可在125°C高溫環(huán)境下工作的4Mbit FeRAM，都具有哪些特性呢？

FeRAM是非易失性存儲器，具有較高的讀/寫耐久性和快速的寫入特征，因此在汽車和工業(yè)領(lǐng)域有廣泛的應(yīng)用需求。

• 在汽車領(lǐng)域，F(xiàn)eRAM可以用于存儲各種傳感器帶來的數(shù)據(jù)，如車載信息娛樂系統(tǒng)中的GPS等數(shù)據(jù)，記錄安全氣囊的數(shù)據(jù)；在電池管理系統(tǒng)中記錄電池單元的電壓，溫度和電流等數(shù)據(jù)，監(jiān)控電池的短期和長期性能狀態(tài)；在胎壓監(jiān)測系統(tǒng)中實時記錄輪胎壓力。此外，F(xiàn)eRAM還可以用于新能源汽車的電池管理系統(tǒng)BMS中。

• 在工業(yè)領(lǐng)域，F(xiàn)eRAM可以用于各種需要高耐久性、高讀寫速度和低功耗的應(yīng)用，如表計、醫(yī)療設(shè)備、呼吸機、汽車電子和游戲機等。

加賀富儀艾電子旗下的代理品牌富士通半導(dǎo)體存儲器解決方案有限公司的2Mbit FeRAM MB85RS2MTY自發(fā)布以來，在汽車和工業(yè)設(shè)備中廣受好評，而升級版產(chǎn)品MB85RS4MTY的密度翻了一番，達到4Mbit，以滿足對更大密度的需求，并具有SPI接口，可在1.8V至3.6V的寬電源電壓范圍內(nèi)工作。MB85RS4MTY具有低工作電流，例如最大有功電流為4mA（工作頻率為50MHz），即使在30°C的高溫下也具有125μA的最大關(guān)斷電流，因此有助于降低環(huán)保應(yīng)用的功耗。

MB85RS4MTY 8引腳DFN（頂部?底部）

適合FeRAM的應(yīng)用示例

MB85RS4MTY在-40℃至+125℃的溫度范圍內(nèi)可保證10萬億次的讀寫周期次數(shù)。這種特性非常適合一些需要實時數(shù)據(jù)記錄的應(yīng)用。例如，即使每0.03毫秒重寫一次數(shù)據(jù)，也可以在同一地址記錄數(shù)據(jù)長達10年。

MB85RS4MTY采用8引腳SOP封裝，易于替代具有相似尺寸的現(xiàn)有EEPROM。此外，該產(chǎn)品還提供8引腳DFN（雙扁平無引腳）封裝。

關(guān)于富士通半導(dǎo)體存儲器解決方案有限公司

關(guān)于加賀富儀艾電子（上海）有限公司

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