microLED的材料應(yīng)用需求方案

Micro LED顯示技術(shù)就是將傳統(tǒng)LED進(jìn)行矩陣化、微縮化的一項(xiàng)技術(shù)，其利用微米尺寸的無(wú)機(jī)LED器件作為發(fā)光像素，來(lái)實(shí)現(xiàn)主動(dòng)發(fā)光矩陣式顯示，可廣泛應(yīng)用于手機(jī)、平板、電視、筆記本電腦、AR/VR 設(shè)備、戶外顯示器、車載顯示器等顯示領(lǐng)域，應(yīng)用范圍涵蓋了目前所有的電子產(chǎn)品領(lǐng)域，Micro LED 憑借其優(yōu)異的技術(shù)性能和潛在的應(yīng)用價(jià)值，被認(rèn)為是下一個(gè)世代的顯示技術(shù)。

雖然Micro LED與傳統(tǒng)的OLED和LCD技術(shù)相比具有顯著的優(yōu)勢(shì)，但該技術(shù)尚不成熟，在芯片、背板、巨量轉(zhuǎn)移、全彩化等方面仍然存在一些技術(shù)瓶頸需要攻克，如：芯片技術(shù)的Micro LED晶圓的波長(zhǎng)一致性、芯片發(fā)光特性和可靠性等；背板技術(shù)的刷電路板的膨脹系數(shù)較大對(duì)巨量轉(zhuǎn)移效果的影響以及玻璃基板橫/縱向尺寸變化對(duì)加工工藝的高標(biāo)準(zhǔn)要求。巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)的芯片轉(zhuǎn)移到TFT電路基板上的高精度和高轉(zhuǎn)移良率。全彩化技術(shù)中的三色RGB法需轉(zhuǎn)移的芯片數(shù)量多、難度大，效率低等。Micro LED顯示技術(shù)成立的前提就是精度，如果精度低，就難以實(shí)現(xiàn)高性能的Micro LED顯示;尤其是最核心的芯片制造技術(shù)和巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)。

無(wú)論是芯片制造技術(shù)，還是巨量轉(zhuǎn)移技術(shù)，要實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)的良率和效率，都離不開(kāi)材料的創(chuàng)新和發(fā)展，microLED是目前中國(guó)在顯示屏代際中與國(guó)外技術(shù)水平差異最小的產(chǎn)業(yè)，也是在材料和設(shè)備國(guó)產(chǎn)化替代中最具潛力的行業(yè)，新綸光電一直致力于microLED巨量轉(zhuǎn)移材料的開(kāi)發(fā)和應(yīng)用研究。

轉(zhuǎn)移到背板上的microLED還需要進(jìn)行封裝保護(hù)，才能實(shí)現(xiàn)高品質(zhì)的顯示畫面。然而Micro-LED顯示除了其自身的集成工藝問(wèn)題外，在顯示終端應(yīng)用時(shí)，由于Micro-LED顯示自身的技術(shù)特點(diǎn)，有一些應(yīng)用問(wèn)題：如Micro-LED顯示上表面沒(méi)有濾光片，抗環(huán)境光能力差；紅綠藍(lán)三色芯片光場(chǎng)分布不同和相鄰像素之間發(fā)光串?dāng)_問(wèn)題造成大角度色偏問(wèn)題；Micro-LED顯示終端多為多塊拼接的，所以很難保證每一塊顯示單元上的所有芯片波長(zhǎng)都能滿足此要求，另外由于每顆芯片的典型驅(qū)動(dòng)電壓均有浮動(dòng)，就會(huì)造成單色場(chǎng)每一塊Micro-LED顯示單元在光色一致性上均勻程度較差。這些應(yīng)用顯示的問(wèn)題可以通過(guò)一系列特殊性能的封裝材料用于表面保護(hù)來(lái)進(jìn)行改善，最終實(shí)現(xiàn)設(shè)計(jì)的顯示效果。新綸光電開(kāi)發(fā)的一系列Micro LED封裝應(yīng)用相關(guān)材料，如高硬度光學(xué)封裝材料、microLED拼接材料、墨色一體黑填充材料、啞光顯示材料，可有效滿足Micro LED在封裝保護(hù)中的材料使用需求。

審核編輯 黃宇