英飛凌推出先進(jìn)的OptiMOS?功率MOSFET，進(jìn)一步擴(kuò)大采用PQFN 2x2 mm2封裝的MOSFET器件的產(chǎn)品陣容

小型分立式功率MOSFET在節(jié)省空間、降低成本和簡(jiǎn)化應(yīng)用設(shè)計(jì)方面發(fā)揮著至關(guān)重要的作用。此外，更高的功率密度還能實(shí)現(xiàn)靈活的布線(xiàn)并縮小系統(tǒng)的整體尺寸。英飛凌科技近日推出先進(jìn)的全新OptiMOS功率MOSFET，進(jìn)一步擴(kuò)大其采用PQFN 2x2 mm2封裝的功率MOSFET的產(chǎn)品陣容，此舉旨在提供功率半導(dǎo)體行業(yè)標(biāo)桿解決方案，在更小的封裝尺寸內(nèi)實(shí)現(xiàn)更高的效率和更加優(yōu)異的性能。新產(chǎn)品廣泛適用于各種應(yīng)用，如服務(wù)器、通信、便攜式充電器和無(wú)線(xiàn)充電器中開(kāi)關(guān)電源（SMPS）里的同步整流等。此外，新產(chǎn)品在無(wú)人機(jī)中還可應(yīng)用于小型無(wú)刷電機(jī)的電子速度控制器等。

全新的OptiMOS6 40V功率MOSFET以及OptiMOS5 25V和30V 功率MOSFET進(jìn)一步優(yōu)化了用于高性能設(shè)計(jì)的成熟OptiMOS技術(shù)。新產(chǎn)品采用超小型PQFN 2x2 mm2封裝，具備先進(jìn)的硅技術(shù)、穩(wěn)定可靠的封裝與極低的熱阻（RthJC最大值為3.2 K/W）。這些新器件擁有業(yè)界極低的導(dǎo)通電阻和業(yè)界領(lǐng)先的性能指標(biāo)（FOMs, QG和QOSS），能夠?qū)崿F(xiàn)出色的動(dòng)態(tài)開(kāi)關(guān)性能。因此，這些具有超低開(kāi)關(guān)損耗和低導(dǎo)通損耗的 MOSFET器件能夠保證極佳的能效和功率密度，同時(shí)簡(jiǎn)化散熱管理。

OptiMOS功率開(kāi)關(guān)采用緊湊的PQFN 2x2 mm2封裝，能夠縮小系統(tǒng)尺寸，讓終端用戶(hù)應(yīng)用的幾何外形變得更加小巧、靈活。通過(guò)減少并聯(lián)需求，這些MOSFET器件提升了系統(tǒng)設(shè)計(jì)的可靠性，顯著降低了占板空間和系統(tǒng)成本。

供貨情況

全新OptiMOS6 40V功率MOSFET（ISK057N04LM6）的導(dǎo)通電阻值為5.7 mΩ，OptiMOS5 25V功率MOSFET（ISK024NE2LM5）和OptiMOS5 30V功率MOSFET（ISK036N03LM5）的導(dǎo)通電阻值分別為2.4 mΩ和3.6 mΩ，這些MOSFET器件均采用改進(jìn)的PQFN 2x2 mm2 封裝，現(xiàn)已開(kāi)放訂購(gòu)。