格芯獲3500萬(wàn)美元加速氮化鎵芯片

獲3500萬(wàn)美元，格芯加速氮化鎵芯片

據(jù)外媒報(bào)道，格芯已獲得美國(guó)政府3500萬(wàn)美元（折合人民幣約2.56億元）的資助，用于其佛蒙特州的晶圓廠開(kāi)發(fā)和生產(chǎn)硅基氮化鎵（GaN-on-Si）晶圓，該工廠目前每月可生產(chǎn)超過(guò)5萬(wàn)片晶圓。

格芯生產(chǎn)的GaN芯片在處理高溫和高壓的優(yōu)良表現(xiàn)，可以大幅改良手機(jī)、汽車、工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)（IoT）以及電網(wǎng)和其他關(guān)鍵基礎(chǔ)設(shè)施在5G、6G通訊方面的性能和效率。

其中，美國(guó)國(guó)防部資助的這3500萬(wàn)美元中的一部分，格芯計(jì)劃購(gòu)買更多的設(shè)備以擴(kuò)展開(kāi)發(fā)和設(shè)計(jì)的能力，加快其大規(guī)模生產(chǎn)8英寸GaN-on-Si晶圓的進(jìn)度。另一部分，格芯將用來(lái)減少自身以及客戶受鎵供應(yīng)鏈限制的風(fēng)險(xiǎn)，同時(shí)提高美國(guó)制造的GaN芯片的開(kāi)發(fā)速度、供應(yīng)保證和競(jìng)爭(zhēng)力。

此次投資建立在格芯與政府多年合作的基礎(chǔ)上——2020-2022年期間政府資助了格芯4000萬(wàn)美元（折合人民幣約2.93億元）。格芯的研發(fā)團(tuán)隊(duì)擁有著8英寸晶圓制作的相關(guān)經(jīng)驗(yàn)，可助力8英寸GaN-on-Si晶圓的制造。

“GaN-on-Si是新興市場(chǎng)高性能射頻、高壓電源開(kāi)關(guān)和控制應(yīng)用技術(shù)的理想載體，對(duì)于6G無(wú)線通信、工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)和電動(dòng)汽車非常重要?！笨偛眉媸紫瘓?zhí)行官Thomas Caulfield博士評(píng)論，“格芯與美國(guó)政府有著長(zhǎng)期的合作伙伴關(guān)系，這筆資金對(duì)加速GaN-on-Si芯片批量生產(chǎn)至關(guān)重要。這些芯片將使我們的客戶能夠?qū)崿F(xiàn)大膽的新設(shè)計(jì)，突破我們?nèi)粘Ｒ蕾嚨年P(guān)鍵技術(shù)的能源效率和性能極限?！?/p>

與傳統(tǒng)GaN-on-SiC等技術(shù)路線相比，GaN-on-Si選用的襯底成本與可靠性有顯著優(yōu)勢(shì)，GaN外延生長(zhǎng)缺陷也顯著降低。

格芯（GF）是世界領(lǐng)先的半導(dǎo)體制造商之一。格芯正在通過(guò)開(kāi)發(fā)和提供功能豐富的工藝技術(shù)解決方案來(lái)重新定義半導(dǎo)體制造，這些解決方案可在普遍的高增長(zhǎng)市場(chǎng)中提供領(lǐng)先的性能。






審核編輯：劉清