安森德超結(jié)（SJ）MOSFET在LED光源中的應(yīng)用

發(fā)光二極管，簡稱為LED，是一種常用的發(fā)光器件，通過電子與空穴復合釋放能量發(fā)光。LED光源具有體積小、壽命長、效率高等優(yōu)點，在社會生活的方方面面有著廣泛的應(yīng)用前景，如照明、平板顯示、醫(yī)療器件等諸多領(lǐng)域已采用LED光源提升設(shè)備效能。

隨著電源管理技術(shù)和功率器件工藝技術(shù)的不斷發(fā)展進步，越來越多的新型半導體器件也逐漸被應(yīng)用到LED光源產(chǎn)品上，比如許多LED電源廠商已開始用超結(jié)（SJ） MOSFET去替代VDMOS，在達到高效率的同時，更節(jié)省了電源空間和生產(chǎn)成本。

超結(jié)（SJ） MOSFET作為一種高性能的半導體器件，在大功率電子照明領(lǐng)域應(yīng)用廣泛，尤其是在LED、熒光燈、高壓鈉燈等領(lǐng)域，超結(jié)（SJ）MOSFET已經(jīng)成為重要的解決方案。

安森德半導體自主研發(fā)的先進多層外延高壓超結(jié)（SJ）MOSFET，具有電流密度高、短路能力強、開關(guān)速度快、易用性好等特點，可廣泛應(yīng)用于各種LED驅(qū)動電源、電動工具驅(qū)動電源、家電電源等產(chǎn)品中。安森德半導體，為未來的照明技術(shù)的發(fā)展賦能，讓人們的生活更加美好、舒適、節(jié)能。

01安森德超結(jié) （SJ） MOSFET優(yōu)勢

效率高

較高的輕載、滿載效率，超低的導通內(nèi)阻、Qg，有效的降低導通、開關(guān)損耗。

低溫升

較低的功耗，有效的降低電源整體的工作溫度，延長電源的使用壽命。

穩(wěn)定性強

強大的EAS 能力可以為電源抗沖擊提供有效的保證，芯片的內(nèi)部缺陷遠小于低成本的溝槽工藝產(chǎn)品，其高溫穩(wěn)定性大大提高。

內(nèi)阻低

超結(jié)（SJ）MOS具有極低的內(nèi)阻，在相同的芯片面積下，超結(jié)（SJ）MOS芯片的內(nèi)阻甚至只有傳統(tǒng)MOS的一半以上。

體積小

在同等電壓和電流要求下，超結(jié)（SJ）MOS的芯片面積能做到比傳統(tǒng)MOS更小，可以封裝更小尺寸的產(chǎn)品。

02應(yīng)用拓撲圖

03行業(yè)市場應(yīng)用

應(yīng)用于LED燈、LED顯示屏等領(lǐng)域

04安森德ASDsemi產(chǎn)品選型推薦

審核編輯：湯梓紅