0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評(píng)論與回復(fù)
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學(xué)習(xí)在線課程
  • 觀看技術(shù)視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會(huì)員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認(rèn)識(shí)你,還能領(lǐng)取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

總投資32.7億!第三代半導(dǎo)體碳化硅材料生產(chǎn)基地在寶安區(qū)啟用

今日半導(dǎo)體 ? 來(lái)源:今日半導(dǎo)體 ? 2024-02-29 14:09 ? 次閱讀

2月27日,第三代半導(dǎo)體碳化硅材料生產(chǎn)基地在寶安區(qū)啟用,由深圳市重投天科半導(dǎo)體有限公司(以下簡(jiǎn)稱“重投天科”)建設(shè)運(yùn)營(yíng),預(yù)計(jì)今年襯底和外延產(chǎn)能達(dá)25萬(wàn)片,將進(jìn)一步補(bǔ)強(qiáng)深圳第三代半導(dǎo)體“虛擬全產(chǎn)業(yè)鏈(VIDM)”,助力廣東打造國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展“第三極”。

芯片的生產(chǎn)流程可分解為“設(shè)計(jì)、制造、封裝測(cè)試”,襯底和外延材料是芯片制造環(huán)節(jié)的核心基礎(chǔ),位于整套工藝的最上游端。當(dāng)前,廣東正聚力打造中國(guó)集成電路第三極,深圳則在國(guó)內(nèi)率先提出了第三代半導(dǎo)體“虛擬全產(chǎn)業(yè)鏈(VIDM)”發(fā)展模式。

位于寶安區(qū)石巖街道的深圳市第三代半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)園,由重投天科建設(shè)運(yùn)營(yíng),總投資32.7億元,重點(diǎn)布局6英寸碳化硅單晶襯底和外延生產(chǎn)線,是廣東省和深圳市重點(diǎn)項(xiàng)目、深圳全球招商大會(huì)重點(diǎn)簽約項(xiàng)目。

以碳化硅為代表的 第三代寬禁帶半導(dǎo)體材料 是繼硅以后最有行業(yè)前景的 半導(dǎo)體材料之一,市場(chǎng)需求旺盛,主要應(yīng)用于5G通訊、新能源汽車 電力電子以及大功率轉(zhuǎn)換領(lǐng)域等戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)。

國(guó)際知名市場(chǎng)調(diào)研機(jī)構(gòu)Yole報(bào)告顯示,重投天科的投資方之一,北京天科合達(dá)半導(dǎo)體股份有限公司(以下簡(jiǎn)稱“天科合達(dá)”)是第三代半導(dǎo)體材料的頭部企業(yè),2022年導(dǎo)電型碳化硅襯底營(yíng)收占全球總營(yíng)收的12.8%,較2021年大幅提升,評(píng)估認(rèn)為該公司2022年國(guó)內(nèi)市占率為60%左右。

對(duì)于寶安項(xiàng)目 包括天科合達(dá)在內(nèi)的各投資方 均傾注了大量資源并寄予厚望 據(jù)悉,隨著該項(xiàng)目投產(chǎn)、滿產(chǎn),將有效解決下游客戶在軌道交通、新能源汽車、分布式新能源、智能電網(wǎng)、高端電源、5G通訊、人工智能等重點(diǎn)領(lǐng)域的碳化硅器件產(chǎn)業(yè)鏈發(fā)展的原材料基礎(chǔ)保障和供應(yīng)瓶頸。

未來(lái),重投天科還將設(shè)立大尺寸晶體生長(zhǎng)和外延研發(fā)中心,并與本地重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室在儀器設(shè)備共享及材料領(lǐng)域開(kāi)展合作,與重點(diǎn)裝備制造企業(yè)加強(qiáng)晶體加工領(lǐng)域的技術(shù)創(chuàng)新合作,聯(lián)動(dòng)下游龍頭企業(yè)在車規(guī)器件、模組研發(fā)等工作上聯(lián)合創(chuàng)新,并助力深圳提升8英寸襯底平臺(tái)領(lǐng)域研發(fā)及產(chǎn)業(yè)化制造技術(shù)水平。

近年來(lái),寶安將半導(dǎo)體與集成電路產(chǎn)業(yè)作為重點(diǎn)布局,推動(dòng)上下游企業(yè)快速集聚、聚勢(shì)發(fā)展,產(chǎn)業(yè)規(guī)模不斷擴(kuò)大,初步形成了包括設(shè)計(jì)、制造、封測(cè)、設(shè)備、材料在內(nèi)的全產(chǎn)業(yè)鏈生態(tài)鏈,已成長(zhǎng)為寶安5個(gè)千億級(jí)產(chǎn)業(yè)集群之一。




審核編輯:劉清

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權(quán)轉(zhuǎn)載。文章觀點(diǎn)僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場(chǎng)。文章及其配圖僅供工程師學(xué)習(xí)之用,如有內(nèi)容侵權(quán)或者其他違規(guī)問(wèn)題,請(qǐng)聯(lián)系本站處理。 舉報(bào)投訴
  • 集成電路
    +關(guān)注

    關(guān)注

    5377

    文章

    11311

    瀏覽量

    360386
  • 新能源汽車
    +關(guān)注

    關(guān)注

    141

    文章

    10344

    瀏覽量

    99147
  • 半導(dǎo)體
    +關(guān)注

    關(guān)注

    334

    文章

    26855

    瀏覽量

    214314
  • 芯片制造
    +關(guān)注

    關(guān)注

    9

    文章

    607

    瀏覽量

    28750
  • 碳化硅
    +關(guān)注

    關(guān)注

    25

    文章

    2680

    瀏覽量

    48790

原文標(biāo)題:總投資32.7億!重投天科,6寸碳化硅項(xiàng)目在寶安啟用

文章出處:【微信號(hào):today_semicon,微信公眾號(hào):今日半導(dǎo)體】歡迎添加關(guān)注!文章轉(zhuǎn)載請(qǐng)注明出處。

收藏 人收藏

    評(píng)論

    相關(guān)推薦

    第三代半導(dǎo)體的優(yōu)勢(shì)和應(yīng)用

    隨著科技的發(fā)展,半導(dǎo)體技術(shù)經(jīng)歷了多次變革,而第三代半導(dǎo)體材料的出現(xiàn),正在深刻改變我們的日常生活和工業(yè)應(yīng)用。
    的頭像 發(fā)表于 10-30 11:24 ?297次閱讀

    納微半導(dǎo)體第三代快速碳化硅獲AEC Q101車規(guī)認(rèn)證

    納微半導(dǎo)體(納斯達(dá)克股票代碼:NVTS)近日宣布推出符合車規(guī)認(rèn)證的D2PAK-7L (TO-263-7)和標(biāo)貼TOLL封裝的第三代快速碳化硅MOSFETs。這一創(chuàng)新產(chǎn)品系列經(jīng)過(guò)精心優(yōu)化,旨在滿足電動(dòng)汽車應(yīng)用的高要求,為行業(yè)帶來(lái)革
    的頭像 發(fā)表于 10-10 17:08 ?343次閱讀

    我國(guó)首次突破溝槽型碳化硅MOSFET芯片制造技術(shù):開(kāi)啟半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)新篇章

    近年來(lái),隨著科技的不斷進(jìn)步,半導(dǎo)體技術(shù)作為現(xiàn)代信息技術(shù)的基石,其發(fā)展速度日新月異。在這一領(lǐng)域,碳化硅(SiC)作為第三代半導(dǎo)體材料的代表,因
    的頭像 發(fā)表于 09-04 10:48 ?903次閱讀
    我國(guó)首次突破溝槽型<b class='flag-5'>碳化硅</b>MOSFET芯片制造技術(shù):開(kāi)啟<b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>產(chǎn)業(yè)新篇章

    納微半導(dǎo)體發(fā)布第三代快速碳化硅MOSFETs

    納微半導(dǎo)體作為GaNFast?氮化鎵和GeneSiC?碳化硅功率半導(dǎo)體的行業(yè)領(lǐng)軍者,近日正式推出了其最新研發(fā)的第三代快速(G3F)碳化硅MO
    的頭像 發(fā)表于 06-11 16:24 ?903次閱讀

    碳化硅器件的基本特性都有哪些?

    碳化硅(SiliconCarbide,SiC)器件作為第三代半導(dǎo)體材料的重要代表,近年來(lái)電子器件領(lǐng)域中備受關(guān)注。
    的頭像 發(fā)表于 05-27 18:04 ?1181次閱讀

    一、二、三代半導(dǎo)體的區(qū)別

    5G和新能源汽車等新市場(chǎng)需求的驅(qū)動(dòng)下,第三代半導(dǎo)體材料有望迎來(lái)加速發(fā)展。硅基半導(dǎo)體的性能已無(wú)法完全滿足5G和新能源汽車的需求,
    發(fā)表于 04-18 10:18 ?2670次閱讀
    一、二、<b class='flag-5'>三代</b><b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>的區(qū)別

    深圳第三代半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)園揭牌 重點(diǎn)布局6英寸碳化硅單晶襯底和外延生產(chǎn)

    2月27日,深圳市第三代半導(dǎo)體材料產(chǎn)業(yè)園揭牌儀式寶安石巖街道舉行。
    的頭像 發(fā)表于 03-07 16:48 ?727次閱讀

    深圳第三代半導(dǎo)體碳化硅材料生產(chǎn)基地啟用

    總計(jì)投資32.7元人民幣的第三代半導(dǎo)體碳化硅材料
    的頭像 發(fā)表于 02-28 16:33 ?817次閱讀

    深度解讀第三代半導(dǎo)體碳化硅

    碳化硅(SiC)是由碳元素和硅元素組成的一種化合物半導(dǎo)體材料,是制作高溫、高頻、大功率、高壓器件的理想材料之一。
    的頭像 發(fā)表于 01-24 16:42 ?2687次閱讀
    深度解讀<b class='flag-5'>第三代</b><b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>—<b class='flag-5'>碳化硅</b>

    SiC碳化硅MOSFET的應(yīng)用及性能優(yōu)勢(shì)

    碳化硅第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要基礎(chǔ)材料,碳化硅功率器件以其優(yōu)異的耐高壓、耐高溫、低損耗等性能,能夠有效滿足電力電子系統(tǒng)的高效率、小型化和
    的頭像 發(fā)表于 01-20 17:18 ?982次閱讀
    SiC<b class='flag-5'>碳化硅</b>MOSFET的應(yīng)用及性能優(yōu)勢(shì)

    半導(dǎo)體碳化硅(SiC)行業(yè)研究

    第三代半導(dǎo)體性能優(yōu)越,應(yīng)用場(chǎng)景更廣。半導(dǎo)體材料作為電子信息技術(shù)發(fā)展的 基礎(chǔ),經(jīng)歷了數(shù)的更迭。隨著應(yīng)用場(chǎng)景提出更高的要求,以
    的頭像 發(fā)表于 01-16 10:48 ?904次閱讀
    <b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b><b class='flag-5'>碳化硅</b>(SiC)行業(yè)研究

    2023年第三代半導(dǎo)體融資超62起,碳化硅器件及材料投資焦點(diǎn)

    。 ? 第三代半導(dǎo)體是以碳化硅、氮化鎵等為代表的寬禁帶半導(dǎo)體材料。某機(jī)構(gòu)數(shù)據(jù)顯示,2022年,國(guó)內(nèi)有超26家
    的頭像 發(fā)表于 01-09 09:14 ?2179次閱讀
    2023年<b class='flag-5'>第三代</b><b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>融資超62起,<b class='flag-5'>碳化硅</b>器件及<b class='flag-5'>材料</b>成<b class='flag-5'>投資</b>焦點(diǎn)

    石金科技募資7000萬(wàn)建第三代半導(dǎo)體熱場(chǎng)及材料生產(chǎn)項(xiàng)目

    石金科技近日宣布將募集3.5元資金,用于多個(gè)關(guān)鍵項(xiàng)目的發(fā)展。這些項(xiàng)目涵蓋了補(bǔ)充公司流動(dòng)資金、建設(shè)石金(西安)研發(fā)中心及生產(chǎn)基地、光伏關(guān)鍵輔材集成服務(wù)生產(chǎn)以及第三代
    的頭像 發(fā)表于 01-03 16:09 ?787次閱讀

    第三代半導(dǎo)體的發(fā)展機(jī)遇與挑戰(zhàn)

    芯聯(lián)集成已全力挺進(jìn)第三代半導(dǎo)體市場(chǎng),自2021年起投入碳化硅MOSFET芯片及模組封裝技術(shù)的研究開(kāi)發(fā)與產(chǎn)能建設(shè)。短短兩年間,芯聯(lián)集成便已成功實(shí)現(xiàn)技術(shù)創(chuàng)新的次重大飛躍,器件性能與國(guó)際頂
    的頭像 發(fā)表于 12-26 10:02 ?881次閱讀

    ?第三代半導(dǎo)體碳化硅行業(yè)分析報(bào)告

    半導(dǎo)體材料目前已經(jīng)發(fā)展至第三代。傳統(tǒng)硅基半導(dǎo)體由于自身物理性能不足以及受限于摩爾定律,逐漸不適應(yīng)于半導(dǎo)體行業(yè)的發(fā)展需求,砷化鎵、
    發(fā)表于 12-21 15:12 ?3050次閱讀
    ?<b class='flag-5'>第三代</b><b class='flag-5'>半導(dǎo)體</b>之<b class='flag-5'>碳化硅</b>行業(yè)分析報(bào)告