硅單晶不同晶向下的不同位錯(cuò)表現(xiàn)介紹
本文介紹了硅單晶不同晶向下的不同位錯(cuò)表現(xiàn)。
<111>晶向：位錯(cuò)腐蝕坑的形狀主要呈三角形腐蝕坑
<100>晶向：位錯(cuò)腐蝕坑的形狀主要呈正方形腐蝕坑
<110>晶向：位錯(cuò)腐蝕坑的形狀主要呈立方體腐蝕坑
在硅單晶面上，不同的腐蝕劑和不同的腐蝕時(shí)間也會(huì)影響位錯(cuò)坑的狀態(tài)。下圖是<111>面腐蝕坑，由三角行的變成圓形的凹坑。其主要原因是因?yàn)楦g劑和腐蝕時(shí)間的不同使得晶體中各個(gè)方向的腐蝕速度不同造成的。
審核編輯：劉清
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硅單晶
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原文標(biāo)題：硅單晶不同晶向下的位錯(cuò)表現(xiàn)
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