可在125°C 環(huán)境下工作的汽車級(jí)I2C接口FeRAM

I²C 接口 512Kbit FeRAM

MB85RC512LY

加賀富儀艾電子旗下的代理品牌富士通半導(dǎo)體存儲(chǔ)器解決方案有限公司于近期宣布推出 I²C 接口 512Kbit FeRAM "MB85RC512LY"，這是富士通半導(dǎo)體汽車級(jí) I²C 接口 FeRAM 產(chǎn)品中密度最高的一款。目前可提供評(píng)估樣品（圖1）。

圖 1：MB85RC512LY 封裝

該產(chǎn)品可確保在 125°C 高溫條件下的低工作電流和 10 萬億次讀/寫循環(huán)時(shí)間。FeRAM 產(chǎn)品是工業(yè)機(jī)器人和汽車應(yīng)用（如高級(jí)駕駛輔助系統(tǒng) (ADAS)）的最佳選擇（圖 2）。使用 I²C 接口平臺(tái)的客戶在開發(fā)終端產(chǎn)品時(shí)，通過使用這種 FeRAM 存儲(chǔ)器部件，無需對(duì)設(shè)計(jì)進(jìn)行重大修改。

圖2：FeRAM使用示例

自2017年以來，富士通半導(dǎo)體一直在批量生產(chǎn)64Kbit至4Mbit汽車級(jí)FeRAM產(chǎn)品，這些產(chǎn)品可在高達(dá)125°C的環(huán)境中運(yùn)行，并帶有SPI接口。然而，對(duì)于已經(jīng)在 I²C 接口平臺(tái)上使用存儲(chǔ)器件的客戶來說，存在必須重新設(shè)計(jì)其最終產(chǎn)品接口的問題。在此背景下，富士通半導(dǎo)體一直在開發(fā) I²C 接口的 FeRAM 產(chǎn)品，并成功開發(fā)出了可在 1.8V 低電源電壓下工作的 512Kbit FeRAM "MB85RC512LY"。

MB85RC512LY 是一款 512Kbit 非易失性存儲(chǔ)器件，可在 1.7V 至 1.95V 的低電源電壓下工作。它具有極低的工作電流，例如在 3.4MHz 工作頻率下最大電流為 0.4mA，并可在 -40°C 至 +125°C 的溫度范圍內(nèi)保證 10 萬億次讀/寫循環(huán)時(shí)間。這一特性非常適合某些需要實(shí)時(shí)數(shù)據(jù)記錄的應(yīng)用。例如，即使每 0.03 毫秒重寫一次數(shù)據(jù)，也能在同一地址記錄 10 年的數(shù)據(jù)。

新型 FeRAM 產(chǎn)品可以解決在使用存儲(chǔ)器產(chǎn)品時(shí)出現(xiàn)的以下問題(圖 3）。

圖3：客戶的問題和解決方案

在系統(tǒng)中使用 I²C 接口傳統(tǒng)存儲(chǔ)器的客戶

問題：希望使用 FeRAM，但至今沒有 125°C 工作溫度的 I²C 接口產(chǎn)品

解決方案： 使用新型 FeRAM，無需更改系統(tǒng)中的接口設(shè)計(jì)。

客戶需要工作溫度為 125°C 的 512K 位存儲(chǔ)器

問題： 由于缺乏合適的密度，必須獲得比 512Kbit 更高密度的存儲(chǔ)器

解決方案： 使用具有精確密度的新型 FeRAM，無需購買高密度存儲(chǔ)器。

使用 125°C 工作溫度 EEPROM 的客戶

問題：由于寫入耐久性高達(dá) 100 萬次，設(shè)計(jì)受到限制。

解決方案： 使用讀/寫耐久性高達(dá) 10 萬億次的新型 FeRAM。

汽車級(jí) FeRAM 系列有 3.3V 和 1.8V 兩種工作電壓，適用于 I²C 和 SPI 接口產(chǎn)品。隨著 MB85RC512LY 的推出，符合 AEC-Q100 標(biāo)準(zhǔn)的 FeRAM 系列自去年以來又增加了 7 款新產(chǎn)品。此外，還有 4 款新型 1Mbit 產(chǎn)品正在開發(fā)中。(圖 4）

圖4：汽車級(jí)FeRAM產(chǎn)品陣容

富士通半導(dǎo)體存儲(chǔ)器解決方案公司認(rèn)為，由于客戶尋求的應(yīng)用多種多樣，因此所需的存儲(chǔ)器密度也需要多樣化。我們將繼續(xù)提供最佳的存儲(chǔ)器產(chǎn)品和解決方案，以提高客戶應(yīng)用的價(jià)值和便利性。

MB85RC512LY的主要規(guī)格

關(guān)于富士通半導(dǎo)體存儲(chǔ)器解決方案有限公司

關(guān)于加賀富儀艾電子（上海）有限公司

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