SK海力士加大高帶寬內存生產投入

SK海力士近日宣布，將進一步擴大高帶寬內存生產設施的投資，以滿足高性能AI產品市場的不斷增長需求。

作為全球知名的半導體制造商，SK海力士此次計劃對通過硅通孔（TSV）技術的相關設施投資增加一倍以上。這一戰(zhàn)略舉措旨在提升HBM的產能，使其翻倍增長。在此基礎上，公司還計劃在2024年上半年開始生產其第五代HBM產品，即HBM3E。

值得一提的是，自2023年年初以來，SK海力士的股價因其在AI領域的實力而上漲近50%，顯示出市場對其未來發(fā)展的樂觀預期。

HBM是一種高性能的內存解決方案，廣泛應用于高性能計算、數據中心和AI領域。隨著AI技術的快速發(fā)展，對HBM的需求也在持續(xù)增長。通過擴大生產設施投資，SK海力士不僅滿足了市場需求，也進一步鞏固了其在全球半導體行業(yè)的領先地位。

此次投資計劃的實施，將有助于提升SK海力士在AI市場的競爭力。在未來，SK海力士將繼續(xù)致力于技術創(chuàng)新和產品研發(fā)，以提供更優(yōu)質、更高效的半導體解決方案，為全球用戶帶來更出色的技術體驗。