉將重新配置向晶體管傳輸電力的方式。
發(fā)表于 11-14 10:12
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評(píng)論