佳能推出FPA-1200NZ2C納米壓印半導體制造設(shè)備

日本佳能公司今日發(fā)布了FPA-1200NZ2C新型納米壓印半導體制造裝置，稱此創(chuàng)新技術(shù)將給眾多中小半導體供應(yīng)商提供優(yōu)越的先進芯片制造方案。佳能首席執(zhí)行官富士夫雄田曾指出，此類科技目前幾乎被行業(yè)巨頭壟斷。

對于納米壓印技術(shù)，佳能半導體設(shè)備業(yè)務(wù)部巖本和德介紹道，它是通過將刻有半導體電路圖的掩膜壓制于晶圓之上完成二維或三維電路成型的過程。巖本進一步補充道，若對掩膜進行改良，將有可能實現(xiàn)2nm級別的電路線條寬度。目前來看，佳能的NIL技術(shù)已經(jīng)達到5nm節(jié)點邏輯半導體的最細線路寬度極限。

在產(chǎn)業(yè)競爭中，ASML主導著5nm芯片制造設(shè)備市場，而佳能的納米壓印解決方案有望助其縮短與龍頭企業(yè)之間的距離。

談及設(shè)備預(yù)算問題，巖本和德稱，購買方的預(yù)算取決于具體情況，預(yù)計每次光刻流程的成本僅為傳統(tǒng)光刻設(shè)備成本的約一半。另外，得益于納米壓印設(shè)備的體積小巧，研究開發(fā)等環(huán)節(jié)引入變得更加容易。關(guān)于售價，雖然富士夫曾表態(tài)佳能納米壓印設(shè)備的價格會低于ASML的EUVE設(shè)備價格，但確切數(shù)據(jù)尚未確定。

值得一提的是，作為EUV設(shè)備潛在替代品，佳能已收到來自半導體廠商、學府以及科研機構(gòu)等多方的關(guān)注和詢問，其潛在應(yīng)用覆蓋閃存、計算機采用的DRAM以及邏輯等各類半導體領(lǐng)域。