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陳婷 周偉潔 王濤
摘要:
研究了微波等離子工藝影響導(dǎo)電膠形貌的機(jī)理,進(jìn)一步分析了等離子清洗次數(shù)對(duì)電路可靠性的影響。結(jié)果表明,對(duì)裝片后的電路進(jìn)行 1 次等離子清洗可以有效清除鍵合指表面的有機(jī)沾污。而多次等離子清洗會(huì)改變導(dǎo)電膠的成分從而嚴(yán)重破壞導(dǎo)電膠形貌,容易造成塊狀的導(dǎo)電膠脫落,影響封裝的可靠性。研究多次等離子清洗對(duì)導(dǎo)電膠表面形貌、芯片粘接強(qiáng)度等的影響,為采用合理的等離子處理參數(shù)提供了一定的理論參考。
1 引言
陶瓷封裝作為一種高可靠的芯片封裝形式,在高可靠應(yīng)用領(lǐng)域中具有不可替代的獨(dú)特優(yōu)勢(shì)。封裝質(zhì)量會(huì)直接影響元器件的可靠性和使用壽命 [1-2] 。在集成電路的裝片工藝過(guò)程中,對(duì)于采用合金焊料熔封的器件,需要采用耐受溫度超過(guò) 300 ℃的高溫導(dǎo)電膠將芯片和外殼底座粘接在一起。高溫導(dǎo)電膠主要由銀顆粒、氰酸脂樹(shù)脂、固化劑等物質(zhì)組成 [3] 。在高溫固化過(guò)程中,液態(tài)的氰酸酯樹(shù)脂的黏度陡然下降,導(dǎo)電膠中的氰酸酯樹(shù)脂可能會(huì)擴(kuò)散至鍵合指,造成電路外殼的鍵合指沾污。該沾污現(xiàn)象會(huì)影響鍵合可靠性,因此需要去除鍵合指上的有機(jī)沾污組分,防止對(duì)鍵合工藝造成不良影響 [4] 。
微波等離子清洗技術(shù)作為一種精密干法清洗技術(shù),利用高能量的粒子與有機(jī)物之間的反應(yīng)生成易揮發(fā)的小分子氣體產(chǎn)物,從而有效去除鍵合指表面的有機(jī)污染物,改善鍵合指表面性能,增加材料的表面能量 [5-6] 。與傳統(tǒng)溶劑清洗方式相比,等離子清洗有許多優(yōu)點(diǎn),如不污染環(huán)境、不需要清洗液體,能增加表面潤(rùn)濕性能,改善黏著力 [7] 。因此,微波等離子清洗在電子封裝領(lǐng)域中具有重要作用。
目前,關(guān)于微波等離子清洗工藝對(duì)導(dǎo)電膠可靠性影響的研究還不充分。本文探究了在 1 次等離子清洗過(guò)程各階段導(dǎo)電膠結(jié)構(gòu)的變化,對(duì)比了微波等離子清洗次數(shù)對(duì)導(dǎo)電膠微觀結(jié)構(gòu)及電路可靠性的影響,并分析了多次清洗造成的電路失效的相應(yīng)機(jī)理,為采用合理的等離子清洗參數(shù)提供了一定的理論參考。
2 試驗(yàn)方案
微波等離子體是由工作頻率為 2.45 GHz 的微波激發(fā)工藝氣體放電,在正負(fù)極磁場(chǎng)作用下的諧振腔體內(nèi)產(chǎn)生的等離子體。選用不同的工藝氣體可產(chǎn)生不同的活性等離子體,如 O 等離子體、H 等離子體。這些活性等離子體對(duì)被清洗物進(jìn)行表面物理轟擊與化學(xué)反應(yīng)雙重作用,使被清洗物表面生成粒子和氣態(tài)物質(zhì)。將這些物質(zhì)經(jīng)過(guò)抽真空排出,從而達(dá)到清洗物質(zhì)表面的目的。由于整個(gè)放電過(guò)程不需要正負(fù)電極,產(chǎn)生的自偏壓極小,從根本上避免了靜電損傷,因此微波等離子清洗技術(shù)適合于在半導(dǎo)體芯片封裝中應(yīng)用 [8] 。本試驗(yàn)中的微波等離子清洗過(guò)程包括氧化處理和還原處理 2 個(gè)步驟。經(jīng)過(guò)試驗(yàn)設(shè)計(jì),確定了試驗(yàn)的具體工藝參數(shù):
1)氧化過(guò)程采用的工藝氣體為 O 2 ,設(shè)置微波等離子清洗功率為 800 W,清洗時(shí)間為 20 min,氣體流量為300 mL/min;
2)還原過(guò)程采用的工藝氣體為 H 2 ,設(shè)置微波等離子清洗功率為 800 W,清洗時(shí)間為 30 min,氣體流量為300 mL/min。
完成 1 次氧化過(guò)程和 1 次還原過(guò)程為 1 次微波等離子清洗循環(huán)。試驗(yàn)人員分別對(duì)裝片后的電路進(jìn)行 1次、2 次和 3 次微波等離子清洗循環(huán)處理,觀察芯片四周溢出的導(dǎo)電膠形貌變化,并與導(dǎo)電膠初始形態(tài)做對(duì)比。
3 試驗(yàn)結(jié)果
3.1 微波等離子清洗過(guò)程對(duì)導(dǎo)電膠形貌的影響
微波等離子清洗過(guò)程中各階段導(dǎo)電膠的形貌如圖 1 所示。固化后的導(dǎo)電膠呈現(xiàn)典型的銀白色,表面較為致密且無(wú)明顯的孔洞,如圖 1(a)(d)所示。在氧化過(guò)程中,高能量的 O 等離子體一方面會(huì)與導(dǎo)電膠中的樹(shù)脂反應(yīng)生成小分子易揮發(fā)物質(zhì),導(dǎo)致材料中的 C、O含量減少。導(dǎo)電膠中的高分子樹(shù)脂結(jié)構(gòu)遭到破壞,導(dǎo)致導(dǎo)電膠表面出現(xiàn)少量的孔隙,如圖 1(e)所示。另一方面,有機(jī)物的消耗使得導(dǎo)電膠表層的銀顆粒裸露出來(lái),會(huì)繼續(xù)和 O 等離子體反應(yīng)生成黑色氧化銀,如圖 1(b)所示。氧化銀的電阻較大,因此需將銀的氧化物還原。在等離子的還原過(guò)程中,高能量的 H 等離子體與氧化銀中的 O 粒子結(jié)合,將黑色的氧化銀還原為銀白色的銀單質(zhì),如圖 1(c)所示。但導(dǎo)電膠還原后因體積膨脹造成的空洞無(wú)法復(fù)原,故在圖 1(f)中仍可看到明顯凹坑。
利用能量色散 X 射線光譜儀(EDX)分析導(dǎo)電膠在等離子清洗過(guò)程中各主要元素的含量,結(jié)果如表 1所示。在經(jīng)過(guò) 1 次循環(huán)的微波等離子清洗后,導(dǎo)電膠中有機(jī)物中的 C 含量略有減少。這主要是因?yàn)樵谘趸^(guò)程中導(dǎo)電膠表層有機(jī)物中的 C、O 等與高能量的 O等離子體反應(yīng)生成 CO、CO 2 等小分子物質(zhì) [9] ,這些氣態(tài)物質(zhì)在清洗過(guò)程中采用抽真空方式排出。
綜上可知,導(dǎo)電膠經(jīng)過(guò) 1 次等離子清洗處理后,膠體表面經(jīng)歷了由淺變深再變淺的顏色變化。其表面形貌雖無(wú)明顯變化,但是由于表層少量有機(jī)物的損失,使得其致密的微觀結(jié)構(gòu)出現(xiàn)少量孔隙。
3.2 微波等離子清洗次數(shù)對(duì)導(dǎo)電膠形貌的影響
經(jīng)過(guò)不同循環(huán)次數(shù)的等離子清洗處理后的導(dǎo)電膠宏觀形貌如圖 2 所示。經(jīng)過(guò) 2 次微波等離子循環(huán)清洗后的導(dǎo)電膠表面已經(jīng)出現(xiàn)明顯的脫落區(qū)域。利用EDX 分析確認(rèn)脫落物為導(dǎo)電膠。由于脫落的導(dǎo)電膠較少,在后續(xù)的吹掃過(guò)程中已經(jīng)被完全去除,故未在電路內(nèi)部發(fā)現(xiàn)剝落的導(dǎo)電膠。經(jīng)過(guò) 3 次微波等離子循環(huán)清洗后的電路,其內(nèi)部導(dǎo)電膠剝落區(qū)域顯著擴(kuò)大,且有明顯脫落的塊狀導(dǎo)電膠。
除宏觀形貌的差異外,經(jīng)過(guò)不同循環(huán)次數(shù)的等離子清洗處理后導(dǎo)電膠的微觀形貌差異也較大,如圖 3所示。經(jīng)過(guò)多次等離子清洗處理后,導(dǎo)電膠表面逐漸由較為平整的狀態(tài)變?yōu)榘纪共黄降臓顟B(tài)。進(jìn)一步采用聚焦離子束設(shè)備(FIB)分析導(dǎo)電膠內(nèi)部的結(jié)構(gòu),經(jīng)過(guò)不同循環(huán)次數(shù)的等離子清洗處理后導(dǎo)電膠內(nèi)部微觀形貌如圖 4 所示。導(dǎo)電膠的初始結(jié)構(gòu)中含有大量的銀顆粒,這些銀顆粒之間通過(guò)具有高強(qiáng)度粘接性能的樹(shù)脂基體連接在一起,導(dǎo)電膠各區(qū)域的縱向界面都是致密的結(jié)構(gòu),因而可以保持結(jié)構(gòu)穩(wěn)定和較高的粘接強(qiáng)度 [10] 。經(jīng)過(guò) 1 次微波等離子清洗處理后,導(dǎo)電膠的內(nèi)部結(jié)構(gòu)遭到破壞,被破壞的導(dǎo)電膠的厚度約為 1.5 μm,并且與下部的導(dǎo)電膠主體之間出現(xiàn)了界面區(qū)域。但是該界面區(qū)域不明顯,表層導(dǎo)電膠與未遭到破壞的導(dǎo)電膠之間仍然存在較多起到粘接作用的樹(shù)脂,因而也不容易脫落。通過(guò)圖 4(c)(d)可以看出,結(jié)構(gòu)遭到破壞的導(dǎo)電膠厚度有顯著增加(從 1.5 μm增加至 10 μm 和15 μm),其結(jié)構(gòu)也呈現(xiàn)出明顯的疏松多孔狀態(tài)。
初始狀態(tài)和經(jīng) 3 次微波等離子清洗處理后的表層導(dǎo)電膠的熱失重曲線如圖 5 所示。初始狀態(tài)的導(dǎo)電膠在 200 ℃下的失重僅有 0.03%,在 350 ℃下的失重不超過(guò) 1%,表現(xiàn)出優(yōu)異的耐高溫性。但是當(dāng)溫度超過(guò)400 ℃后,材料的失重速率陡然上升。這是因?yàn)樵谠摐囟认聵?shù)脂中的三嗪結(jié)構(gòu)發(fā)生分解,破壞了導(dǎo)電膠交聯(lián)結(jié)構(gòu)的完整性和穩(wěn)定性 [11] 。經(jīng)過(guò) 3 次微波等離子清洗處理后的導(dǎo)電膠在 500 ℃下僅有不到 1%的質(zhì)量損失。這說(shuō)明結(jié)構(gòu)中已經(jīng)基本不存在起到粘接作用的樹(shù)脂,導(dǎo)致表面結(jié)構(gòu)脫落風(fēng)險(xiǎn)增加,從而出現(xiàn)圖 2(d)中導(dǎo)電膠脫落的現(xiàn)象。
3.3 多次等離子清洗處理后導(dǎo)電膠剝落的機(jī)理
在對(duì)導(dǎo)電膠表面進(jìn)行多次 O 等離子體處理的過(guò)程中,由于在 1 次等離子清洗過(guò)程中導(dǎo)電膠表層的有機(jī)樹(shù)脂已經(jīng)大部分被去除,形成了多孔結(jié)構(gòu)——— 如圖4(b)所示—— — 再次進(jìn)行等離子處理時(shí),O 等離子體穿過(guò)多孔結(jié)構(gòu)的空隙繼續(xù)與下層的導(dǎo)電膠進(jìn)行反應(yīng),使得有機(jī)樹(shù)脂繼續(xù)消耗,導(dǎo)致多孔結(jié)構(gòu)的厚度增加超過(guò)10 μm。導(dǎo)電膠經(jīng)過(guò)多次的氧化還原后,起到粘接作用的樹(shù)脂基體已經(jīng)基本上被全部氧化去除。銀顆粒與下層導(dǎo)電膠主體的結(jié)合強(qiáng)度降低,導(dǎo)致導(dǎo)電膠多孔結(jié)構(gòu)在后續(xù)可靠性篩選過(guò)程中受到熱應(yīng)力或機(jī)械應(yīng)力的作用時(shí)可能發(fā)生脫落,形成片狀多余物,導(dǎo)電膠剝落的過(guò)程如圖 6 所示。
4 可靠性分析
對(duì)器件進(jìn)行微波等離子清洗時(shí),等離子體的氧化、還原作用區(qū)域主要集中于暴露在芯片周圍的區(qū)域。芯片的尺寸越大,暴露區(qū)域面積的占比越小 [11] 。而未暴露的導(dǎo)電膠被芯片遮擋,等離子清洗幾乎不會(huì)破壞芯片底部的導(dǎo)電膠,因此芯片的粘接強(qiáng)度并未下降。完成電路封裝后,針對(duì)經(jīng)過(guò)不同次數(shù)等離子清洗處理的電路進(jìn)行剪切力測(cè)試,發(fā)現(xiàn)芯片粘接強(qiáng)度無(wú)明顯變化。
由于經(jīng)過(guò)多次微波等離子清洗后的導(dǎo)電膠表層結(jié)構(gòu)疏松,在經(jīng)歷溫度沖擊及機(jī)械應(yīng)力時(shí)表層的導(dǎo)電膠將發(fā)生脫落,形成可移動(dòng)的導(dǎo)電多余物。這種多余物會(huì)直接導(dǎo)致顆粒碰撞噪聲檢測(cè)試驗(yàn)失效,并且?guī)?lái)器件內(nèi)部的互連短路風(fēng)險(xiǎn)。對(duì)于大尺寸芯片的貼裝工藝,裝片膠的使用量更多,鍵合引線更加密集,膠皮脫落會(huì)帶來(lái)更高的短路風(fēng)險(xiǎn) [12] 。
5 結(jié)論
在微波等離子清洗過(guò)程中使用的高能量的 O 等離子體會(huì)與導(dǎo)電膠中的有機(jī)物反應(yīng),導(dǎo)致導(dǎo)電膠結(jié)構(gòu)出現(xiàn)變化。導(dǎo)電膠經(jīng)過(guò) 1 次微波等離子清洗后,雖然其成分和結(jié)構(gòu)發(fā)生了輕微變化,但是未出現(xiàn)明顯的脫落現(xiàn)象,因此 1 次微波等離子清洗不會(huì)對(duì)電路的可靠性造成影響。在經(jīng)過(guò)多次微波等離子清洗后,導(dǎo)電膠表層中起粘接作用的有機(jī)物會(huì)發(fā)生反應(yīng)至完全消耗,
導(dǎo)致塊狀的導(dǎo)電膠脫落。脫落后的導(dǎo)電膠如果搭在鍵合絲上,會(huì)引起電路短路。隨著微波等離子清洗次數(shù)的增加,導(dǎo)電膠的粘接結(jié)構(gòu)將發(fā)生更大改變,有可能影響器件在溫度循環(huán)、熱沖擊以及機(jī)械沖擊、振動(dòng)等試驗(yàn)后的可靠性,包括引起粘接強(qiáng)度、水汽等方面的惡化。此外,微波等離子清洗工藝參數(shù)(如氧化、還原時(shí)間及功率)對(duì)清洗后表面結(jié)構(gòu)的影響還有待進(jìn)一步的研究。
審核編輯 黃宇
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