2024年日本半導(dǎo)體制造商將新建晶圓制造工廠

2024年大批日本和海外半導(dǎo)體企業(yè)在日本新建晶圓工廠投入運營，推動日本半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈升級和芯片制造技術(shù)提升。

臺積電

在熊本縣菊陽町，臺積電、索尼和日本電裝聯(lián)合開發(fā)了一個12英寸晶圓加工基地，該基地應(yīng)用12nm、16nm和22nm至28nm技術(shù)，預(yù)計月底建成。此外，其量產(chǎn)時間已定為2024年第四期。據(jù)悉，此舉將推動日本邏輯IC工藝技術(shù)大幅度提升，由瑞薩電子的40nm攀升到JASM的12nm，成為日本半導(dǎo)體振興戰(zhàn)略重要一環(huán)。而日本政府已投入4760億日元作為補助，占總體劃撥的86%。

鎧俠和西部數(shù)據(jù)

鎧俠（Kioxia）和西部數(shù)據(jù)計劃在三重縣四日市建立一處12英寸合資工廠，預(yù)計明年3月開始生產(chǎn)3D NAND產(chǎn)品。具體投資金額為2800億日元，其中日本政府出資929億日元。此外，位于巖手縣北上的另一座廠也將于今年末開業(yè)，原本計劃于2023年內(nèi)完成，然而因市場影響被延遲。

瑞薩電子

瑞薩電子預(yù)計明年引進新的功率半導(dǎo)體生產(chǎn)線，以應(yīng)對電動車增長所需。他們決定在現(xiàn)有的山梨縣甲府廠房基礎(chǔ)上增加一條12英寸硅片生產(chǎn)線，投入資金高達900億日元。同時，這新型生產(chǎn)線將助力瑞薩電子提升IGBT和MOSFET等功率半導(dǎo)體產(chǎn)能，預(yù)計2024年實現(xiàn)量產(chǎn)，該舉措得到了日本經(jīng)濟產(chǎn)業(yè)省的支持。

東芝和羅姆

東芝在石川縣能美市的新工廠預(yù)計明年3月完工并裝配12英寸硅功率半導(dǎo)體晶圓制造線。該廠與羅姆在宮崎縣國富市新開發(fā)的SiC功率半導(dǎo)體工廠進行生產(chǎn)整合，預(yù)計獲得政府資助，數(shù)額相等于項目總投資的三分之一。羅姆新廠將采用8英寸SiC晶圓技術(shù)，新建廠投產(chǎn)后部分工程仍需持續(xù)進行。

2025年后的日本晶圓廠計劃

展望未來，美光科技將于2025年在廣島縣興建生產(chǎn)1-gamma （1γ） DRAM的新型工廠；晶圓生產(chǎn)商JSMC與日本金融機構(gòu)SBI合作，目標在2027年部分完成后實現(xiàn)大規(guī)模量產(chǎn)；日本睿普爾也計劃于同一時期實現(xiàn)2nm芯片規(guī)模生產(chǎn)。而臺積電正在重點考慮選址熊本縣再建新廠，相關(guān)決策可能在2月6日后公布。

臺積電董事長劉德音1月18日談到在日本的第二座工廠時說，還在評估階段，正在日本政府進行討論。一旦決定興建二廠，預(yù)計將生產(chǎn)7nm到16nm制程的產(chǎn)品。