臺積電和ITRI成功研發(fā)SOT-MRAM，功耗僅為STT-MRAM的百分之一

據(jù)報(bào)道，臺積電股份有限公司與工業(yè)技術(shù)研究院合作研發(fā)出名為“自旋軌道力矩式磁性內(nèi)存” （SOT-MRAM） 的下一代 MRAM 存儲器，搭載創(chuàng)新算法，能源消耗較同類技術(shù) STT-MRAM 降低了約百分之九十九，這將有效提升其在AI和高性能計(jì)算（HPC）領(lǐng)域的競爭力。

鑒于AI、5G新時(shí)代的到來以及自動駕駛、精準(zhǔn)醫(yī)療診斷、衛(wèi)星影像辨識等應(yīng)用對更高效率、穩(wěn)定性和更低功耗的內(nèi)存的需求愈發(fā)緊迫，如磁阻式隨機(jī)存取內(nèi)存（MRAM）這樣的新一代內(nèi)存技術(shù)已成為眾多廠商爭相研發(fā)的重點(diǎn)。

作為全球半導(dǎo)體巨頭之一，臺積電早已開始涉足MRAM產(chǎn)品的研究開發(fā)，現(xiàn)已成功開發(fā)出22納米、16/12納米工藝的相應(yīng)產(chǎn)品線。如今再次推出新款超低功耗SOT-MRAM，有望繼續(xù)加強(qiáng)其市場領(lǐng)袖地位。據(jù)官方宣稱，新的SOT-MRAM內(nèi)存功耗僅為STT-MRAM的百分之一，同時(shí)形成的科研成果也處于國際領(lǐng)先地位，并且在備受矚目的國際電子元件會議（IEDM）上得到發(fā)表。

值得注意的是，STT-MRAM是一種使用自旋電流進(jìn)行信息寫入的新型非易失性磁隨機(jī)存儲器，屬于第二代磁性存儲器MRAM。其存儲單元主要由兩層不同厚度的鐵磁層和一層幾個(gè)納米厚的非磁性隔離層構(gòu)成。