0
  • 聊天消息
  • 系統(tǒng)消息
  • 評論與回復
登錄后你可以
  • 下載海量資料
  • 學習在線課程
  • 觀看技術視頻
  • 寫文章/發(fā)帖/加入社區(qū)
會員中心
創(chuàng)作中心

完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>

3天內(nèi)不再提示

英諾賽科在2024 APEC展示GaN新品與解決方案

CHANBAEK ? 來源:網(wǎng)絡整理 ? 2024-03-12 09:40 ? 次閱讀

近日,備受全球矚目的國際電力電子應用展覽會APEC在美國洛杉磯盛大閉幕。作為全球電力電子領域的年度盛會,APEC吸引了眾多頂尖企業(yè)的目光,他們紛紛攜帶最新的設備、產(chǎn)品、方案及終端應用參展,展示了電力電子技術的最新成果與發(fā)展趨勢。

在此次展會上,英諾賽科作為全球領先的8英寸GaN IDM企業(yè),以強大的技術實力和前瞻性的市場布局,再次成為焦點。英諾賽科以“Fill the World with GaN”為主題,全面展示了其基于高性能硅基氮化鎵技術的最新產(chǎn)品和先進應用方案,為電力電子領域帶來了全新的視角和可能。

據(jù)悉,英諾賽科在2023年完成了高壓gen 2.5、中壓gen 2.0工業(yè)類技術平臺,以及低壓gen 2.0車規(guī)類技術平臺的開發(fā)與量產(chǎn),進一步鞏固了其在氮化鎵領域的領先地位。此次APEC展會上,英諾賽科重點展示了基于這些新技術平臺的多系列產(chǎn)品,包括100V雙向導通GaN、高集成合封GaN以及支持大功率的700V GaN等新品。這些產(chǎn)品不僅性能卓越,而且具有廣泛的應用前景,為消費電子、數(shù)據(jù)中心、新能源汽車電子等領域提供了高效、節(jié)能的解決方案。

英諾賽科的展示引起了與會者的廣泛關注和熱烈討論。業(yè)內(nèi)專家紛紛表示,英諾賽科的氮化鎵技術和產(chǎn)品具有極高的創(chuàng)新性和實用性,將為電力電子領域的發(fā)展注入新的活力。同時,英諾賽科所展示的解決方案也充分展示了其在推動能源生態(tài)系統(tǒng)低碳、節(jié)能方面的積極努力和成果。

作為全球領先的氮化鎵企業(yè),英諾賽科一直致力于打造基于高性能硅基氮化鎵的低碳、節(jié)能的能源生態(tài)系統(tǒng)。通過不斷的技術創(chuàng)新和產(chǎn)品開發(fā),英諾賽科成功將氮化鎵技術應用于多個領域,為全球的可持續(xù)發(fā)展貢獻了自己的力量。

此次APEC展會的成功舉辦,不僅為英諾賽科提供了一個展示自身實力和技術成果的平臺,也為全球電力電子領域的企業(yè)提供了一個交流、合作的契機。未來,英諾賽科將繼續(xù)致力于氮化鎵技術的研發(fā)和應用,推動電力電子領域的創(chuàng)新與發(fā)展,為全球的能源轉型和可持續(xù)發(fā)展貢獻更多的智慧和力量。

聲明:本文內(nèi)容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網(wǎng)站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發(fā)燒友網(wǎng)立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內(nèi)容侵權或者其他違規(guī)問題,請聯(lián)系本站處理。 舉報投訴
  • APEC
    +關注

    關注

    0

    文章

    19

    瀏覽量

    13250
  • GaN
    GaN
    +關注

    關注

    19

    文章

    1909

    瀏覽量

    72692
  • 英諾賽科
    +關注

    關注

    3

    文章

    30

    瀏覽量

    10137
收藏 人收藏

    評論

    相關推薦

    推出30V VGaN新品,拓寬電壓范圍

    近日宣布,其VGaN系列再添新成員——30V新品INV030FQ012A。這款產(chǎn)品的推出,標志著VGaN產(chǎn)品的電壓范圍得到了進一步拓
    的頭像 發(fā)表于 10-15 17:14 ?380次閱讀

    英飛凌對提起追加訴訟,并向美國國際貿(mào)易委員會起訴

    英飛凌科技股份公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)于2024年7月23日美國加利福尼亞北區(qū)地方法院,對
    發(fā)表于 07-29 13:41 ?342次閱讀

    營業(yè)收入實現(xiàn)跨越式增長,持續(xù)推動技術創(chuàng)新

    ,其營業(yè)收入更是實現(xiàn)了令人矚目的增長,彰顯了公司氮化鎵技術領域的強大競爭力和市場潛力。 營業(yè)收入持續(xù)攀升,增長勢頭強勁 作為全球氮
    的頭像 發(fā)表于 07-08 12:53 ?227次閱讀

    IPO!三年營收超7億累計虧損67億,開拓海外市場

    電子發(fā)燒友網(wǎng)報道(文/莫婷婷)近期,作為業(yè)內(nèi)氮化鎵龍頭的向港交所遞交招股書,正式開始IPO之路。這家明星企業(yè)公開招股書后,終于讓業(yè)
    的頭像 發(fā)表于 06-17 00:11 ?4017次閱讀
    <b class='flag-5'>英</b><b class='flag-5'>諾</b><b class='flag-5'>賽</b><b class='flag-5'>科</b>IPO!三年營收超7億累計虧損67億,開拓海外市場

    氮化鎵芯片制造商赴港IPO

    (蘇州)科技股份有限公司近日正式向香港證券交易所遞交了首次公開募股(IPO)的上市申請,標志著這家全球氮化鎵功率半導體領域的領軍企業(yè)正式邁出了登陸資本市場的重要步伐。
    的頭像 發(fā)表于 06-15 09:50 ?793次閱讀

    推出500W 電機驅動方案,消費、工業(yè)雙向擊破

    問題,已成為限制中高端電機應用的關鍵因素。因此,高效、高功率密度的電機驅動器已成為迫切需求。 采用新一代合封氮化鎵- ISG3202,開發(fā)出高效率500W 48V電機驅動
    發(fā)表于 04-02 15:02 ?882次閱讀

    GaN芯片制造商計劃香港上市

    近日,有消息透露,公司正籌備今年內(nèi)赴香港進行首次公開募股(IPO),預計融資規(guī)模將達到約3億美元。
    的頭像 發(fā)表于 03-25 15:40 ?850次閱讀

    英飛凌起訴專利侵權

    英飛凌就其GaN相關的美國專利對提起訴訟,目前正在尋求永久禁令! 3月14日英飛凌官網(wǎng)發(fā)布消息稱英飛凌科技股份有限公司(Infine
    的頭像 發(fā)表于 03-21 11:00 ?481次閱讀
    英飛凌起訴<b class='flag-5'>英</b><b class='flag-5'>諾</b><b class='flag-5'>賽</b><b class='flag-5'>科</b>專利侵權

    或將赴港上市

    ,這家成立于2015年12月的高新技術企業(yè),近日傳出計劃今年內(nèi)在香港進行IPO的消息,預計融資規(guī)模將達到3億美元。
    的頭像 發(fā)表于 03-20 14:36 ?1805次閱讀

    英飛凌訴專利糾紛,涉及GaN功率半導體

    英飛凌現(xiàn)已通過下屬子公司英飛凌科技奧地利公司,正式狀告位于珠海的、以及其美分支機構涉嫌侵犯有關
    的頭像 發(fā)表于 03-15 09:56 ?993次閱讀

    英飛凌對提出專利侵權訴訟

    公司(Innoscience America, Inc)及其關聯(lián)公司(以下簡稱:)提起訴訟。英飛凌正在就其侵犯英飛凌擁有的一項與氮化鎵(Ga
    發(fā)表于 03-14 18:04 ?613次閱讀

    2024 APEC圓滿落幕,展會大放異彩

    近日,備受矚目的國際電力電子應用展覽會APEC美國洛杉磯盛大舉行。作為電力電子領域的年度盛事,APEC吸引了全球眾多知名企業(yè)的參與,他們紛紛帶來了最新的設備、產(chǎn)品、方案以及終端應用,
    的頭像 發(fā)表于 03-12 09:35 ?725次閱讀

    NexperiaAPEC 2024上發(fā)布拓寬分立式FET解決方案系列

    Nexperia(安世半導體)再次 APEC展示產(chǎn)品創(chuàng)新,宣布發(fā)布幾款新型 MOSFET,以進一步拓寬其分立開關解決方案的范圍,可用于多個終端市場的各種應用。
    的頭像 發(fā)表于 02-29 11:44 ?611次閱讀

    發(fā)布100V車規(guī)級GaN推進汽車激光雷達市場

    宣布推出100V車規(guī)級氮化鎵器件INN100W135A-Q,該器件已通過AEC-Q101 認證,適用于自動駕駛及其他先進駕駛輔助系統(tǒng)應用中的車規(guī)級激光雷達、高功率密度DC-DC
    的頭像 發(fā)表于 12-29 16:00 ?1027次閱讀
    <b class='flag-5'>英</b><b class='flag-5'>諾</b><b class='flag-5'>賽</b><b class='flag-5'>科</b>發(fā)布100V車規(guī)級<b class='flag-5'>GaN</b>推進汽車激光雷達市場

    (蘇州)全球研發(fā)中心正式啟用

    11月20日,(蘇州)全球研發(fā)中心正式啟用 將打造成為新型寬禁帶半導體材料與器件研發(fā)基地同時開展大規(guī)模量產(chǎn)化工程問題研究提升氮化鎵材料與器件的整體競爭力。
    的頭像 發(fā)表于 11-22 15:27 ?776次閱讀