功率器件中晶體管占比份額最大，常見(jiàn)的晶體管主要有MOSFET和IGBT等。

MOSFET：是金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管，是一種廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場(chǎng)效晶體管，更適用于高頻場(chǎng)景。

IGBT：是絕緣柵雙極晶體管，是同時(shí)具備MOSFET的柵電極電壓控制特性和BJT的低導(dǎo)通電阻特性的全控型功率半導(dǎo)體器件，更適用于高壓場(chǎng)景。

碳化硅MOS比IGBT除效率優(yōu)勢(shì)外在相同電壓、電流等級(jí)情況下，碳化硅MOS芯片面積比IGBT芯片要小，設(shè)計(jì)出的功率模塊功率密度更大，更小巧；碳化硅芯片耐更高的溫度，理論上遠(yuǎn)超175℃；高頻電源設(shè)計(jì)能夠縮小系統(tǒng)儲(chǔ)能器件的體積，例如大電感及大容量電容等。

功率器件半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈

功率半導(dǎo)體領(lǐng)域火熱材料是硅和碳化硅等。全球半導(dǎo)體硅片行業(yè)市場(chǎng)主要被日本、德國(guó)、韓國(guó)、中國(guó)臺(tái)灣等國(guó)家和地區(qū)的知名企業(yè)占據(jù)。近年來(lái)，隨著我國(guó)對(duì)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的高度重視，在產(chǎn)業(yè)政策和地方政府的推動(dòng)下，我國(guó)半導(dǎo)體硅晶片行業(yè)的新設(shè)計(jì)項(xiàng)目層出不窮。隨著全球半導(dǎo)體制造能力轉(zhuǎn)移到中國(guó)大陸的長(zhǎng)期過(guò)程，中國(guó)大陸市場(chǎng)將成為全球半導(dǎo)體及硅晶片企業(yè)競(jìng)爭(zhēng)的主戰(zhàn)場(chǎng)。

功率半導(dǎo)體主要廠商概覽

國(guó)內(nèi)功率器件廠商基本為IDM模式，絕大多數(shù)廠商只在二極管、低壓MOS器件、晶閘管等相對(duì)低端器件的生產(chǎn)工藝方面較為成熟。而IGBT等高端器件，國(guó)內(nèi)擁有生產(chǎn)和封裝能力廠商少之又少，高端功率器件產(chǎn)品仍然被進(jìn)口廠商所主導(dǎo)。

功率器件下游應(yīng)用包含新能源汽車、充電樁、工業(yè)控制光伏和風(fēng)電、消費(fèi)電子、白色家電等領(lǐng)域，其中新能源汽車和工業(yè)控制是占比最多增長(zhǎng)最快的兩個(gè)細(xì)分領(lǐng)域，其中充電樁則是其中較大的應(yīng)用領(lǐng)域，也是IGBT或MOSFET重要應(yīng)用核心。

中國(guó)在大力發(fā)展新能源的當(dāng)下，車規(guī)級(jí)功率半導(dǎo)體具備政策支持、產(chǎn)業(yè)鏈等優(yōu)勢(shì)，定將實(shí)現(xiàn)國(guó)產(chǎn)化率飛速上升。而新能源市場(chǎng)火熱使得碳化硅器件的應(yīng)用在市場(chǎng)也稱得上是稱霸一方了。

審核編輯：湯梓紅